三星电子正在与被称为“英伟达对手”的公司合作，以扩大在人工智能(AI)半导体市场中高带宽存储器(HBM)的份额。SK海力士专注于英伟达，而三星则加强与AMD、谷歌等公司的合作。据半导体行业消息，三星电子计划在18日会见访韩的AMD CEO苏姿丰，讨论HBM供应扩展方案，可能还会与三星电子会长李在镕会面。AMD在GPU市场排名第二，近期与OpenAI、Meta等大公司签署供应合同。三星电子是AMD AI加速器的主要HBM供应商。三星电子相关人士表示，虽然与李在镕会面的具体安排尚未确定，但苏姿丰首次访韩，预计会见主要合作伙伴。与此同时，SK集团会长崔泰源将于16日出席在美国举行的英伟达年度大会GTC 2026，并计划与英伟达CEO黄仁勋讨论HBM供应和下一代AI半导体合作。SK海力士目前是英伟达的主要HBM供应商，市场份额第一。三星电子还在扩大与全球大科技公司合作，以确保AI芯片供应。谷歌是其中的代表，与博通合作大规模生产自有AI芯片TPU。谷歌在HBM市场的份额超过30%，仅次于英伟达。去年下半年，三星电子向谷歌和博通供应的HBM超过SK海力士，今年预计继续大量供应。受此影响，谷歌母公司Alphabet去年成为三星电子的主要收入来源之一。三星电子2025年财报显示，Alphabet取代美国电信公司Verizon，成为五大收入来源之一。美洲地区收入同比增长12.1%，达到133.27万亿韩元，占总收入的39.9%。三星电子的战略反映了AI加速器市场结构的变化。过去英伟达占据主导地位，但近期谷歌、微软等大科技公司开发自有AI芯片，或采用AMD等竞争对手的产品，市场格局正在变化。根据市场研究公司Counterpoint Research的数据，去年第三季度HBM市场份额中，SK海力士以57%排名第一，三星电子22%，美光21%。然而，随着三星电子今年推出下一代产品HBM4，市场份额差距可能缩小。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士去年第四季度在NAND市场的销售额大幅增长，紧追三星电子。根据市场研究公司TrendForce的数据，SK海力士（包括Solidigm）去年第四季度的NAND销售额为52.115亿美元（约7.7万亿韩元），环比增长47.8%。市场份额从19.0%上升到22.1%。相比之下，三星电子第四季度的NAND销售额为66亿美元（约9.7万亿韩元），仅增长10.0%，市场份额从32.3%下降到28.0%。因此，两家公司之间的市场份额差距从第三季度的13.3个百分点缩小到第四季度的5.9个百分点。第三名的铠侠销售额为33.11亿美元（约4.88万亿韩元），增长16.5%，市场份额为14.1%。美光的销售额为30.25亿美元（约4.46万亿韩元），增长24.8%，市场份额为12.8%。全球前五大NAND厂商去年第四季度的总销售额为211.72亿美元（约31.22万亿韩元），环比增长23.8%。TrendForce分析称，由于北美云服务提供商大规模建设AI服务器，企业级SSD需求激增，推动了NAND市场的增长。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

韩美半导体正在加强与全球三大存储芯片制造商之一的美国美光科技的合作关系。根据韩美半导体3日的消息，公司于上月28日出席了在印度古吉拉特邦萨南德举行的美光科技印度首家半导体工厂开幕式。印度总理纳伦德拉·莫迪出席了此次开幕式并发表了纪念演讲，印度政府官员、美光董事长桑杰·梅赫罗特拉及主要高管也出席了活动。韩美半导体作为美光印度工厂的重要设备供应商被邀请，确立了其核心合作伙伴的地位。美光印度工厂是一个投资27.5亿美元的先进封装工厂，印度政府和古吉拉特邦分别提供了50%和20%的补贴，作为国家战略项目推进。工厂拥有50万平方英尺的单层洁净室，相当于7个足球场的面积，计划作为高性能AI存储器的测试和封装基地。目前在印度古吉拉特生产的DDR5 DRAM采用了美光最先进的1γ工艺，计划今年开始包装和测试数千万颗芯片，明年将扩大到数亿颗。预计将投资1至2万亿韩元于TC本德等先进半导体封装设备。这是印度半导体任务批准的首个项目，也是印度首家半导体工厂，具有历史意义。印度政府通过“半导体印度”政策，推动成为全球半导体制造中心。为了确保新工厂的稳定运行，先进的精密绑定技术和快速技术支持至关重要。韩美半导体作为美光的核心合作伙伴，计划派遣工程师到印度提供技术支持和培训项目，继续长期合作。去年，韩美半导体被美光授予“顶级供应商”奖，成为最佳合作伙伴。