近日，存储芯片产业的一则消息引发行业高度关注，三星电子与中国存储芯片厂商长江存储达成一项重磅协议，将从长江存储获得开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”技术专利许可协议，这是中国存储芯片产业历史上首次“反向输出”。成立不足十年的长江存储竟然对半导体巨头三星输出专利，这一听上去似乎是“天方夜谭”般的魔幻剧情正在变为现实。 三星在存储芯片领域一直是神话一般的存在，但在迈向更高堆叠层数的道路上却被技术问题羁绊。三星此前采用的技术在NAND堆叠层数超过400层时会不堪重负，为突破这一瓶颈，三星亟需新的技术方案，若自研技术三星需要每年投入12至15亿美元，而购买长江存储的“混合键合”成本仅为自研的五分之一，并且能让三星产品上市周期缩短18至24个月，这对三星无疑是极大的诱惑。 长江存储向三星提供专利的消息乍一看是偶然，但实际是中国半导体产业技术实力和市场地位提升的体现，正如横空出世的DeepSeek一样，这是中国的综合国力、科技实力、人才储备、产业创新都达到一定高度后产生的。 近年来中韩经济合作，特别是在尖端产业领域的合作受到各种外部因素的消极干扰，韩国国内一直担忧这种合作将大大削弱韩国相关产业在国际上的竞争力。两国在部分领域的竞争虽在日趋激烈，但合作空间更大更广。长江存储向三星提供专利或许仅仅只是一个开始，期待中韩两国在半导体产业上的合作可以向更加开放、协同和创新的方向发展。 长江存储向三星提供专利技术 【图片来源 网络】

近日，业内分析认为，三星电子在存储半导体领域的技术领先优势正在迅速缩小。中国长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）正在加快技术追赶步伐，三星曾占据主导地位的NAND闪存市场也面临竞争压力。与此同时，三星在下一代存储产品的研发进展缓慢，部分业内人士认为其研发（R&D）和产品开发战略调整已迫在眉睫。 据业界27日消息，三星电子半导体（DS）部门在下一代产品及工艺开发方面面临困难。三星在400层级NAND闪存的量产过程中，决定采用长江存储的“混合键合（Hybrid Bonding）”技术专利。混合键合是一种不使用凸点（Bump），直接连接晶圆与晶圆的先进封装工艺。在尖端DRAM领域，三星正对10nm级第六代（1c）DRAM进行重新设计，而下一代10nm级第七代（1d）DRAM的研发进展也不顺利。 三星电子决定在400层级NAND闪存生产中采用长江存储的混合键合专利，这被视为长江存储在关键技术上已经占据上风。此前，长江存储在NAND市场的影响力较小。数据显示，截至2024年第三季度，三星电子在全球NAND市场的份额为35.2%，排名第一，SK海力士以20.6%排名第二，而长江存储的市场份额则低于5%。 然而，长江存储凭借混合键合技术迎头赶上。与三星和SK海力士主要改进现有堆叠工艺不同，长江存储过去几年专注于3D NAND的混合键合技术，并成功实现商业化。长江存储将这一技术命名为“Xtacking”，随着NAND堆叠层数进入400层级，传统工艺遇到了瓶颈，混合键合技术成为突破关键。相比之下，三星和SK海力士目前的量产NAND分别为286层和321层。 除了NAND市场，三星在DRAM领域的竞争力也受到冲击。三星最近决定对最先进的1c DRAM芯片进行重新设计，这一决定可能会导致市场布局延迟。 DRAM技术每提升一代，都会进一步缩小电路尺寸，提高性能并降低功耗。目前，三星、SK海力士和美光的市场竞争主要围绕1a和1b DRAM展开，而1c DRAM的研发被视为下一个关键战场。然而，由于重新设计1c DRAM需要耗费大量时间，包括重新绘制电路图、调整生产所需的光罩（Mask）等，市场竞争格局可能受到影响。美光公司已于本月25日（当地时间）宣布向客户提供1c DRAM样品，这意味着其在技术推进上已经领先于三星。 如果1c DRAM开发受阻，三星的第六代高带宽存储（HBM4）业务也将受到严重影响。三星在第五代HBM（HBM3E）市场中已被SK海力士超越，导致在AI半导体时代落后。为了扭转局势，三星计划在HBM4产品中采用1c DRAM技术，而SK海力士则计划在其HBM产品中采用1b DRAM。 此外，三星下一代1d DRAM的研发进展也不及预期。业内人士透露：“三星最初计划将1d DRAM的电路线宽缩小到10.3至10.4nm，但目前的技术条件下难以实现这一目标。” 随着中国存储芯片厂商的快速崛起，三星电子在NAND和DRAM领域都面临着巨大的挑战。未来，三星是否能够通过战略调整，重新夺回技术优势，仍需拭目以待。 【图片来源 韩联社】

