三星电子在高带宽存储器（HBM）市场的努力取得了成果。通过最新的HBM供应、AI芯片代工和先进封装，三星完成了“交钥匙”系统，吸引了包括AMD在内的全球科技巨头的关注。据业界消息，三星电子与AMD签署了合作备忘录，优先供应第六代高带宽存储器（HBM4），并在下一代AI半导体和超高性能计算技术领域展开全面合作。三星计划利用其HBM技术和全球领先的半导体生产能力，与AMD积极合作。为纪念与AMD的AI半导体合作，三星电子会长李在镕与AMD首席执行官苏姿丰共进晚餐。这是苏姿丰首次正式访问韩国，李在镕在首尔汉南洞迎宾馆亲自接待，显示出最高规格的礼遇。李在镕与苏姿丰讨论了应对全球AI半导体市场快速变化的中长期合作方案，双方不仅限于零部件供应关系，还建立了整合解决方案的合作伙伴关系，旨在共同开发下一代AI基础设施市场。晚宴前，苏姿丰参观了三星电子平泽园区，三星电子设备解决方案（DS）部门负责人全英贤等高管接待了她。苏姿丰对三星电子的生产规模和下一代工艺技术表现出浓厚兴趣。特别是，三星电子在2月成功量产的10纳米级第六代DRAM（D1c）基础的HBM4技术获得了AMD的认可，这为打破由SK海力士主导的市场格局奠定了基础。两家公司还计划在AI数据中心机架平台“Helios”和服务器用第六代EPYC中央处理器（CPU）性能最大化的高性能DDR5内存解决方案领域展开合作。三星电子表示，将基于与AMD长达20年的信任，在AI和数据中心用下一代内存领域进行更紧密的合作，继续为客户提供最佳的AI基础设施。随着三星电子在HBM技术、顶级代工能力和先进封装技术的结合，预计除了AMD外，其他全球科技巨头也将加入AI芯片开发和量产的合作行列。实际上，三星电子已宣布加入由AMD、博通、谷歌、微软、Meta和亚马逊等组成的AI技术联盟“UA链接”联盟，加快在HBM等AI半导体客户中的布局。尽管外部利好不断，三星电子内部的劳资冲突却日益加剧。三星电子的工会联合斗争总部在9日至18日下午进行的罢工投票中，以93.1%的赞成率获得了罢工权。三星电子工会自2024年7月以来首次获得合法罢工权，计划下月在首尔瑞草大厦和平泽园区举行斗争决议大会，并于5月开始总罢工。

“三星是全球最佳。”英伟达CEO黄仁勋于16日在美国加州圣何塞的“GTC 2026”上访问三星电子展台，现场一片欢呼。他在三星的6代高带宽内存（HBM4）样品上签名并给予高度评价。业内认为，这不仅仅是一次活动，而是三星电子在AI半导体竞争中作为综合半导体企业（IDM）重新扩大其在英伟达生态系统中影响力的信号。三星在此次GTC上强调同时供应内存核心芯片和代工基底芯片的结构。HBM核心的DRAM核心芯片采用1c（10纳米级6代）工艺，基底芯片则由三星代工4纳米工艺制造，体现了内存、逻辑、封装的IDM整合技术。三星首次展示了下一代HBM“HBM4E（7代）”实物芯片和核心芯片晶圆，目标是每针16Gbps速度和最大4TB/s带宽。三星特别强调结合内存设计、代工和先进封装的“全方位解决方案”能力，展示了热阻改善超过20%并支持16层以上堆叠的下一代封装技术HCB（混合铜键合）。这一策略反映了在AI基础设施时代，内存竞争力已从单纯的DRAM性能扩展到系统整合能力。业内评价认为，三星电子正在重新提升其在HBM市场的竞争力。三星在展区设立了“HBM4英雄墙”，展示HBM4芯片和4纳米基底芯片晶圆，展示将应用于下一代英伟达平台“Vera Rubin”的内存结构。三星还强调其为Vera Rubin平台提供内存和存储设备的“全方位内存解决方案”能力，展示了用于Rubin GPU的HBM4、Vera CPU的SOCAMM2和服务器用SSD PM1763，展示了AI数据中心内存生态系统。