韩美半导体相关人士表示：“美光印度工厂开幕式和圆桌会议的参与再次确认了韩美半导体作为全球半导体供应链核心合作伙伴的地位。我们将派遣工程师到印度并积极提供技术支持，以提高客户满意度。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子正在与韩美半导体就‘TC本德’供应进行讨论，这可能成为高带宽存储器（HBM）封装供应链重组的信号。据业内消息，三星电子自去年7-8月起与韩美半导体讨论6代HBM4及其后续版本的TC本德供应方案，采用‘非导电膜（TC-NCF）’方式，具体引进与否预计下月确定。如果三星电子决定引入韩美半导体的TC本德，将与全球最大HBM用TC本德制造商合作，引发市场变动。目前，三星电子大部分HBM用TC本德由子公司SEMES供应，过去也曾使用日本东丽子公司Shinkawa的产品。自去年第四季度起，三星还与新加坡ASMPT保持接触。三星电子多元化TC本德供应商的原因是，HBM4时代的粘接质量直接影响产品质量，未来HBM需求将大幅增加，需要更多先进半导体设备。韩美半导体在去年第三季度累计占据HBM用TC本德市场约71.2%的份额，是全球领先企业。尽管HBM时代与三星电子没有合作，但韩美半导体的主要客户包括SK海力士和美光。SK海力士在HBM3和HBM3E版本中几乎独家使用韩美半导体产品，但最近开始与多家供应商合作。韩美半导体不仅技术领先，还已向美光供应符合三星电子要求的TC-NCF方式的TC本德，供应无障碍。业内预计，随着HBM4E、HBM5等新一代半导体的发展，三星电子将继续加强后工序能力，通过引入优质外部设备提升整体竞争力。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子在去年第四季度重夺全球DRAM市场第一，时隔一年重新超越SK海力士。 根据市场调查机构Omdia的数据，去年第四季度全球DRAM市场总收入为524.07亿美元，比第三季度增加约120亿美元。 三星电子的DRAM收入增长40.6%，达到191.56亿美元，市场份额为36.6%。SK海力士的收入增长25.2%至172.26亿美元，但市场份额从34.1%降至32.9%，位居第二。 这是自2024年第四季度以来，三星电子首次在全球DRAM市场上重回第一。2024年第四季度，三星电子曾在自1992年以来首次跌至第二。 三星电子的业绩提升主要得益于其强大的生产能力和DRAM销售的增加。同一时期，美国美光的市场份额从25.8%降至22.9%，而中国长鑫存储的份额则从3.7%升至4.7%。 ※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子率先推出被称为“梦幻存储”的第六代高带宽存储器HBM4，预示着HBM市场格局的变化。提前供货是为了抢占英伟达下一代AI芯片“Vera Rubin”的市场份额，打破SK海力士的垄断地位。据半导体行业消息，三星电子已正式宣布量产出货性能最强的HBM4。该产品速度达到11.7Gbps，比JEDEC标准的8Gbps高出46%，并可扩展至13Gbps，领先于竞争对手。三星能够在HBM4市场占据优势的关键在于“大胆的工艺转换”。与SK海力士和美光使用的10纳米级第五代（1b）DRAM不同，三星采用了技术难度更高的10纳米级第六代（1c）DRAM。此外，三星在HBM的“基底芯片”生产中采用了自家4纳米工艺，与SK海力士使用的台积电12纳米工艺相比，三星通过微细工艺最大化了电力效率和性能。三星电子副总裁黄尚俊表示：“我们打破了传统，采用最先进的工艺，及时满足客户的性能提升需求。”这是为了满足英伟达苛刻规格的战略选择。英伟达的下一代芯片“Vera Rubin”目标是推理性能提升5倍，学习能力提升3.5倍，需要超高速和超大容量的存储支持。三星通过从设计到生产、封装的一体化“Turn-key”解决方案实现了工艺优化，并通过了英伟达的质量测试。◆ “稳定性”SK海力士 vs “性能”三星电子…第二轮对决业内认为，三星电子的HBM4提前亮相标志着HBM市场竞争进入“第二轮”。一直主导市场的SK海力士以“稳定性”和“联盟”为武器进行防守。SK海力士通过验证的1b DRAM和与台积电的合作，在良品率和兼容性方面占据优势。市场研究公司Semianalysis预测，今年HBM4市场份额将为SK海力士70%，三星电子30%，仍然看好SK的优势。然而，三星电子的追赶势头迅猛。三星电子DS部门CTO宋在赫表示：“现在是展示三星电子真正实力的时候了。”业内预计，如果三星成功稳定HBM4的良品率，其在英伟达的市场份额可能提升至40%。