SK海力士已正式启动下一代AI超高性能DRAM 'HBM4E'样品的供应。这距离三星电子上月首次出货样品仅一个月时间。由此，两家公司在HBM4E市场的竞争愈发激烈，AI内存的主导权争夺进入了实质性的“第二轮”阶段。SK海力士于18日宣布，向主要客户供应7代高带宽内存（HBM4）12层样品。这款产品是目前量产中的6代HBM（HBM4）的后续型号，旨在最大化AI学习和推理所需的数据处理性能。原本预计在今年下半年供应，但由于自主开发进展顺利，供应时间大幅提前。此次新产品在性能和能效上较前一代有了显著提升。其每引脚最大数据处理速度达到16Gbps（每秒千兆位），并通过电源设计优化，使能效提高超过20%。特别是采用了独特的“先进MR-MUF”工艺，确保了结构的稳定性。在12层堆叠的基础上实现了48GB的高容量，同时将热阻降低了约17%。这使得在AI计算环境中产生的热量得以更有效地控制。SK海力士表示：“我们基于长期积累的HBM前期开发能力和生产经验，与核心客户紧密合作，确保及时量产，主动实现市场所需的价值。”与此同时，三星电子的势头也十分强劲。去年5月底，三星电子向全球客户供应了世界首款HBM4E 12层样品，展示了其超越竞争对手的技术优势。这一举措是在今年2月宣布HBM4产品全球首次量产出货后，仅三个月内便推出下一代产品的大胆行动。三星的HBM4E同时应用了自验证的10纳米级6代（1c）DRAM和4纳米代工工艺，确保了生产效率和工艺稳定性。通过低功耗设计，能效提高了16%，热阻特性也提升了14%以上。尤其是“单站交钥匙”战略产生了强大的协同效应，旨在在大科技供应链中占据有利地位。在一个月内，两家公司相继完成样品供应，业界普遍认为，争夺下一代AI供应链的激烈“第二轮”竞争已然开启。在HBM4和HBM4E的订单竞争重新点燃的背景下，产品特性决定了通过客户严格验证和最终批准的公司将占据市场优势。韩国半导体产业协会常务理事安基贤表示：“两家公司都在比预期更快地推进下一代产品的开发和验证。全球大科技客户的最终质量测试通过时机及实际量产转型速度，将成为未来AI内存市场主导权的分水岭。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

大荣制药通过定量研究明确了其2型糖尿病治疗药物“恩布洛（成分名：伊那博格列净）”在体内的药物作用与降糖效果之间的关联，从而增强了全球市场扩展的依据。 大荣制药于6月8日宣布，在6月2日至4日举行的2026年欧洲PAGE大会上，展示了恩布洛的药物暴露与降糖效果之间相关性的研究结果。 恩布洛是一种SGLT-2抑制剂，能够抑制肾脏对葡萄糖的再吸收，从而通过尿液排出。 此次研究综合分析了10项针对韩国患者的临床试验数据，共涉及224名患者，以及151名中国2型糖尿病患者的三期临床数据。研究分析了恩布洛给药后尿液中葡萄糖排泄增加与糖化血红蛋白（HbA1c）减少之间的定量关系，特点在于将药物吸收与血糖指标变化整合为一个模型进行评估。 分析结果显示，恩布洛给药后，尿液中葡萄糖排泄的增加与糖化血红蛋白的减少之间存在显著的相关性。特别是在肾功能受损的患者中，降糖效果也得以稳定维持。 此外，韩国患者与中国患者之间的药代动力学差异并未显著，因此确认了相同剂量给药的可能性。大荣制药计划将此次研究结果作为全球注册及适应症扩展等后续临床开发策略的依据。 大荣制药正在积极推动恩布洛在全球市场的扩展。5月份，该公司在中南美洲12个国家的注册申请中，获得了包括墨西哥在内的7个国家的批准。 大荣制药中心主任罗在珍表示：“在中国患者中也确认了一致的药代动力学特性，这进一步增强了我们进入全球市场的科学依据。我们将坚定提升国产糖尿病新药恩布洛的竞争力。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子在展示下一代高带宽内存(HBM)技术HBM5时，明确表达了在AI内存市场的领先意图。 6月2日，三星电子在台湾Computex 2026展会上首次公开了HBM5样机及下一代热管理技术。三星电子DS部门首席技术官(CTO)宋在赫强调，涵盖内存、代工、逻辑和封装的整体解决方案竞争力正在成为AI时代的核心竞争要素。 三星电子提出的HBM5技术方向的核心是热管理。