SK海力士在第一季度创下了72%的营业利润率新纪录，远超半导体行业的标杆台积电（58.1%）。这一成绩主要得益于高带宽存储器（HBM）销售的扩大和通用存储器价格的大幅上涨。 根据23日的公告，SK海力士今年第一季度的销售额为52.5763万亿韩元，营业利润为37.6103万亿韩元，净利润为40.3459万亿韩元。营业利润率达到72%，超过了去年第四季度的58%的最高纪录。 与台积电的差距显著扩大，去年第四季度SK海力士的营业利润率领先台积电4个百分点，而今年第一季度这一差距扩大到14个百分点。 三星电子本月初公布的初步业绩显示，其第一季度的营业利润率为43%，存储器部门的利润率估计在60%至70%之间。 SK海力士在2023年第一季度的营业利润率曾跌至-67%，但在同年第四季度回升至3%，此后每季度持续上升。 本季度销售额首次突破50万亿韩元，营业利润较上季度翻倍，显示出明显的盈利改善趋势。 AI用HBM销售的扩大和通用DRAM价格的急剧上涨是业绩大幅提升的主要原因。SK海力士表示，尽管第一季度是季节性淡季，但由于AI基础设施投资的增加，需求依然强劲，HBM、高容量服务器用DRAM模块和eSSD等高附加值产品的销售扩大，推动了业绩的增长。 通用DRAM价格的急剧上涨是业绩提升的主要推动力之一，第一季度通用DRAM合同价格较上季度上涨了90%以上。HBM在SK海力士整体DRAM出货量中占比约30%，其余为通用产品。 得益于良好的业绩，财务状况也大幅改善。第一季度末现金资产较上季度末增加19.4万亿韩元，达到54.3万亿韩元，而借款减少2.9万亿韩元，达到19.3万亿韩元，实现了35万亿韩元的净现金。 SK海力士总裁郭鲁正上月在股东大会上表示，为应对结构性需求增长并保持竞争力，稳定的财务状况至关重要，并提出了确保超过100万亿韩元净现金的目标。 业绩的上升趋势预计将持续。随着AI技术的发展，存储器需求基础扩展到DRAM和NAND全领域，存储器效率技术的扩散提高了AI服务的竞争力，最终形成了扩大整体服务规模的良性循环环境。公司预计，DRAM和NAND的友好价格环境将持续。 SK海力士将继续投资以确保未来的竞争力。HBM将加强综合执行能力，包括性能、良率、质量和供应稳定性。DRAM方面，将首次应用10纳米级第六代（1c）工艺的LPDDR6，并基于相同工艺开始量产192GB SOCAMM2。 NAND方面，继推出应用CTF技术的321层QLC消费级SSD“PQC21”后，将在企业级SSD全领域推出高性能TLC和大容量QLC产品线，以灵活应对AI需求。 特别是，计划基于与在大容量QLC eSSD方面具有优势的Solidigm的协同效应，增强在AI数据中心和AI PC存储市场的竞争力。 今年的投资规模预计将大幅增加，费用将用于M15X的提升、龙仁集群等基础设施准备以及EUV等核心设备的获取。 SK海力士表示，将战略性地扩充生产基础，以先发制人地应对中长期需求增长，通过考虑需求可见性的投资，确保供应稳定性和财务健康。 ※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士宣布，今年第一季度实现销售额52576.3亿元，营业利润37610.3亿元（营业利润率72%），净利润40345.9亿元（净利润率77%）。 这是公司首次季度销售额突破50000亿元，营业利润和利润率也创下历史新高，较上季度翻倍，显示出明显的盈利改善。 SK海力士表示，尽管第一季度是季节性淡季，但由于AI基础设施投资增加，需求依然强劲，高附加值产品如HBM、高容量服务器DRAM模块和eSSD的销售扩大，推动了业绩增长。 受益于良好业绩，第一季度末现金资产增加至54300亿元，较上季度末增加19400亿元，而借款减少至19300亿元，实现了35000亿元的净现金。 公司分析称，随着AI从大模型训练向多样化服务环境的实时推理演变，内存需求基础正在扩大到DRAM和NAND。 内存效率技术的扩散也将提高AI服务的经济性，并扩大整体服务规模，从而进一步推动内存需求。预计DRAM和NAND的价格环境将持续有利。 SK海力士计划在DRAM和NAND领域继续开发和供应新产品，以应对多样化的内存需求。 高带宽内存（HBM）将进一步加强性能、良率、质量和供应稳定性的综合执行能力。DRAM方面，将全球首次应用10纳米级第六代（1c）工艺的LPDDR6，以及基于同一工艺本月开始量产的192GB SOCAMM2的供应。 