尤其是如果英伟达提高规格要求，三星凭借规格优势可能占据有利地位。专家预测，HBM4之后的市场将转向根据客户需求定制芯片的“定制HBM”时代。在此过程中，拥有存储、代工和封装能力的三星电子的“IDM（综合半导体企业）能力”可能成为关键竞争力。如果设计、生产、封装由不同公司执行，工艺优化可能需要时间且成本增加，但三星可以在内部一次性解决这些问题，有利于缩短交货期和降低成本。KB证券研究部部长金东元表示：“采用1c DRAM和4纳米工艺的三星HBM4性能超出预期”，并分析称“未来三星电子的市场份额有望扩大”。2026年半导体市场的胜负取决于三星电子能否快速提升HBM4的量产良品率以确保盈利，以及SK海力士能否通过与台积电的联盟建立坚固的防御。随着英伟达“Vera Rubin”发布在即，两家公司的技术竞争将更加激烈。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子成功量产并出货被誉为“梦幻内存”的第六代高带宽内存（HBM4），成为全球首家。此前在HBM3E市场上失利的三星，凭借其卓越的技术实力，成功抢占第六代市场，重夺半导体王座。据业内消息，三星电子于12日开始量产出货性能最强的HBM4产品，预计将用于英伟达的下一代AI加速器“Vera Rubin”。◆ 宋在赫：“技术领先，展现三星实力”此次量产出货是此前一天信心的体现。三星电子设备解决方案（DS）部门首席技术官（CTO）宋在赫在11日首尔COEX举行的“半导体韩国2026”主题演讲前表示，客户对HBM4的反馈非常满意，并强调“技术上无可匹敌”。宋在赫表示，三星将继续在下一代HBM4E和HBM5中保持行业领先。他指出，三星在内存、代工和封装方面具备综合半导体企业（IDM）的优势，能够满足AI产品的需求。三星电子成功量产的HBM4突破了现有产品的限制，采用10纳米级第六代（1c）DRAM和自有4纳米工艺，数据处理速度达到国际半导体标准组织（JEDEC）标准8Gbps的146%，高达11.7Gbps，比前代HBM3E快22%。单栈带宽提升至3.3TB/s，容量达到36GB，未来计划扩展至48GB。值得注意的是，HBM4的“基底芯片”采用了4纳米工艺，开启了“定制HBM”时代。◆ SK海力士能否追赶？业内认为，三星的早期量产将成为HBM市场的“游戏规则改变者”。在HBM3E市场上，SK海力士占据主导地位，但在HBM4市场，三星凭借“一站式”解决方案取得优势。美国美光在进入英伟达HBM4供应链时遇到困难，而三星抢占了初期供应，未来在价格谈判和市场份额上占据有利地位。专家指出，三星通过HBM4的早期出货证明了其技术领导力，但实际量产的良品率稳定性将决定其能否独占英伟达等大客户的订单。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

随着半导体板块持续走强，韩国综合股价指数（KOSPI）突破4600点关口，不断刷新历史新高。在此背景下，市场投资者“害怕错过”的FOMO情绪迅速升温，“杠杆炒股”规模也随之创下历史最高水平。 本月7日上午9时10分，KOSPI指数盘中一度飙升至4611.72点，突破4600点大关，创下历史新高，超过前一交易日的4525.48点。此后指数回落至4500点区间，涨势暂时放缓。当天KOSPI指数收报4551.06点，较前一交易日上涨25.58点，涨幅0.57%。 从资金流向来看，外资当天净买入1.2518万亿韩元（约合人民币60.4亿元），成为推动指数上涨的主要力量，其中半导体板块净买入额高达8506亿韩元。机构和散户则分别净卖出9390亿韩元和2946亿韩元。本月7日，韩国半导体“双龙头”三星电子与SK海力士在早盘分别站上14万韩元和76万韩元关口，刷新高点。市场对三星电子即将公布的去年第四季度业绩预期升温，加之隔夜纽约股市美光科技股价大涨逾10%，进一步刺激了半导体板块的投资热情。 除半导体股外，现代汽车盘中一度大涨逾13%，股价升至36.2万韩元，创历史新高。此外，起亚汽车（13.05万韩元）和现代AutoEver（40.5万韩元）也分别刷新纪录。分析认为，在美国举行的“CES 2026”展会上，相关企业集中展示了人工智能（AI）机器人和相关技术，加之集团会长郑义宣于当地时间6日与英伟达CEO黄仁勋进行非公开会面的消息传出，进一步推高了市场预期。 随着KOSPI指数连续4个交易日上涨，投资者加杠杆入市的趋势明显增强。根据韩国金融投资协会数据，截至本月6日，韩国股市信用交易融资余额达27.7963万亿韩元，创下历史新高。 值得关注的是，未能及时配置半导体股票的投资者之间，“害怕错过”的FOMO情绪正在扩散。但市场也出现警惕声音，认为当前股市繁荣存在“半导体单一拉动”的结构性风险。 韩国央行行长李昌镛此前指出：“若剔除半导体和IT部门，实际经济增长率仍徘徊在1%的水平。”李昌镛还对市场呈现两极分化增长的“K型复苏”表达了担忧。KB证券研究员金东元（音）也表示：“半导体超级周期无疑是利好因素，但不能忽视外部市场波动性以及汇率走势带来的风险。”

