韩国文化体育观光部（以下简称“文体部”）于27日在首尔钟路区国立现代美术馆首尔馆召开“支持亚太经济合作组织（APEC）峰会文化领域相关机构会议”，全面检查今年10至11月将在庆尚北道庆州市举行的APEC峰会文化项目推进情况。 此次会议汇聚了文体部、外交部APEC筹备企划团、国家遗产厅、庆尚北道、庆州市、韩国观光公社、韩国内容振兴院、韩国国际文化交流振兴院等多家相关机构，旨在共同探讨如何通过文化活动提升峰会影响力。 文体部计划在APEC峰会期间，在庆州推出融合韩国传统文化与先进技术的多元文化项目。其中，新罗金冠特别展（10至11月）将在国立庆州博物馆举行，届时将首次集中展出5件新罗金冠，以纪念其发现100周年。此外，还将举办K-内容节（9至11月），通过尖端技术呈现庆州丰富的历史文化内容，并推出韩国美术工艺展（7至12月），展示韩国传统与现代工艺的魅力。 与此同时，为迎接约2万名APEC峰会参与者，文体部将运营韩国观光宣传馆及体验型宣传旅行（Fam tour）项目，为访问庆北和庆州地区的企业会议参与者提供文化观光项目支持，以吸引高附加值游客。 为提升峰会氛围，文体部还将举办一系列预热活动，包括以新罗传统文化“花郎道”为主题的演出（8至11月）、地区青年艺术家主导的传统演出（9至10月）、古墓音乐会（10月）、国际庆州历史论坛（9月）、世界遗产节（9至10月）等，充分展现庆州的文化底蕴与独特魅力。 此外，8月还将首次举办APEC峰会文化高级别对话，讨论文化领域的全球议题，并推动区域文化合作，促进共同发展。 文体部长官柳仁村表示：“我们将与各相关机构紧密合作，确保此次APEC峰会不仅成为各国领导人和代表团的交流平台，更是全球民众共同参与的文化盛会。” 1月8日，韩国文体部长官柳仁村前往2025年亚太经合组织（APEC）峰会举办地庆州，实地检查峰会筹备情况。【图片来源 韩联社】

近日，业内分析认为，三星电子在存储半导体领域的技术领先优势正在迅速缩小。中国长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）正在加快技术追赶步伐，三星曾占据主导地位的NAND闪存市场也面临竞争压力。与此同时，三星在下一代存储产品的研发进展缓慢，部分业内人士认为其研发（R&D）和产品开发战略调整已迫在眉睫。 据业界27日消息，三星电子半导体（DS）部门在下一代产品及工艺开发方面面临困难。三星在400层级NAND闪存的量产过程中，决定采用长江存储的“混合键合（Hybrid Bonding）”技术专利。混合键合是一种不使用凸点（Bump），直接连接晶圆与晶圆的先进封装工艺。在尖端DRAM领域，三星正对10nm级第六代（1c）DRAM进行重新设计，而下一代10nm级第七代（1d）DRAM的研发进展也不顺利。 三星电子决定在400层级NAND闪存生产中采用长江存储的混合键合专利，这被视为长江存储在关键技术上已经占据上风。此前，长江存储在NAND市场的影响力较小。数据显示，截至2024年第三季度，三星电子在全球NAND市场的份额为35.2%，排名第一，SK海力士以20.6%排名第二，而长江存储的市场份额则低于5%。 然而，长江存储凭借混合键合技术迎头赶上。与三星和SK海力士主要改进现有堆叠工艺不同，长江存储过去几年专注于3D NAND的混合键合技术，并成功实现商业化。长江存储将这一技术命名为“Xtacking”，随着NAND堆叠层数进入400层级，传统工艺遇到了瓶颈，混合键合技术成为突破关键。相比之下，三星和SK海力士目前的量产NAND分别为286层和321层。 