据ZDNet Korea报道，三星电子已与中国长江存储（YMTC）就3D NAND芯片的“混合键合（Hybrid Bonding）”技术达成专利许可协议。业内人士认为，此举有助于三星突破下一代NAND研发的核心技术难题，但也可能在未来市场竞争中面临技术依赖和主导权挑战。 三星计划在最快今年下半年量产下一代V10 NAND，该产品预计堆叠层数将达到420至430层。随着NAND Flash技术的发展，存储单元（Cell）需要垂直堆叠得更高，以提升存储密度。然而，当堆叠高度超过400层后，底层外围电路（Peripheral）所承受的压力会显著增加，从而影响芯片的可靠性。 为了解决这一问题，三星决定在V10 NAND中引入W2W（Wafer-to-Wafer，晶圆到晶圆）混合键合技术。这一封装工艺可以直接将两片晶圆贴合，而无需使用传统凸点（Bump）连接，从而缩短电气路径，提高性能与散热能力，同时优化生产效率。 事实上，混合键合技术早已被长江存储率先应用于3D NAND制造，并命名为“Xtacking”。该公司自四年前起便在这一领域建立了完善的专利布局。业内人士指出，目前掌握3D NAND混合键合关键专利的主要有三家公司：美国Xperi、中国长江存储以及中国台湾台积电。因此，三星几乎不可能绕开长江存储的相关专利。 值得注意的是，长江存储在早期业务发展阶段，曾通过专利许可方式从美国Xperi获取混合键合技术的核心专利，随后建立了自己的专利体系。在此背景下，三星最终选择通过专利授权方式达成协议，而非尝试规避专利，以降低未来潜在的法律和市场风险，并加快技术研发进度。 除了三星电子，SK海力士未来也有可能与长江存储签订类似的专利授权协议。2024年2月，SK海力士副社长金春焕在“SEMICON Korea 2024”主题演讲中曾表示，公司正在开发用于400层级NAND产品的混合键合技术，以提升经济性和量产能力。这意味着，SK海力士可能同样需要与长江存储就相关专利达成共识。 目前，三星电子是否与Xperi或台积电就混合键合技术进行了专利谈判尚未得到确认。业内人士认为，未来三星在V10、V11、V12等后续NAND产品的开发过程中，仍可能需要继续借助长江存储的专利技术。 【图片来源 网络】

在中国人工智能（AI）初创公司DeepSeek引发行业震撼之际，有调查结果显示，中国企业正在席卷生成式AI领域的知识产权市场。过去十年间，中国生成式AI专利占有率增长10倍以上，而美国、韩国和日本等国家的市场份额则在中国的攻势下出现下降。 韩国《每日经济》与全球专利分析机构LexisNexis 9日联合发布的《生成式AI领域国家及机构知识产权竞争力》报告显示，截至去年，全球生成式AI相关专利中，中国专利占比高达约74%。相比2014年的7%，中国的专利占有率在十年间增长10倍以上。 与中国的迅猛增长形成鲜明对比的是，美国的专利占比从2014年的约65%下滑至去年的约15%。韩国的市场份额同期也从6%降至4%，日本则从8%降至2%。对此有分析认为，在大语言模型（LLM）、新药研发、图像生成等各个领域的生成式AI知识产权竞争中，中国逐渐形成独占优势。 该分析使用LexisNexis的AI专利分类工具Classification和专利分析解决方案PatentSight的专利资产指数（PAI）。PAI指数综合考量企业持有的专利数量、专利引用次数、专利覆盖市场规模等多项指标，以评估专利竞争力。 报告显示，生成式AI相关专利自2018年起呈现爆发式增长，从最初的不足2000项迅速增加到去年的约4万项。LexisNexis研究员Joe Begley表示，自谷歌公布生成式预训练变换器（Generative Pre-trained Transformer，GPT）概念后，生成式AI相关专利数量开始大幅增长，几乎涵盖所有应用领域，未来全球专利布局还会持续扩展。 从细分领域来看，文本相关的生成式AI专利数量最多，其次是图像、新药研发、视频、音频等。其中，新药研发领域的专利质量较高，专利引用次数多，专利保护力度强，由此可见该行业市场需求旺盛，竞争尤为激烈。 韩国在生成式AI领域展现出与众不同的趋势。韩国持有的生成式AI专利中，图像相关专利数量最多，其次是文本、音频和新药研发等。韩国的图像生成AI专利数量较多，但专利质量低于全球平均水平。Joe Begley指出，这也可能成为韩国在该领域的弱点。 全球生成式AI的创新主要由企业推动。报告评选出15家在生成式AI知识产权竞争力方面领先的机构，其中除两家外均为企业。从国家来看，中国的上榜机构最多，包括抖音、百度、阿里巴巴、腾讯、清华大学、中国科学院等8家。美国方面，微软、Adobe、Alphabet、英伟达、IBM等6家企业入选。韩国仅有三星电子一家上榜，持有约300项生成式AI相关专利。 【图片来源 韩联社】