SOCAMM2是基于LPDDR的服务器内存模块，已开始量产，基于PCIe 6代的SSD PM1763将作为Vera Rubin平台的主要存储设备。三星在展会上通过搭载该存储设备的服务器进行了AI工作负载演示。当天，黄仁勋CEO在现场亲自确认三星技术力后，连连称赞。他进入展台时表示：“这是我亲近的人们，做得很好，是伟大的合作伙伴。”他即兴在HBM4样品、晶圆和英伟达芯片上用金色笔签名。黄仁勋离开会场时说：“加油，三星！我为三星感到自豪。”并表示：“未来即将到来，还有更多的创意。”业内认为，此次活动标志着三星电子在HBM竞争力恢复的转折点。IDM结构在AI半导体时代再次成为竞争力，特别是在英伟达下一代平台为中心的AI基础设施竞争扩大之际，三星电子通过内存、代工和封装的“全方位AI内存”战略强化了其存在感。

在GTC 2026上，英伟达CEO黄仁勋参观了三星电子展台，并在6代高带宽存储器（HBM4）样品上签名，称赞“三星是世界最佳”。黄仁勋进入展台时表示：“我的朋友们，你们做得很好，这是伟大的合作伙伴关系。”三星电子DSA总裁赵尚延介绍说：“这是世界上最好的HBM4和4纳米基底芯片。”黄仁勋回应：“没错，三星是世界最佳，我认可。”并即兴签名。赵总裁还赠送了一块D1c晶圆，黄仁勋表示惊讶并签名。他还在HBM4E展示框和Groq芯片上签名，并用金色笔在Vera Rubin样品上签名，称赞三星的芯片表现出色。在此前的GTC 2026主题演讲中，黄仁勋也曾赞扬三星。黄仁勋满足了粉丝的签名请求后表示：“加油三星！我为三星感到自豪，未来还有更多创意。”这次交流被视为黄仁勋对三星电子HBM4、4纳米基底芯片和D1c技术的认可，象征意义重大。

三星电子公布了下一代高带宽存储器（HBM）的核心工艺路线图。计划在HBM5中使用基于D1c工艺的核心芯片和2纳米工艺的基底芯片，而HBM5E将采用D1d工艺和2纳米工艺。17日，在美国加州圣何塞举行的“GTC 2026”上，三星电子存储事业部开发副总裁黄尚俊表示：“HBM5和HBM5E都将使用核心芯片和基底芯片结构。”黄副总裁解释说：“HBM5的核心芯片将采用D1c工艺，基底芯片使用2纳米工艺。”他还表示：“HBM5E将采用D1d工艺的核心芯片和2纳米工艺的基底芯片。”HBM是通过垂直堆叠多个存储芯片实现高带宽的AI半导体关键部件。最新一代开始采用将存储核心芯片与负责运算和接口功能的基底芯片分离的结构。此次计划显示三星电子在下一代HBM中结合存储工艺和代工技术的战略。特别是HBM5中确认采用2纳米工艺，预计将扩大三星先进工艺的应用范围。三星电子目前向英伟达等全球AI半导体公司供应HBM，增强其在AI存储市场的竞争力。业内认为，下一代HBM的竞争将不仅限于存储工艺，还将包括代工技术和封装技术的综合竞争。随着AI数据中心市场的快速增长，HBM需求也在急剧增加。随着下一代HBM5技术竞争的加剧，全球存储企业间的竞争将更加激烈。

三星电子于3月16日在美国圣何塞举行的英伟达GTC 2026大会上，展示了其下一代HBM4E技术和用于英伟达下一代图形加速器Vera Rubin平台的全方位内存解决方案。据业内消息，三星电子在展会上通过专用展位的“HBM4英雄墙”和“英伟达画廊”展示了其在内存、逻辑、代工和先进封装技术方面的优势，强调其作为综合半导体企业的独特竞争力。特别是，三星电子与英伟达的战略合作伙伴关系已从简单的技术合作扩展到整个AI基础设施。三星电子首次展示了基于1c DRAM工艺和4纳米代工的HBM4E芯片和核心晶圆。HBM4E支持每针16Gbps的速度和4TB/s的带宽，通过应用HCB（混合铜键合）技术，热阻改善超过20%，实现了16层以上的高堆叠。