三星电子介绍了应用HPB(热路径块)技术的产品结构，以减少高性能AI内存中产生的热量问题。HPB是一种旨在有效分散和释放物理层(Physical Layer)区域产生的热量的技术。 宋在赫表示，三星电子的HBM5通过增加独立的热传导路径来降低热阻，提高了操作稳定性，这是其优势所在。三星电子已完成HBM4E产品中HPB技术的实现与验证，并确认了结构设计、可靠性和封装稳定性。 三星电子还计划在HBM5中优先应用2纳米基础芯片，结合内存、代工和封装能力，以提升下一代HBM市场的技术竞争力。 此次展会上还公开了HBM4E晶圆和芯片组。三星电子的HBM4E结合了最先进的1c DRAM核心芯片和自家代工的4纳米工艺基础芯片。该产品于上月29日首次完成样品出货，稳定工作在每引脚14Gbps，并可实现最高16Gbps，最大带宽达到4TB/s。 三星电子还强调了支持英伟达下一代AI平台“贝拉·鲁宾”的内存和存储组合。在展区中展示了搭载三星电子产品的贝拉·鲁宾系统。三星电子表示，已具备HBM4、SOCAMM2、PM1763等相关产品系列。 市场调研机构Omdia预计，HBM市场规模将在2026年达到约589亿美元，到2029年将扩大至约1983亿美元，增长超过三倍。 宋在赫表示：“我们计划基于与包括英伟达在内的全球企业的合作，持续增强下一代内存技术的竞争力。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子将于明年正式启用其在美国德克萨斯州的泰勒工厂，这一工厂是其晶圆代工（半导体代工生产）业务的核心基地。最近，三星电子会长李在镕亲自出面积极拓展海外客户，市场对其非存储业务的业绩改善充满期待。根据业内消息，三星电子在5月28日（当地时间）于美国举行的“SAFE论坛2026”上正式宣布，泰勒工厂将于明年开始生产。预计将在7月1日于国内举行的SAFE论坛上公布更多关于先进工艺的详细信息。泰勒工厂于2022年开工建设，是三星电子在美国投资计划中总额达170亿美元（约合25.5万亿韩元）的核心项目。工厂完工后，预计将具备与台湾TSMC竞争的晶圆代工能力。目前，特斯拉已预定了165亿美元（约合22万亿韩元）的下一代AI和自动驾驶芯片AI6的生产量。最近，苹果的核心管理层也亲自访问了泰勒工厂，讨论建立芯片合作伙伴关系。三星电子还在致力于提升高性能人工智能（AI）芯片的晶圆代工工艺。例如，半导体设计软件公司Synopsys与三星晶圆代工合作，全面引入AI技术于半导体的整个生产过程。为了支持高性能AI芯片所需的多芯片结构，三星对第三代2纳米工艺和下一代三维半导体（3D IC）平台进行了升级。通过将复杂的电路设计从手动转变为AI自动化系统，显著降低了先进工艺的开发成本和设计错误。这种晶圆代工技术的提升也将增强下一代高带宽内存（HBM）的竞争力。三星电子已向全球客户供应了全球首个7代高带宽内存（HBM）“HBM4E”的12层样品。三星的内存与晶圆代工部门之间的合作被认为加快了开发速度。HBM4E同时应用了在前一代HBM4中验证的1c（10纳米级6代）DRAM和4纳米晶圆代工工艺。随着先进封装和3D堆叠技术的重要性日益增加，三星的晶圆代工能力与下一代HBM技术的竞争力密切相关。过去，晶圆代工及非存储业务一直是三星电子最大的困扰。晶圆代工和系统LSI部门去年估计录得约6.8万亿韩元的营业亏损。今年第一季度，虽然以存储为主的半导体营业利润创下历史最高水平，约为53万亿韩元，但非存储部门却出现了数千亿韩元的亏损。然而，明年晶圆代工业务有望实现盈利转变。随着特斯拉、高通、苹果等大型客户的订单增加，以及像Anthropic这样的AI初创企业的新需求，市场前景乐观。全球晶圆代工市场的龙头企业TSMC的先进工厂几乎处于满负荷运转，导致供应短缺。越来越多的客户开始寻求三星电子作为替代供应商。李在镕会长也亲自关注晶圆代工业务。最近，他在完成劳资薪酬谈判后，立即前往台湾出差。与台湾半导体设计公司联发科技的管理层会面，探讨晶圆代工合作方案。联发科技目前将半导体生产委托给TSMC，三星电子则凭借其内存、HBM等稳定的供应和价格竞争力，积极争取新的晶圆代工客户。