中国科学技术大学国盾量子技术有限公司展出的“祖冲之二号”同款超导量子计算机。【图片提供 新华社】 刚刚过去的春节期间，一家默默无名的中国科技初创企业深度求索（DeepSeek）发布的人工智能（AI）模型以性能直追OpenAI的ChatGPT同时开发费用超低在全球范围内爆火。不仅在AI领域，中国在量子领域也持续加码投资，正在对美国奋起直追。 去年12月，中国科学院直属的中国科学技术大学发布量子计算机处理器“祖冲之三号”，“祖冲之三号”使用105量子比特，与谷歌的“垂柳”（Willow）达到同一量级。性能上虽稍逊于“垂柳”，但远超谷歌上一代超导量子计算机“悬铃木”。“垂柳”与“悬铃木”分别可在5分钟和3分钟内完成超级计算机需要10^25年（10的25次方）才能完成的计算。 据韩国科学技术企划评价院（KISTEP）本月4日的消息，中国在过去5年间向量子技术领域投入约22万亿韩元（约合人民币1100亿元）的预算，达到美国同期投资的4倍，居各国之首。 美国信息技术与创新基金会（ITIF）分析称，中国在量子通讯技术上处于领先地位，但在量子计算和算法开发上远远落后于美国，政府正在执行大规模投资缩小与美国的差距。中国短期内将重点放在市场成熟度较高的量子技术上，以期在接近商业化的技术领域掌握主导权。 去年美国商务部对中国主要量子研究机构实施出口管制等措施，以阻止中国在这一领域的崛起。韩国也将今年定为量子产业化的元年，投资1980亿韩元用于量子研发，同比增长54.1%，但规模仍与中国不可同日而语。 根据全球科研特别委员会发布的《全球研发战略地图》，对韩国的论文、专利技术、专家评估等进行综合考量，韩国在主要12个国家处于最下游。 因此有意见称，韩国应集中开发能够快速应用于产业的量子芯片原材料、零部件和装备，通过填补市场空白来提高量子领域的竞争力。 科学技术信息通信部负责人称，由于量子领域十分广泛，任何一个国家无法包揽。若韩国瞄准原材料、零部件和算法开发，将有可能在全球价值链中与主要国家进行合作。 韩国量子战略委员会有望于3月正式成立，委员会由国务总理担任委员长，负责制定跨政府部门的综合规划。但目前韩国政局动荡，总统尹锡悦面临弹劾危机，外界担心成立时间或将推迟。

22日，专利专业分析公司“Harrity Patent Analytics”发布的“2025专利300”（PATENT 300）榜单显示，三星电子与LG电子在全球专利申请中占据主导地位。根据该榜单，三星电子和LG电子分别以9304项和5156项专利申请，位居前两位，展示了强大的技术创新和竞争力。 与去年相比，三星电子的专利申请数量增长了3%，而LG电子则增长了25%。这一增长反映出韩国两大科技巨头在激烈的全球竞争环境下，通过不断的创新和积极的专利布局，巩固了其在全球技术领域的领导地位。 中国台湾的台积电（TSMC）紧随其后，凭借4010项专利申请位居第三，同比增长8%。美国的高通（Qualcomm）以3489项专利位列第四，尽管相比去年有所下降（下降了10%），但依然保持了其强大的行业影响力。中国的华为（Huawei）排名第五，凭借3285项专利申请成为唯一进入前五的中国大陆企业，且专利申请量较去年大幅增长44%，显示出其在全球技术创新中的日益重要地位。 此外，全球前十名还包括苹果（3115项）、IBM（2774项）、阿尔法贝特（2689项）、佳能（2654项）和丰田（2428项）。在这份榜单中，美国企业占据了最多席位，共有5家企业进入前十。 从全球范围来看，韩国企业在专利申请中表现突出，共有10家韩国企业和机构上榜。分别是现代汽车（第17位，1836项）、SK集团（第28位，1165项）、韩国电子通信研究院（ETRI，第106位，432项）、三星电机（第111位，412项）、三星SDI（第203位，215项）、韩国科学技术院（第249位，176项）、KT&G（第281位，154项）、Mando（第293位，147项）等。 大部分企业呈现出两位数的专利申请增长幅度，其中KT&G和Mando的增长尤为突出，相比上一年分别增长了367%和110%。在国内专利申请方面，三星旗下的三星电子、三星电机、三星SDI三家公司合计申请了9931项专利，进一步巩固了三星在全球技术领域的强大竞争力。 另一份由专利分析公司“IFI Claims”发布的美国专利申请企业排名也显示，三星电子位居榜首，但LG电子则排在第六位。 【图片来源 AI生成】