此外，三星电子是全球唯一能够为Vera Rubin平台提供所有内存解决方案的公司，展示了用于Rubin GPU的HBM4、Vera CPU的SOCAMM2和PM1763存储器，强调了与英伟达的合作。SOCAMM2是基于服务器LPDDR的内存模块，已完成质量验证，PM1763 SSD基于PCIe Gen6，能够在现场直接演示AI工作负载性能。为了提高推理性能和电力效率，三星电子为CMX（上下文内存扩展）平台提供了基于PCIe Gen5的SSD PM1753，增强了AI系统的扩展性。展位分为“AI工厂（AI Factories, AI Data Center）”、“本地AI（Local AI, On-device AI）”、“物理AI（Physical AI）”三个区域，正式介绍了下一代三星内存架构GDDR7、LPDDR6、PM9E1等，让观众体验三星内存解决方案在AI基础设施中的性能和扩展性。活动第二天，三星电子AI中心负责人宋用浩将在英伟达特别邀请的演讲中，展示三星在AI基础设施创新中的内存全方位解决方案的角色和愿景。通过此次展示和演讲，双方明确表达了共同引领全球AI基础设施范式转变的决心。

三星电子去年在研发上投入超过37万亿韩元，创下历史新高。这一投资增长7.8%，主要用于应对AI半导体市场的扩张和下一代存储器的竞争。根据三星电子2025年业务报告，去年研发费用总计37.7548万亿韩元。尽管研发占销售额的比例略降至11.3%，但绝对投资规模显著增加。三星电子特别在高带宽存储器（HBM）技术上投入大量研发资源。预计今年6代HBM市场将正式启动，三星自去年起就大力开发相关技术。HBM是AI加速器和高性能计算系统的关键组件，主要客户包括英伟达和AMD等全球科技巨头。确保稳定的供应能力是市场竞争力的关键。三星电子在HBM4产品中应用了领先的10纳米级6代（1c）DRAM工艺，性能比国际半导体标准组织（JEDEC）标准的8Gbps高出约46%，达到11.7Gbps。上月，三星电子率先开始量产HBM4，预计将用于英伟达的下一代AI芯片“Vera Rubin”平台。在非存储领域，三星电子也在加速技术竞争力的提升。其代工部门计划在今年下半年实现2纳米工艺的量产。系统LSI部门则专注于提升移动应用处理器（AP）“Exynos”的竞争力。去年，三星对下一代移动芯片“Exynos 2600”进行了性能改进。Exynos 2600的中央处理器（CPU）计算性能比前代提升了39%，生成型AI处理性能提高了113%。业内认为该芯片的性能接近高通的“骁龙8 Elite 5代”。业内人士表示，随着AI半导体竞争加剧，存储和系统半导体的研发投资迅速增加。三星电子将在HBM、代工和移动AP等主要半导体领域继续扩大技术竞争力的投资。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

【经济日报】SK海力士（代表郭鲁正）完成了采用10纳米级第六代（1c）工艺的16Gb LPDDR6 D램的开发，并计划在今年下半年开始大规模量产。此举旨在抢占设备内AI时代的低功耗内存市场的技术优势，预计与三星电子的量产竞争将更加激烈。此次开发的1c LPDDR6 D램相比上一代LPDDR5X，数据处理速度提高了33%。其运行速度超过10.7Gbps，满足了生成型AI对高带宽的要求。通过应用子通道结构和DVFS（动态电压和频率调节）技术，电力消耗降低了20%以上。SK海力士通过前瞻性地应用1c尖端微细工艺，最大化了电力效率和集成度，使得移动设备用户在执行语音转录、实时翻译等高规格AI功能时，能够在最小化电池消耗的同时享受流畅的性能。此次开发反映了智能手机和笔记本等移动设备AI化加速的市场趋势。根据市场研究机构IDC的数据，配备生成型AI功能的智能手机出货量每年急剧增加，因此对高性能低功耗内存的需求也在扩大。