韩国证券公司Kiwoom的研究员朴裕岳表示：“预计三星电子的非存储业务营业利润将从今年的3.6万亿韩元亏损，到2027年转为盈利18000亿韩元，显著改善。”KB证券研究中心主任金东源也表示：“预计今年三星晶圆代工的订单将比去年增长超过100%，晶圆代工的业绩有望从去年的约7万亿韩元亏损转为明年盈利的可见范围。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子在下一代高带宽内存（HBM）市场中加强了技术主导权。继去年中旬获得1c D램（D1c）量产批准，为HBM4竞争奠定基础后，三星电子又实现了HBM4（第五代）量产出货，并率先向全球客户供应HBM4E（第六代）12层样品，进一步扩大了在AI内存市场的地位。 29日，业界消息称，三星电子当天向全球客户出货了HBM4E 12层样品。自HBM4量产出货以来，仅过数月便开始供应后续产品样品，业界普遍认为三星电子在HBM4时代开始扭转了在HBM3E竞争中的劣势。 此次HBM4E的核心在于1c D램与4纳米逻辑芯片的组合。三星电子将10纳米级的第六代D램工艺1c D램应用于HBM4，提升了良率和性能稳定性，并将相同基础延续至HBM4E。由于HBM不仅依赖于D램堆叠技术，还受到单个D램芯片的微细工艺竞争力的影响，因此1c D램的获取成为HBM4后产品竞争力的起点。 早在去年6月30日，本媒体独家报道三星电子完成1c D램量产批准，正式启动HBM4竞争。当时业界认为，1c D램的开发不仅是简单的通用D램工艺转换，更是HBM4用芯片生产的关键变量。实际上，三星电子随后成功实现了HBM4量产出货，并此次向客户供应HBM4E样品，提前推进了技术路线图。 HBM4E 12层产品实现了48GB的容量，稳定运行速度为每引脚14Gbps，最高速度可支持16Gbps。单个堆叠的带宽达到每秒3.6TB。三星电子表示，通过设计和工艺优化，相比前作能效提高了16%，热阻特性也提升了14%以上。 然而，样品出货并不意味着立即进入量产。HBM需要经过客户认证和封装单元验证，才能真正转化为实际供应量。特别是用于AI加速器的HBM，不仅要评估性能，还需考虑长期运行稳定性、发热管理、能效及封装完整性等因素。 业界认为，三星电子在HBM4量产过程中获得的1c D램良率管理和4纳米基础芯片联动经验，将对HBM4E的量产转化产生积极影响。由于HBM4和HBM4E均基于1c D램和4纳米逻辑芯片，因此之前的工艺稳定化和封装经验可以延续到后续产品。 三星电子正在将HBM4量产过程中获得的1c D램良率管理和4纳米基础芯片联动经验应用于HBM4E客户验证阶段，内部也在将样品供应后的量产转化进度与客户的路线图相匹配。 三星电子计划以HBM4E 12层为起点，逐步扩展至32GB 8层和64GB 16层产品。随着AI服务器和加速器市场对内存带宽和容量需求的快速增长，HBM4E有望成为下一代AI基础设施的核心产品。 三星电子的优势在于其同时拥有内存、代工、系统LSI和先进封装的业务结构。HBM4后续产品的竞争力不仅仅依赖于D램自身性能，基础芯片、封装及客户定制设计的响应能力也变得愈发重要。 业界普遍认为，三星电子在HBM3E中相对滞后的形象在HBM4时代得到了显著改善。尤其是1c D램的早期稳定化直接促成了HBM4量产和HBM4E样品出货，这次出货不仅是产品发布，更意味着三星电子的下一代HBM战略已实际进入供应阶段。 三星电子内存事业部开发负责人黄相俊表示：“在HBM4量产成功的基础上，顺利完成下一代HBM4E样品供应，充分彰显了三星电子的独特技术领导力。未来，我们将继续以压倒性的技术优势和前瞻性的生产基础设施投资，强力引领全球AI内存市场的增长。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子已向全球客户供应了下一代AI加速器用内存HBM4E 12层样品。在HBM4量产出货之后，三星电子提前推出6代HBM4E样品，表明其希望从HBM3E时代的落后局面中扭转局势。 根据29日的行业消息，三星电子全球首发HBM4E 12层样品出货。HBM4E是HBM4的后续产品，是影响AI半导体运算性能和电力效率的关键内存。随着大规模语言模型和推理型AI服务的普及，对高性能HBM的需求迅速增长，客户争夺战也愈发激烈。 