除了NAND市场，三星在DRAM领域的竞争力也受到冲击。三星最近决定对最先进的1c DRAM芯片进行重新设计，这一决定可能会导致市场布局延迟。 DRAM技术每提升一代，都会进一步缩小电路尺寸，提高性能并降低功耗。目前，三星、SK海力士和美光的市场竞争主要围绕1a和1b DRAM展开，而1c DRAM的研发被视为下一个关键战场。然而，由于重新设计1c DRAM需要耗费大量时间，包括重新绘制电路图、调整生产所需的光罩（Mask）等，市场竞争格局可能受到影响。美光公司已于本月25日（当地时间）宣布向客户提供1c DRAM样品，这意味着其在技术推进上已经领先于三星。 如果1c DRAM开发受阻，三星的第六代高带宽存储（HBM4）业务也将受到严重影响。三星在第五代HBM（HBM3E）市场中已被SK海力士超越，导致在AI半导体时代落后。为了扭转局势，三星计划在HBM4产品中采用1c DRAM技术，而SK海力士则计划在其HBM产品中采用1b DRAM。 此外，三星下一代1d DRAM的研发进展也不及预期。业内人士透露：“三星最初计划将1d DRAM的电路线宽缩小到10.3至10.4nm，但目前的技术条件下难以实现这一目标。” 随着中国存储芯片厂商的快速崛起，三星电子在NAND和DRAM领域都面临着巨大的挑战。未来，三星是否能够通过战略调整，重新夺回技术优势，仍需拭目以待。 【图片来源 韩联社】

【图片来源 韩联社】 一项调查显示，中国台湾半导体代工巨头台积电（TSMC）的2纳米工艺芯片已达到批量生产的成熟阶段，这一突破性进展预示着整个半导体产业链即将迎来深刻变革‌。 据业界26日消息，台积电在2纳米工艺芯片的生产上取得了显著成就，良率达60%。不仅彰显了台积电在高端芯片制造领域的卓越实力，更为其从今年年末启动批量生产奠定了坚实基础。良率作为衡量芯片生产质量的关键指标，直接影响芯片的成本控制与供应稳定性。反之，三星电子仍处于克服良率不佳问题，虽然整体工程速度较台积电缓慢，但趋于向好态势。 台积电相关负责人表示，公司当前良率已超出市场预期，2纳米工艺芯片的合计产能预计将达到月产量5万片，若能顺利过渡到第二阶段，台积电有望在2025年末提前实现月产量8万片的目标，这一时间点较原先预计的2026年大幅提前。而公司的长远目标是实现月产量超过10万片，以持续为客户提供最先进的芯片制造服务。 从技术层面来看，2纳米工艺相较于3纳米工艺实现了显著提升。在相同功耗下，2纳米工艺芯片的速度可提高10至15%；而在相同速度下，其功耗则可降低25至30%。这一技术上的飞跃使得台积电在高端芯片制造领域保持独占鳌头的地位。 同时，三星电子也计划于今年年末批量生产2纳米工艺芯片，但其生产良率目前仅为20至30%，远低于台积电。尽管如此，三星电子在2纳米工艺初期的良率相较于3纳米初期已有了显著改善，且正全力以赴以提高良率。三星电子半导体（DS）部门代工事业部长韩振万（音）强调：“为了大幅提升工艺良品率并优化耗电量、性能、面积（PPA），必须仔细探寻所有可能的优化条件。”这一努力已初见成效，近期三星电子4纳米工艺良率已从去年的70%大幅提升至80%。 业界正密切关注三星电子能否在2纳米工艺上采用全新的GAA（Gate-All-Around）晶体管架构。这一技术不同于传统的FinFET架构，这种技术能够在性能和功耗上实现显著提升。尽管此前三星电子在3纳米工艺上尝试使用GAA技术，但由于结构复杂性较大，投入巨额资金后良率仍不尽如人意。而台积电首次将GAA应用于2纳米工艺，并取得了超出预期的良率表现。若三星电子在今年内未能有效改善其2纳米工艺的良品率，预计将在客户争夺中处于不利地位。