业内人士分析称：“传统的普通DDR产品正迅速被低功耗内存取代。在设备内AI环境中，数据需要在设备内部处理，而不是发送到服务器，因此更快速、更高效的内存将成为‘AI的心脏’。”这也是SK海力士继HBM（高带宽内存）之后，试图在移动D램领域拉开技术差距的背景。◆ 与三星电子的激战，‘市场占领’是关键随着SK海力士基于1c工艺的LPDDR6开发，三星电子的竞争格局更加清晰。三星电子专注于基于1b工艺的LPDDR6产品的产品稳定性和早期量产化，并最近向主要芯片组公司提供了下一代产品LPDDR6X的样品，加速了市场开拓。SK海力士选择了通过1c工艺实现高效率的战略，而三星电子则通过稳定的工艺运营和广泛的产品线进行对抗。专家认为，三星电子选择以性能稳定性为优先的1b工艺，是为了确保初期良率和客户供应的战略选择。未来LPDDR6市场预计将从智能手机扩展到自动驾驶汽车（SDV）、智能家电等领域。业内预计，如果HBM主导服务器AI市场，那么LPDDR6将推动个人AI设备市场的增长，成为内存半导体企业的新收入来源。SK海力士计划通过此次认证完成，确保下半年对全球移动客户的供应不受影响。专家认为，随着两家公司在微细工艺竞争中的激烈程度加剧，最终将加快下一代AI设备的商业化速度。2026年下半年，设备内AI普及化，谁能率先将更具压倒性电力效率和带宽的内存推向市场，将成为胜负的关键。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士宣布成功开发出应用10纳米级6代（1c）工艺的16Gb LPDDR6 DRAM。随着AI功能增强的移动设备普及，下一代移动内存技术竞争加剧，三星电子和SK海力士在市场占有方面展开激烈竞争。业内预计，未来LPDDR6将在高端智能手机中得到广泛应用。公司在1月的CES展会上展示了该产品，并最近完成了全球首个1c LPDDR6产品开发认证。LPDDR6被视为下一代移动DRAM标准，适用于智能手机和平板电脑等移动设备。随着设备内AI技术的快速扩展，对高性能、低功耗移动内存的需求也在迅速增长。SK海力士表示，将在上半年完成量产准备，并从下半年开始供应产品，建立优化AI实现的通用内存产品线。公司计划与全球移动客户扩大合作，加快进军下一代移动内存市场。此次开发的1c LPDDR6主要用于搭载设备内AI的智能手机或平板电脑。设备内AI无需通过云端，直接在设备内部进行AI计算，要求高计算性能和电力效率。SK海力士解释称，为优化设备内AI实现，相比LPDDR5X，数据处理速度和电力效率大幅提升。数据处理速度通过扩展带宽提高33%，基本运行速度超过10.7Gbps，超越LPDDR5X的最大速度。通过应用子通道结构和DVFS技术，电力消耗比上一代产品降低20%以上。该设计提高了移动设备的电池效率，同时实现高性能AI计算环境。子通道结构选择性地激活所需数据路径，DVFS技术根据移动环境调整频率和电压。在需要高规格的环境下，如游戏运行，DVFS提高至最高带宽运行，平时则降低频率和电压以减少电力消耗。与此同时，竞争对手三星电子也在加快开发下一代移动内存。业内认为，随着AI功能增强的移动设备增多，对高性能、低功耗移动内存的需求将迅速增加，全球内存市场排名前两位的三星电子和SK海力士之间的技术竞争将更加激烈。特别是设备内AI的普及将使下一代移动内存的性能竞争成为智能手机市场竞争力的关键。SK海力士表示，“未来将继续与客户合作，及时向市场提供AI内存解决方案，为设备内AI用户提供差异化价值。”