该产品采用了1c DRAM和4纳米逻辑芯片。三星电子表示，通过这一组合实现了工艺的稳定性和量产性。每引脚的工作速度为14Gbps，最高可实现16Gbps。单个堆叠的带宽为每秒3.6TB。 在12层的情况下，容量为48GB。三星电子计划根据客户需求扩展产品线，包括32GB 8层和64GB 16层产品。随着AI加速器厂商扩大模型规模和运算量，HBM不仅是简单的部件，更成为影响系统性能的瓶颈技术。 市场调研机构TrendForce在今年初分析称，三星电子在HBM4验证阶段通过工艺改进在稳定性方面处于领先地位，随着AI需求的扩大，主要客户有可能同时利用三星电子、SK海力士和美光的供应链。 三星电子强调的差异化优势在于将内存、代工、系统LSI和先进封装整合为一体的交钥匙能力。HBM4E采用了1c DRAM和自家4纳米逻辑芯片。由于HBM不仅依赖内存单元性能，还需基底芯片和封装质量的配合，因此三星电子将综合半导体企业结构作为其优势。 电力效率和散热改善也是主要关注点。三星电子表示，HBM4E 12层产品的能效较前作提高了16%，热阻特性也提升了14%以上。由于在AI数据中心中，电力成本和散热管理成为核心负担，因此高速运作和电力效率在客户评估中变得至关重要。 三星电子在今年2月全球首发HBM4量产出货后，正在扩大供应。由于HBM4和HBM4E均基于1c DRAM和4纳米基底芯片的组合，业界普遍看好HBM4E的量产转型可能性。 关键在于客户认证和实际出货量。HBM市场的表现受大型AI半导体客户的采用情况影响大于技术发布。随着三星电子在HBM4量产出货后加快HBM4E样品供应，HBM4时代的竞争格局可能会发生变化。 黄相俊，三星电子内存事业部开发负责人表示：“在HBM4量产成功的基础上，顺利完成下一代HBM4E样品的供应，彰显了三星电子的技术领导力。我们将基于压倒性的技术优势和前瞻性的生产基础设施投资，引领全球AI内存市场的增长。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子已向全球客户供应下一代高带宽内存（HBM）HBM4E 12层样品。这是继今年2月HBM4量产出货后，三星再次提前供应HBM4E，进一步巩固其在AI内存市场的技术主导地位。 据业内消息，三星电子全球首发HBM4E 12层样品。该产品采用1c DRAM和4纳米逻辑芯片，能够以每引脚14Gbps的速度稳定运行，最高可实现16Gbps。单个堆叠的带宽达到每秒3.6TB。 三星电子表示，HBM4E 12层产品在能效方面比前作提高了16%，热阻特性也改善了14%以上。该产品容量为48GB，未来计划扩展至32GB 8层和64GB 16层产品线。 市场调研机构TrendForce曾评估三星电子在HBM4验证中领先，基于工艺稳定性的改善，此次HBM4E样品的出货被解读为三星电子在HBM4世代中恢复主导地位的信号。尤其是在提高良率的同时，三星在速度竞争中也处于领先地位，与核心客户的信任关系不断加深。

SK海力士预计，随着人工智能（AI）需求的扩大，内存市场将继续保持强劲。公司计划在下一代高带宽内存（HBM）4E中应用1c纳米工艺，计划在2027年实现量产，以加强技术领导地位。4月23日，SK海力士在2026年第一季度业绩发布会上宣布，录得销售额12.4296万亿韩元，营业利润5.2886万亿韩元。公司表示，尽管PC和移动设备的需求因价格上涨有所放缓，但服务器内存需求强劲，推动整体市场发展。公司强调，AI的普及使高性能内存需求迅速增加，客户更注重获取数量而非价格。公司预计第二季度出货量将继续增长。SK海力士表示，受大容量服务器模块和移动需求推动，DRAM出货量预计将比上一季度增长个位数后半段，而NAND出货量预计将因321层产品和企业级SSD的扩展而增长10%中段。HBM业务的竞争力再次得到强调。SK海力士指出，HBM不仅在性能上，而且在良品率和供应稳定性上都具有综合竞争力。公司正在根据客户的量产时间表进行供应准备，未来三年需求将大大超过当前产能。尽管如此，公司将保持HBM和普通DRAM之间的平衡供应策略。关于供需结构，公司预计供应短缺将长期化。SK海力士表示，现货价格波动不能代表整个市场，HBM和服务器DRAM、eSSD的需求在增加，而供应扩张有限。