据SK海力士25日消息，京畿道龙仁半导体集群内的SK海力士一期晶圆厂前日正式破土动工。公司原计划下月开工，但龙仁市加快审批流程，在本月21日批准建设，开工时间得以提前。 龙仁市自去年4月与SK海力士签署推动生产线提前动工及促进地方建筑产业发展的合作协议后，成立建筑许可专项小组（TF），加快审批进程。 龙仁半导体集群位于京畿道龙仁市处仁区远三面一带，占地面积415万平方米（约126万坪），包括SK海力士晶圆厂（约60万坪）、材料零部件设备企业合作园区（14万坪）和基础设施用地（12万坪），旨在打造一个完整的半导体产业园区。 SK海力士计划在龙仁集群内分阶段建设四座晶圆厂，一期工厂预计2027年5月竣工。该工厂建成后即将成为高带宽存储器（HBM）等新一代DRAM存储芯片生产基地，以满足日益增长的人工智能（AI）存储芯片需求，并奠定公司中长期增长基础。 SK海力士方面表示，计划与集群内的50余家半导体材料、零部件及设备企业携手，提升韩国半导体生态系统的竞争力。同时，公司计划在一期工厂内部建设“迷你晶圆厂”，以支持韩国半导体材料和设备中小企业的技术研发、验证和评估。该迷你晶圆厂计划配备300mm晶圆工艺设备，为合作伙伴提供接近实际生产环境的测试平台，以提升技术成熟度。 SK集团会长崔泰源2023年9月视察龙仁集群建设现场时表示：“龙仁集群是SK海力士历史上最具计划性和战略性的项目，需要超越以往的挑战精神。” SK海力士去年7月通过董事会决议，决定投资约9.4万亿韩元（约合人民币477亿元）建设龙仁半导体集群一期晶圆厂及相关办公设施。近期，公司还启动基础设施建设相关的经验丰富人才招聘，包括设备、电力、机械、管道、项目管理及安全管理等多个岗位。 除了龙仁工厂以外，SK海力士还在继续扩大生产能力。为满足不断增长的HBM需求，公司计划今年年底在清州建成HBM生产基地M15X，并进一步提升产能。 龙仁半导体集群假想图【图片来源 龙仁市政府】

据ZDNet Korea报道，三星电子已与中国长江存储（YMTC）就3D NAND芯片的“混合键合（Hybrid Bonding）”技术达成专利许可协议。业内人士认为，此举有助于三星突破下一代NAND研发的核心技术难题，但也可能在未来市场竞争中面临技术依赖和主导权挑战。 三星计划在最快今年下半年量产下一代V10 NAND，该产品预计堆叠层数将达到420至430层。随着NAND Flash技术的发展，存储单元（Cell）需要垂直堆叠得更高，以提升存储密度。然而，当堆叠高度超过400层后，底层外围电路（Peripheral）所承受的压力会显著增加，从而影响芯片的可靠性。 为了解决这一问题，三星决定在V10 NAND中引入W2W（Wafer-to-Wafer，晶圆到晶圆）混合键合技术。这一封装工艺可以直接将两片晶圆贴合，而无需使用传统凸点（Bump）连接，从而缩短电气路径，提高性能与散热能力，同时优化生产效率。 事实上，混合键合技术早已被长江存储率先应用于3D NAND制造，并命名为“Xtacking”。该公司自四年前起便在这一领域建立了完善的专利布局。业内人士指出，目前掌握3D NAND混合键合关键专利的主要有三家公司：美国Xperi、中国长江存储以及中国台湾台积电。因此，三星几乎不可能绕开长江存储的相关专利。 值得注意的是，长江存储在早期业务发展阶段，曾通过专利许可方式从美国Xperi获取混合键合技术的核心专利，随后建立了自己的专利体系。在此背景下，三星最终选择通过专利授权方式达成协议，而非尝试规避专利，以降低未来潜在的法律和市场风险，并加快技术研发进度。 