韩国电池产业在全球电动车电池市场的竞争力正面临严峻挑战。由于价格竞争力逊于中国，技术开发进度落后于美国和日本，K-电池的全球市场地位进一步下降，陷入苦战。 根据市场调查机构SNE Research日前公布的数据，2024年1月至11月，韩国三大电池企业（LG新能源、SK On、三星SDI）在全球电动车电池市场（不含中国）的占有率同比下降2.7个百分点，仅为45.6%。与之形成对比的是，具有价格优势的中国电池企业如比亚迪、孚能科技、中创新航等，正在包括欧洲、巴西、泰国、以色列和澳大利亚等多个新兴市场迅速扩大供应范围。这种竞争使得韩国企业的市场份额被进一步蚕食。 即便是市场份额第一的中国宁德时代（CATL），也因竞争压力占有率下降了1.5个百分点。与此同时，美国特斯拉和日本丰田-松下合资公司PPES则分别实现了市场份额增长2.1个百分点和0.5个百分点。 韩国电池企业的业绩也受到严重冲击。LG新能源近日公布的2024年第四季度初步财报显示，销售额为6.4512万亿韩元（约合人民币324.43亿元），同比下降6.2%；营业利润则转为亏损，亏损额达2255亿韩元，远低于市场预期。这一情况主要归因于中国产低价电池的快速扩张和电动车市场需求的暂时性放缓。分析认为，SK On和三星SDI的第四季度财报表现也可能低于市场预期。 在新技术领域，K-电池同样面临巨大挑战。全固态电池作为全球电池产业的竞争焦点，被认为能够彻底解决现有电池起火风险，并提供更高性能。然而，韩国企业在该领域的开发进度明显落后于海外竞争者。 美国初创企业QuantumScape计划在今年内实现20GWh（吉瓦时）规模的全固态电池量产，可为近23.8万辆现代艾尼氪（Ioniq） 5车型供电。而韩国的三星SDI预计到2027年才能实现量产，比美国落后约两年。与此同时，日本在本国政府补贴支持下，全固态电池的研发进度也大幅加快，且拥有全球最多相关专利。 业内人士预测，今年至少将有两家企业宣布全固态电池开发成功，市场商业化时间点可能早于预期。 2024年12月18日，在中国厦门市举行的发布演示前，观众们观看来自中国宁德时代（CATL）的下一代电池换电站。【图片来源 AP/韩联社】

韩国电池制造企业正在加速培养电池技术专业人才，以应对全球电动车市场快速增长背景下，中国企业日益增强的竞争力。 据中国媒体报道，三星SDI计划自2026年起与成均馆大学合作，设立韩国首个专门培养电池专业人才的“电池工学系”。该学系每年将招收30名学生，系统教授从电池材料研发到大型部件制造的全流程知识，并为毕业生提供优先进入三星SDI工作的机会。 早在2021年，三星SDI已与首尔大学等6所理工科大学合作，为硕士和博士研究生开设电池课程，并计划未来10年内为700名学生提供奖学金和实习机会。此外，三星集团早在2006年就与成均馆大学合作设立了“半导体系统工学系”，每年培养约60名毕业生，成功构建了产学合作模式。三星SDI希望将这一模式扩展至电池产业。 不仅是三星SDI，其他韩国电池制造企业也在积极行动。SK On总裁李锡熙去年亲自前往首尔大学和高丽大学，与学生分享电池产业的广阔前景和技术潜力，鼓励年轻学子加入电池领域。而LG新能源去年5月在美国纽约举办了“电池技术会议”，吸引了包括麻省理工学院（MIT）在内的40多名硕士和博士研究生，旨在满足其美国工厂扩建对高端人才的需求。 据市场研究机构SNE Research数据，去年中国宁德时代（CATL）的电动车电池市场占有率达到36.8%，同比增长0.9个百分点。而韩国三星SDI、SK On和LG新能源的市场占有率合计下降至20.1%，同比减少3.7个百分点。同样来自中国的比亚迪市场占有率从16%上升至16.8%，继续保持强劲增长势头。 有分析指出，中国在过去10年掌握了全球60%以上的磷酸铁锂（LFP）电池相关专利，形成技术优势。相比之下，韩国企业正努力通过全固态电池等下一代技术寻求突破。 此外，韩国还面临低出生率和人口老龄化的挑战，对年轻高端人才的竞争更加激烈。日本《日经新闻》评论称，“韩国企业加强大学阶段人才培养和招募战略，将对提升其全球电池市场竞争力发挥关键作用。” 中国宁德时代工厂【图片来源 韩联社】