NAND方面，继推出应用CTF技术的321层QLC技术消费级SSD（cSSD）“PQC21”后，将在企业级SSD（eSSD）全领域提供高性能TLC和大容量QLC，以灵活应对AI需求。 特别是，基于与Solidigm在大容量QLC eSSD方面的协同效应，计划加强在AI数据中心和AI PC存储市场的竞争力。 SK海力士强调，在客户需求持续超过供应能力的环境下，AI时代结构性需求增长的供应能力成为关键竞争力。 因此，今年的投资规模将大幅增加，重点是M15X的提升、以龙仁集群为中心的基础设施准备以及EUV等核心设备的获取。 SK海力士表示，将战略性地扩充生产基础，以先发应对中长期需求增长，并通过考虑需求可见性的投资，确保供应稳定性和财务健康。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士宣布开始量产面向英伟达下一代AI平台“Vera Rubin”的SOCAMM2 192GB产品。该产品旨在减少AI模型训练和推理过程中的内存瓶颈，提高系统处理速度。SOCAMM2基于10纳米级第六代(1c) LPDDR5X低功耗DRAM，适用于AI服务器。它将移动设备使用的低功耗内存改造为适合服务器环境的产品，预计将主要用于英伟达和AMD等AI芯片公司的下一代AI服务器。SOCAMM2的带宽是传统服务器RDIMM规格的两倍以上，能效提升超过75%。它在GPU的高带宽内存(HBM)和系统内存(DDR)之间起到中介作用，提高AI学习和推理数据处理效率。Vera Rubin平台中，Vera CPU与SOCAMM2连接，Rubin GPU则与HBM4连接以驱动AI。随着SOCAMM2的推广，全球AI数据中心的电力和冷却负担有望大幅减轻。SK海力士表示：“SOCAMM2采用压接式连接器模块结构，减少信号错误，并比传统的板载方式更易于内存更换和扩展，提高了服务器的运营效率和维护便利性。”SK海力士AI基础设施总裁金周善表示：“我们与英伟达合作，解决AI基础设施的瓶颈问题，并提供最佳性能。SOCAMM2 192GB产品为AI内存性能设定了新标准。”

SK海力士20日宣布，公司已正式量产基于第六代10纳米级（1c）工艺的LPDDR5X低功耗DRAM、容量达192GB的SOCAMM2内存模块，进一步加码人工智能（AI）服务器市场布局。 SOCAMM2是一种基于低功耗DRAM的模块化内存解决方案，最初应用于智能手机等移动设备，经过优化后适用于服务器环境，尤其面向下一代AI服务器。该产品采用压缩式连接器设计，具备高扩展性与易更换等特点，有助于提升信号完整性。 SK海力士表示，采用1c工艺的SOCAMM2专为高性能AI计算优化。与传统RDIMM相比，其数据带宽提升逾两倍，同时功耗降低超过75%。 公司指出，该产品专为Vera Rubin AI平台设计，可有效缓解超大规模AI模型在训练及推理过程中面临的存储瓶颈问题，从而提升整体系统运行效率。 随着AI应用由训练阶段逐步向推理阶段转变，对低功耗、高带宽存储解决方案的需求持续增长。SK海力士表示，公司已提前构建稳定的量产体系，以应对全球云服务供应商（CSP）客户需求。 SK海力士AI基础设施业务负责人、首席营销官金柱善表示：“通过192GB SOCAMM2产品供应，公司正在树立AI时代存储器性能的新标准。未来将持续与全球AI客户深化合作，致力于成为值得信赖的AI存储解决方案提供商。”

SK海力士开始量产优化英伟达下一代AI平台的高性能内存，旨在增强AI基础设施竞争力。SK海力士宣布，针对英伟达“Vera Rubin”平台设计的SOCAMM2 192GB产品已进入量产阶段。该产品专注于解决超大规模AI模型中的内存瓶颈问题，提高系统处理速度。SOCAMM2采用10纳米级6代(1c) LPDDR5X低功耗DRAM，是为AI服务器设计的下一代内存模块。它重新配置了移动低功耗内存以适应服务器环境，具备高带宽、低功耗和模块更换的特点。该产品优化了英伟达Vera Rubin平台，预计能在超大规模AI模型的学习和推理过程中缓解内存瓶颈，并最大化GPU计算性能。性能方面，与传统服务器用RDIMM相比，SOCAMM2实现了两倍以上的带宽和超过75%的能效提升。它在GPU包中的HBM和系统内存DDR5 RDIMM之间起到“中间层”的作用，提高AI数据处理效率。SOCAMM2采用LPDDR结构，大幅降低功耗，减少数据中心的电力和冷却成本，特别是在AI基础设施扩展导致电力需求激增的情况下，成为改善每瓦性能和总拥有成本(TCO)的有意义选择。此外，SOCAMM2采用压接式连接器模块结构，提高信号完整性，便于更换和扩展，增强了服务器的运营效率和维护便利性。