除了三星电子，SK海力士未来也有可能与长江存储签订类似的专利授权协议。2024年2月，SK海力士副社长金春焕在“SEMICON Korea 2024”主题演讲中曾表示，公司正在开发用于400层级NAND产品的混合键合技术，以提升经济性和量产能力。这意味着，SK海力士可能同样需要与长江存储就相关专利达成共识。 目前，三星电子是否与Xperi或台积电就混合键合技术进行了专利谈判尚未得到确认。业内人士认为，未来三星在V10、V11、V12等后续NAND产品的开发过程中，仍可能需要继续借助长江存储的专利技术。 【图片来源 网络】

三星集团面临的市场环境愈发严峻。18日下午发布的《股东大会目的事项记载事项》显示，电视、智能手机、DRAM、智能手机面板、汽车数字座舱等五大核心业务的市场占有率均呈下降趋势。 三星电视自2006年以来，已连续19年稳居全球市场第一。然而，2023年的市场占有率为30.1%，预计2024年降至28.3%。主要原因在于TCL等中国厂商推出大量低价电视产品，导致市场竞争加剧。 智能手机业务同样受到挑战。三星电子2022年全球市场份额为21.7%，但2024年下滑至18.6%（推测值）。尽管三星不断推出高端智能手机，但华为、小米、OPPO等中国厂商也相继进入折叠屏市场，对三星的领先地位构成威胁。三星方面表示，受AI智能手机需求增长带动，预计全球智能手机销量将从2024年的12.1亿部小幅增至2025年的12.3亿部。 半导体业务也面临挑战。DRAM市场份额自2022年的43.1%下降至2023年的42.2%，预测2024年继续降至41.3%。三星电子分析认为，主要竞争对手的追赶步伐加快，市场竞争日趋激烈。公司预计，存储市场方面，移动端和PC端的库存调整可能持续至2024年第一季度，而服务器市场的需求则受GPU供应情况影响，可能出现波动。 此外，三星智能手机面板的市场份额从2023年的50.1%降至2024年的41.3%。中国面板制造商京东方（BOE）向OPPO、Vivo等品牌供应面板，对三星市场份额造成冲击。 汽车数字座舱市场份额亦从2023年的16.5%下降至2024年的12.4%。主要原因在于全球汽车制造商加速供应链多元化，导致竞争格局发生变化。三星在该领域的主要对手包括LG电子、大陆集团（Continental）和松下（Panasonic）等。 面对市场份额下滑的压力，三星正加快布局高端市场，以维持竞争优势。 在半导体领域，公司决定减少通用型产品的供应，并加大对高价值产品的投入，例如高带宽存储（HBM）和DDR5等。与此同时，三星电子计划于今年下半年量产首批2nm工艺芯片。目前，该公司已开发出基于2nm工艺的Exynos芯片，并完成样品制作。2nm制程采用最新的“环绕栅极”（GAA）晶体管技术，以提升芯片性能和能效。 在电视业务方面，三星将聚焦98英寸Neo QLED 8K、OLED及高端生活方式电视，强化其在高端市场的竞争力。同时，在面板领域，三星计划拓展产品线，从智能手机面板延伸至IT设备、汽车和游戏显示器等新兴市场。 不过，三星内部普遍认为，在快速变化的半导体、显示面板和汽车电子行业，仅依靠价格和品质已难以维持竞争力。因此，公司管理层需要具备更强的战略决策能力，并加强组织管理，以应对当前挑战。 三星电子会长李在镕在2022年上任时曾在公司内部网发表题为《挑战未来》的就职演讲。他表示，未来的“三星精神”应是“将梦想和想象变成现实的企业”、“不断开创新世界的企业”，以及“以独有技术让人类社会更加富裕的企业”。李在镕强调：“在困难和挑战面前，我们更要提前布局、提升实力，当前正是需要更加果敢地迎难而上的时刻。” 图为三星江南“Galaxy Studio”以地铁为概念的数字立面全景。【图片来源 韩联社】