围绕高带宽存储器（HBM）第四代市场的扩建竞争已经开始。SK海力士宣布将在龙仁集群1号工厂投资31万亿韩元，计划提前启动生产。同时，三星电子也在平泽P4建立新的HBM4用DRAM生产线。据业内消息，SK海力士和三星电子正在加快投资，以扩大HBM4的生产能力。随着AI服务器的扩建，存储器需求激增，抢占生产能力成为市场主导权的关键。SK海力士决定在2030年底前完成龙仁半导体集群1号工厂的建设，总投资31万亿韩元。此前已投入9.4万亿韩元用于1区建设和初期基础设施，这次又追加21.6万亿韩元用于2至6区的建设。设备引进费用另计。1号工厂的首次运行时间从2027年5月提前至同年2月，以更快响应大科技客户的AI半导体需求。工厂将生产包括HBM在内的次世代DRAM，并根据市场情况灵活调整产品组合。三星电子在平泽P4新建HBM4用DRAM生产线，计划在明年第一季度投入使用，月产能可达10万至12万片晶圆。1c DRAM是HBM4的核心产品，每个HBM4包含12个1c DRAM。新生产线的启动将使三星的DRAM晶圆总产能增加约18%。三星计划今年向全球AI半导体公司供应HBM4，并将在本月开始量产和出货。通过提前投资设备，三星希望在存储器价格上涨的“超级周期”中增强市场控制力。两家公司将HBM4视为次世代的关键战场，并加速扩建生产线。随着AI服务器扩建竞争的持续，高性能存储器成为必备基础设施。业内人士表示：“HBM4不仅是产品的代际更替，更是AI生态系统的核心部件，需求增长迅速，难以预测。这次投资竞争将成为未来2至3年市场格局的分水岭。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子正在考虑从韩美半导体等多家厂商引进高带宽存储器（HBM）制造设备“TC本德”，引发关注。为了克服第六代HBM4的高难度绑定问题，并应对HBM需求的爆炸性增长，三星计划引进外部优质设备。根据业内消息，三星已开始与技术先进的外部半导体设备公司接触。目前，三星从子公司SEMES获取TC本德，但自去年7月起，已与韩美半导体展开相关讨论，并与新加坡ASMPT、荷兰Besi等海外设备公司进行协商。三星是否会使用韩美半导体的HBM用TC本德，预计下月将见分晓。对此，三星电子表示“尚未确定”。三星与外部设备公司讨论TC本德供应方案，是为了同时提升HBM的质量竞争力和供应能力。为了保持高质量竞争力，三星需要引进外部优质TC本德。尽管有子公司SEMES，但通过外部引进可以提升竞争力。2月12日，三星首次量产并出货了性能最高的HBM4。随着性能提升，芯片堆叠数量增加，微细对准精度提高，绑定难度也大幅上升。绑定工艺的良率和生产速度至关重要。特别是，三星在HBM4中应用的1c DRAM进一步提高了绑定难度。电路线宽极度微细化，I/O密度显著提高，芯片间的间距变窄，短路风险增加。数据处理速度加快，集成度提高，发热量也增加。为克服这些问题，三星将传统的“非导电膜（TC-NCF）”工艺升级为适合1c DRAM特性的“高级TC-NCF”技术。三星不希望重蹈HBM3E良率管理失败的覆辙，当时未能通过英伟达的质量测试，而美光使用韩美半导体的TC-NCF方式TC本德，率先确定了对英伟达的供应，这也引发了对外部设备的关注。为了应对快速增长的HBM4需求，三星可能会考虑在整体工艺扩展方面引进更多TC本德。美国银行和高盛预计，今年全球HBM市场规模将同比增长58%，达到546亿美元（约73万亿韩元）。随着下一代HBM4E和HBM5的推出，需求将进一步增加。三星计划在HBM4之后继续保持下一代HBM的行业领先地位，因此必须确保未来稳定获得性能最佳的TC本德。然而，由于三星采用“TC-NCF”方式绑定，难以引进SK海力士使用“MR-MUF”方式的韩华半导体TC本德。随着下一代HBM的发展，宽TC本德、混合TC本德等绑定设备也在不断进步，合作伙伴关系预计将多样化。HBM的发展提高了后工艺精度，抢占外部优质设备的存储器公司将提升竞争力。