业内认为，SOCAMM2填补了HBM和DDR5之间的空白，凭借高带宽和低功耗特性，成为处理“热数据”和中间数据缓冲的关键，完善了AI内存层次结构。SK海力士指出，随着AI市场从学习转向推理，低功耗内存需求迅速扩大，因此迅速稳定了SOCAMM2的量产体系以满足全球CSP客户需求。金周善，SK海力士AI基础设施总裁表示：“通过与英伟达的紧密合作，我们解决了AI基础设施的瓶颈问题，并提供了最佳性能。SOCAMM2 192GB的供应树立了AI内存性能的新标准。”此外，SK海力士正在通过HBM、DDR5、LPDDR、CXL内存和SOCAMM等“全栈AI内存”组合，强化其在全球AI市场的竞争力。SOCAMM2作为补充HBM的低功耗高带宽解决方案，预计将在未来AI内存超级周期中发挥关键作用。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

现代汽车日前在集团内部公开今年各主要市场生产计划，提出今年在华产量同比增长超过10%的目标，正面迎战比亚迪、吉利等本土车企的激烈竞争。 据悉，现代汽车今年在华生产目标定为21.8万辆，同比增长10.8%，远高于全球整体产量0.5%的保守增长预期。也明显高于北美（3.1%）、印度（3.1%）、欧洲（-0.1%）的核心市场目标，显示出现代汽车对中国市场的信心。 在市场战略方面，现代汽车全面“触电”，加速向电动车等新能源汽车转型，中国法人北京现代今年将新能源汽车产量目标设定为4.15万辆，同比剧增3312.8%。燃油车产量则定为17.475万辆，同比下降9.7%。北京现代整体产量中新能源车型占比将从去年的0.6%跃升至20%。 现代汽车还计划扩大新车上市阵容，在未来5年内推出20款新车，将销量从目前的20万辆提升至2030年的50万辆。 现代汽车此次战略调整的背后，是中国汽车市场需求结构的急剧变化。中国消费者对燃油车的喜好度逐年下降，根据中国乘用车市场信息联席会的数据，今年中国国内燃油车需求将下降至905万辆，同比减少近20%，占市场比重仅为37%。与2022年的77%相比，不过4年时间内燃油车占比呈断崖式下滑。 预计现代汽车未来在中国推出的新车将以电动车等新能源车型为主。据悉，现代汽车计划于今年6月推出一款中午内中国市场量身定制的电动轿车（项目代号EA1c），目前加速进行量产准备。将在下月开幕的北京国际车展上集中展示集团电动化发展蓝图。 预计今年中国电动车需求同比将增长18.1%，继续保持强劲增长势头。以比亚迪和吉利汽车为代表的本土企业目前占据约七成市场份额，竞争格局日趋激烈。 受萨德风波影响，现代汽车在中国市场一直表现不佳，加之电动化转型节奏滞后，市场影响力逐渐边缘化。北京现代市场份额从2022年的1.2%下滑至去年的0.5%。业内分析称，若不加快调整产品结构，现代汽车在中国市场的生存空间将进一步被压缩。 尽管面临激烈竞争，中国作为全球最大汽车消费市场，现代汽车仍难轻言放弃。业内估算显示，现代汽车在中国市场份额每提升1个百分点，就意味着每年销量增长25万辆，超过印度尼西亚、越南、菲律宾等多个东南亚国家年销量总和。 分析人士指出，现代汽车希望通过中国市场的反弹，对冲其在其他核心市场面临的压力。随着特朗普政府关税政策带来的不确定性，公司在美国市场经营成本上升明显。同时，欧洲市场需求疲软，预计今年销量将出现小幅下滑。在多重挑战下，现代汽车欲通过加码中国、押注电动化来重塑全球竞争力。

分析指出，李在镕的决策在AI半导体市场上取得了成效。三星电子在高带宽内存（HBM）和代工厂领域同时出现反弹信号，重新成为英伟达供应链的关键部分。据业内消息，三星电子在最近的“GTC 2026”上扩大了与英伟达的合作关系，提高了其在AI半导体供应链中的地位。业内人士将此次活动视为三星半导体“重返主导地位的信号”。HBM是逆转的起点。三星电子在HBM3E竞争中失去主导地位后，李在镕紧急任命全永贤为DS部门负责人，进行应对。全永贤上任后，全面重组了HBM开发体系，将分散的DRAM设计、工艺、封装组织整合为以HBM为中心的“统一运营体系”，加快了开发速度。三星电子成功开发了基于10纳米级第六代（D1c）DRAM的核心芯片，并在HBM4产品上取得了竞争优势。这一成果在英伟达供应链中得到了验证，三星电子被纳入下一代GPU“Vera Rubin”的HBM4供应链中，并有望在后续GPU中扩大供应。在GTC现场，英伟达CEO黄仁勋直接提到与三星的合作，业内人士认为这是供应链角色变化的信号。代工厂部门也迎来了变化。