三星电子在中国全力"招兵买马"。其海外唯一的测试封装基地——苏州工厂（SESS）正扩大人才网络，分析认为此举旨在强化重要性日益凸显的半导体封装能力。 据江苏省张家港最大招聘网站“张家港人才网”18日消息，三星电子苏州工厂近日发布了社会招聘公告。招聘岗位涵盖工程师等技术类职位到行政类职位共11个职种。 技术类岗位包括：产品工程师、半导体创新工程师、软件工程师、C#软件工程师、设备技术员、操作员（生产岗位）、生产自动化工程师、消防设备技术员等。行政类岗位有人事专员、生产企划（资源运营）专员、HR数据分析师等。 三星对各岗位提出了相应的经验和背景要求。除负责苏州工厂消防安保与设备维护的消防技术员外，其他岗位均将具备一定水平的英语或韩语能力列为主要条件。特别是C#软件工程师等技术岗位，在招聘时将优先考虑精通韩语者。 分析认为，三星苏州工厂此次大规模招聘是为设备扩建做准备。据悉，三星去年第三季度前后曾签署协议，为扩建苏州工厂而进行约200亿韩元（约合人民币1亿元）规模的半导体设备买卖交易。 近期，随着超微细工艺半导体时代的开启和人工智能（AI）芯片需求激增，先进封装领域迎来爆发式增长。工艺越微细化，电路间干涉等物理问题就越突出，而封装技术正是实现精密芯片连接和运行的关键。AI芯片由于需要将存储器和系统半导体整合为单一芯片，复杂封装技术更显重要。 三星在韩国本土的封装投资也在加码。去年11月，公司宣布将从三星显示租借的28万平方米天安半导体工厂扩建HBM用封装产线，计划到2027年12月新增3条产线，扩大HBM用先进封装产能。 苏州工厂是三星存储器和系统半导体的封装测试基地。1994年，三星在苏州工业园区内建成占地3万坪（约9.9万平方米）的工厂。2006年举行苏州半导体第二园区奠基仪式后，次年即投入运营，持续扩建至今。 【图片来源 张家港人才网】

三星电子晶圆代工（半导体委托生产）业务部近日解除对生产设备的“停机”状态，并计划最快于今年6月起，将位于平泽园区（P）的晶圆代工生产线运行率提升至最高水平。业内人士透露，此次恢复运行得益于三星电子系统LSI业务部智能手机应用处理器（AP）Exynos相关订单的增加以及中国地区加密货币矿机订单的扩展，从而带动整体产能恢复。 据相关业界13日消息，受去年订单低迷影响，三星电子晶圆代工业务部曾为节约成本而实施“停机”措施，导致平泽园区P2、P3工厂约50%的4纳米、5纳米及7纳米晶圆代工设备暂停运行。近日，该业务部已逐步解除部分生产线的停机状态，使停机期间中断运行的多数设备恢复投入生产。与此同时，随着第六代高带宽存储器（HBM4）核心——“逻辑芯片”生产订单的增加，也对整体运行率的提升起到了积极作用。 一位熟悉三星内部情况的消息人士表示：“此前处于停机状态的所有设备均已全面重新启动，全面投入产品生产的‘全能力’模式将于今年6月开始全面实施。” 不过，业内也指出，美国对中国实施的制裁可能成为三星晶圆代工运行率恢复的一大隐忧。目前，该业务部在3纳米及以下先进工艺的大客户订单遇冷的情况下，其销售额仍较大程度依赖于中国企业，其中4纳米工艺的主要客户之一便是百度。三星电子近期已对百度部分产品的生产实行了暂缓措施。业内人士认为，此举与去年百度为应对美国出口管制收紧而预先采购三星HBM产品有关。另一位半导体业内人士补充道：“三星此前曾在4纳米生产线上短暂中止了百度产品的生产，虽然尚未正式停止向中国企业出货，但自特朗普政府上台以来，相关影响仍在密切观察中。” 三星电子半导体工厂平泽二号线【图片来源 三星电子】