这种不平衡可能导致内存价格上涨周期比过去更长。AI技术的变化也是需求扩大的因素。公司表示，内存效率技术正在向最大化单位内存信息处理量的方向发展，这将形成AI服务市场扩大和内存需求增加的良性循环。公司同时提出了投资和供应战略。SK海力士表示，供应过剩的担忧不大，将按计划围绕龙仁集群进行中长期产能投资。公司还指出，长期供应合同（LTA）可以提高需求可见性，但目前的供应限制使得难以满足所有客户请求。财务战略和股东回馈政策也在同步进行。公司表示，确保超过100万亿韩元的净现金财务健康和扩大股息是可以同时实现的目标，并计划在年内制定包括回购和注销股份在内的额外股东回馈方案。此外，公司还在推进进入美国资本市场。SK海力士表示，已提交ADR上市的注册申请，目标是在年内上市，具体时间和方式将根据市场情况决定。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士宣布将在下一代高带宽存储器HBM4E中应用1c纳米工艺，以增强性能竞争力。公司在23日的第一季度财报发布后的电话会议中表示：“HBM4E正在与客户密切合作开发，计划在下半年提供样品，并在2027年实现量产。”公司还表示，将在核心芯片上应用1c纳米工艺以满足客户性能需求。SK海力士强调了该工艺的成熟度。公司指出：“1c纳米工艺自2025年底开始量产，已在市场上证明了其性能，且产量和量产能力已达到稳定水平。”公司补充道：“通过进一步的技术内化和客户验证，将确保及时开发、稳定量产和高质量，以保持技术领先地位。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

在全球人工智能（AI）产业快速发展的态势下，韩国半导体巨头SK海力士公布了有史以来最佳的季度业绩。 SK海力士23日发布的财报显示，今年第一季度销售额为52.5763万亿韩元（约合人民币2428.5亿元），同比增长198%；营业利润为37.6103万亿韩元，同比暴增405%，销售额和营业利润双双创下单季历史新高。同期净利润为40.3459万亿韩元，营业利润率和净利润率分别达72%和77%。 SK海力士表示，尽管第一季度通常为季节性淡季，但在AI基础设施投资持续扩大的带动下，市场需求保持强劲。公司通过扩大高带宽存储器（HBM）、大容量服务器DRAM模块、企业级固态硬盘（eSSD）等高附加值产品的销售，延续了业绩上升势头。 受强劲业绩驱动，截至今年第一季度，公司现金及现金等价物环比增加19.4万亿韩元，达54.3万亿韩元；借款额减少2.9万亿韩元，降至19.3万亿韩元，净现金达35万亿韩元。 公司分析指出，随着AI从以大型模型训练为核心，向代理式人工智能（Agentic AI）阶段演进，存储器需求正向DRAM和NAND闪存全领域延伸。对此，SK海力士将持续推进两大领域的新产品开发与供应，以灵活应对多元化需求。 在HBM领域，公司将进一步强化整合性能、良率、质量及供应稳定性的综合执行能力。在DRAM领域，公司将全面启动全球首款采用第六代10纳米级（1c）工艺的LPDDR6 DRAM，以及基于同一工艺、本月已启动量产的192GB SOCAMM2的供应。在NAND闪存领域，公司在推出基于CTF、采用321层QLC技术的客户端固态硬盘（cSSD）“PQC21”的同时，将通过在eSSD全线构建涵盖高性能TLC和大容量QLC的完整产品矩阵，全面覆盖AI领域的存储需求。 SK海力士还强调，在客户需求持续超出供应能力的背景下，具备应对AI时代需求结构性增长的供应能力已成为核心竞争优势。公司将以韩国清州M15X产能爬坡和龙仁集群为核心，积极推进基础设施建设及EUV等关键设备引进，今年的资本支出规模将同比大幅提升。公司表示，将战略性地扩充生产基础，提前布局中长期需求增长，同时基于需求可见性合理安排投资节奏，兼顾供应稳定性与财务稳健性。 值得关注的是，随着SK海力士创历史最佳季度业绩，市场对其全年营业利润突破200万亿韩元的预期升温。按公司将营业利润的10%用于绩效奖金的惯例，相关奖金规模预计将达20万亿韩元。截至去年年底，SK海力士员工总数为3.45万人，粗略估算人均绩效奖金或将达约6亿韩元。