尽管曾因收益不佳而传出分拆传闻，但李在镕选择维持并强化代工厂业务。三星电子成功获得英伟达AI芯片“Groq 3 LPU”的生产订单，显示出供应链结构的变化。三星电子在内存和代工厂领域同时供应的能力具有重要意义。业内认为，三星电子已为扩大其在AI半导体全价值链中的影响力奠定了基础。市场关注已转向下一阶段。三星电子正在推进HBM4E、HBM5等下一代产品的开发，未来能否拉开技术差距备受关注。业内人士表示：“HBM组织重组后，开发速度和完成度同时提升，三星在英伟达供应链中的影响力有望进一步扩大。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士宣布从荷兰设备公司ASML引进价值约11.9496万亿韩元的极紫外线（EUV）设备，以加速先进工艺的转型。此次交易金额相当于2024年底资产总额的9.97%，将在2027年12月前完成，包括设备引进、安装和改造费用。此投资旨在应对高带宽内存（HBM）和人工智能（AI）内存需求的增长，以及通用DRAM需求的扩大。公司计划通过稳定供应来满足服务器、移动等前端产业的持续需求。通过引进EUV设备，SK海力士将加速第六代（1c）工艺的转型，并扩大AI内存产品组合。新一代HBM、DDR5和LPDDR6等主要DRAM产品将应用于此工艺。此前，SK海力士已开发出1c DDR5 DRAM和LPDDR6产品，提升了微细工艺竞争力，改善了生产效率和电力效率，并提高了数据处理速度。SK海力士还计划提前两个月启动清州M15X工厂的第二阶段洁净室，并加快龙仁一期工厂的生产基础建设，预计明年2月启动洁净室运营。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子MX事业部总裁卢泰文与AMD CEO苏姿丰会晤，双方在AI半导体领域的合作有望进一步深化。苏姿丰于19日上午9时左右抵达三星电子总部，与卢泰文进行了约一小时的会谈。她在会前表示：“有很多议题需要讨论，期待今天的交流。”三星方面由MX事业部副总裁金正贤在总部入口迎接苏姿丰。MX事业部负责移动业务，预计将广泛讨论PC、平板电脑和智能手机中的AI性能优化及GPU合作方案。特别是关于三星自有移动应用处理器“Exynos”中AMD GPU性能的提升进行了深入讨论。自Galaxy S22系列起，三星积极采用AMD架构，大幅提升了芯片性能。苏姿丰自2014年担任CEO以来首次正式访问韩国，前一天与三星电子会长李在镕在胜支苑共进晚餐，巩固了AI半导体合作关系。三星电子半导体业务的核心管理层，包括CEO兼DS部门长全永贤、副总裁韩镇万、首席技术官宋在赫等也出席了会议。此前，AMD与三星电子签署了扩大下一代AI存储和计算技术领域合作的谅解备忘录（MOU），并指定三星为AMD AI加速器中第六代高带宽内存（HBM4）的优先供应商。三星电子计划通过2月开始量产的10纳米第六代DRAM（D1c）和4纳米基底芯片技术的HBM4，最大化AMD下一代AI加速器的推理性能。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

16日，在美国加州圣何塞开幕的英伟达“GTC 2026”上，三星电子展台吸引了大量参观者。开幕两天内，超过1500人参观了展台，远超去年总人数。预计活动结束时，参观人数将超过3000人。参观者纷纷效仿黄仁勋的签名路线。开幕当天，英伟达CEO黄仁勋在HBM4实物、D1c晶圆、Groq晶圆和Vera Rubin平台上留下签名。一位美国参观者表示：“在主题演讲中提到的芯片在这里展出，令人兴奋。”另一位参观者称：“黄仁勋刚刚签名的特殊晶圆，值得拍照留念。”HBM4实物成为参观者的起点，他们从这里开始寻找签名位置。首次公开的HBM4E实物也成为焦点，吸引了大量人群。一位业内人士表示：“HBM4实物难得一见，HBM4E的公开更是罕见，展示了技术差距。”参观者不仅关注特定产品，Vera Rubin平台展示了三星电子的“综合半导体企业”结构，引发关注。HBM、代工晶圆和先进封装技术的展示形成了完整的流动。一位半导体业内人士称：“通常内存公司和代工公司是分开的，但这里展示了它们的结合，展示了AI时代三者结合的重要性。”参观者更关注整体结构，三星电子强调的“内存整体解决方案”在现场得到了体现。展台分为AI工厂、本地AI和物理AI三个区域，但参观者的兴趣不限于某个区域，重点在于三星内存产品如何结合。一位参观者表示：“展览同时展示了下一代HBM和AI基础设施结构，意义深远。”