据半导体业界11日消息，三星电子正在升级中国西安工厂工艺至286层（V9）NAND闪存，以应对市场低迷和来自中国半导体公司的竞争。 自2023年以来，三星一直在推动西安工厂的主流128层（V6）NAND工艺过渡至236层（V8）生产线，并决定进一步安装V9生产线。三星计划在今年上半年引进新设备，并在下半年建立一条每月产能为2000至5000片晶圆的生产线。 西安工厂是三星唯一的海外存储芯片生产基地，对全球供应链至关重要，约占三星NAND总产量的40%。升级至286层NAND工艺预计能显著提高该工厂的生产能力。美国拜登政府授予三星“经过验证的最终用户（VEU）”许可，三星得以能够在中国生产超过200层的NAND，继续使用先进的制造工艺。 与此同时，三星还在韩国国内扩展先进NAND工艺，并自2024年下半年起把400层（V10）NAND应用于平泽P1工厂量产线。三星电子表示，计划加速向236层和286层NAND的过渡，以确保长期的产品竞争力。 尽管取得上述进步，但三星预计今年第一季度每月产能为42万个NAND单元，较上一季度减少25%。这一减少反映出当前移动和PC市场需求低迷，受到价格上涨和利率上涨等经济因素的影响。然而，人工智能（AI）数据中心等行业的需求不断增长，促使三星等半导体公司更专注于高性能、高容量的NAND生产。 三星电子西安工厂全景【图片来源 三星电子】

现代汽车正试图借助高端品牌捷尼赛思（Genesis）电动车，在竞争激烈的中国市场发起新的攻势。 据汽车行业日前消息，捷尼赛思计划于今年第一、二季度在中国市场推出GV70纯电车型和GV60，以此进军全球最大电动车市场，谋求在华业务复兴。数据显示，2024年中国市场共售出电动车约1200万辆，占全球市场的60%。相比之下，现代汽车去年在中国的总销量仅16万辆左右，市场占有率微乎其微。因此，业内普遍认为，如果现代汽车无法在中国市场站稳脚跟，其在全球范围内突破电动车“鸿沟期”（Chasm，即短期需求停滞）将极为困难。 以特斯拉（Tesla）为例，其全球销量的36.7%来自中国。去年，特斯拉在中国的电动车销量达65.7万辆，创下历史新高，同比增长8.8%。尽管特斯拉去年全球销量略有下滑，达到179.9万辆，但得益于中国市场的增长，其营收仍同比增长16.7%。此外，特斯拉正加速扩张中国业务，其上海50GWh（吉瓦时）储能“超级工厂”预计今年投产，业界预测特斯拉今年在中国的销售额可能实现翻倍增长。 相较之下，捷尼赛思在中国的市场份额几乎为零。自2021年进入中国市场以来，捷尼赛思的销量始终未见起色。现代汽车整体在华销量也从2014年的100万辆暴跌至去年的16万辆，面临严峻挑战。此次即将登陆中国市场的GV70纯电车型虽为捷尼赛思的核心电动车产品，但其2024年海外销量仅1008辆。此外，GV60的全球销量也从2022年的6947辆降至2023年的3696辆，几乎腰斩。 尽管如此，捷尼赛思依然对两款电动车寄予厚望，认为其产品竞争力足以应对市场挑战。全新改款的GV70纯电车型搭载第四代电池，在韩国市场的单次充电续航可达423公里，技术水准不容小觑。但挑战依然严峻。中国本土品牌如比亚迪（BYD）通过生产工艺优化，不断提高成本竞争力，同时积极向高端市场扩张。业内人士指出，除特斯拉外，其他外资品牌在中国市场竞争日趋艰难，捷尼赛思能否在中国站稳脚跟仍有待观察。 捷尼赛思GV70纯电车型【图片来源 捷尼赛思中国】