在当前内存供应持续紧张、价格大幅攀升的市场环境下，业界普遍认为，本轮内存价格上涨周期将远超此前预期，或将延续至2028年。 据业界18日消息，以DDR4、DDR5为代表的通用型动态随机存取存储器（DRAM）价格仍将进一步上涨，预计将在明年年中达到阶段性高点。数据显示，截至上月，个人计算机（PC）通用型DRAM产品（DDR4 8Gb 1G×8）单价突破8美元，创近七年两个月以来的最高纪录。DDR5 16Gb（2G×8）价格亦从今年5月的5.5美元大幅跃升至上月的20美元水平。 全球市场研究机构Counterpoint预测，到明年第二季度，内存价格还将累计上涨40%以上。进入今年以来，通用型内存价格呈罕见的快速上行趋势，业内普遍预期，明年价格上涨步伐可能进一步加快，部分产品价格甚至存在翻倍的可能性。 同时，随着全球主要内存制造商为应对人工智能（AI）领域的需求增长，将产能向高带宽内存（HBM）倾斜，通用型内存的供应预计将持续收紧。此前，行业曾预测，随着产能逐步释放，内存价格或在2027年出现回落，但近期市场观点已对此进行修正。 分析认为，内存市场供需失衡的局面预计至少持续至2027年底，且不排除2028年价格仍维持高位运行的可能性。全球信息技术专业媒体WCCF Tech指出，直至2027年，内存价格将保持持续上涨态势，甚至2028年市场仍然可能表现强劲。 业内普遍认为，随着内存制造商将设备与投资资源逐步集中于高性能内存产品，通用型内存进入供应受限的发展阶段。此前，美国内存制造商美光科技（Micron）已决定退出消费级内存业务，此举可能进一步导致通用型内存供应规模收缩。 三星电子整体DRAM产能中，约70%为通用型DRAM产品，因此被视为本轮内存价格上涨周期中的主要受益企业。三星电子表示，将根据市场需求动态调节HBM与通用型DRAM的生产比例。为应对持续增长的内存需求，三星电子决定重启位于平泽园区第二阶段第五生产线的建设项目，并计划在该生产线同步生产HBM的与DDR5产品。该生产线预计将于2028年正式投入运营。专家指出，AI需求正在深刻重构内存市场的产业格局，通用型内存有望发展成为可与HBM媲美的高收益产品线。

近来，三星电子与SK海力士开始向英伟达供应第六代高带宽存储器（HBM4）。两家公司正以有偿方式向英伟达提供搭载下一代人工智能（AI）加速器“Rubin”的HBM4最终样品，并同时进入最后协调阶段。尽管仍需通过质量验证，但业界普遍预测，明年第一季度将敲定具体供货规模及价格。 据电子业界16日消息，三星电子与SK海力士目前向英伟达有偿供应第六代高带宽存储器（HBM4）最终样品。分析指出，有偿供应样品通常发生在产品性能已高度接近客户要求时，也被视为即将签署正式供货协议的重要信号。两家公司尚未完成最终质量认证，但已进入供应链关键节点。此前有观点认为，SK海力士的HBM4供应领先于三星电子，但目前来看，双方均处在同一起跑线上。 据悉，英伟达正对搭载SK海力士HBM4的Rubin进行最终运行测试。待Rubin正式投产，SK海力士也将立即启动批量供货。 此外，SK海力士与英伟达已就明年全年的HBM4供货总量及大致合约单价达成框架协议。SK海力士决定对英伟达明年提出的HBM4需求，以公司可应对的最大产能进行供应。SK海力士在第三季度业绩发布会上曾预告，预计从第四季度开始出货，并于明年正式扩大销售规模。 三星电子方面，与英伟达就明年HBM4供应的谈判也已进入收尾阶段，有望成为继SK海力士之后的第二大HBM4供应商。在第五代HBM3E阶段，三星电子对英伟达的供货比重有限，从第六代HBM4开始，三星电子着力恢复其市场地位。三星电子已向英伟达提供HBM4有偿样品，英伟达正将其搭载于Rubin进行质量验证。 三星电子为恢复HBM4市场竞争力，采用自主研发的4纳米制程代工技术，并搭载了比竞争对手领先一代的DRAM芯片。目前公司正推进平泽园区HBM4产能扩建计划，以应对市场需求。 相比之下，美光科技（Micron）预计将落居第三大HBM4供应商。由于调整HBM4产品部分设计而面临技术问题,与英伟达的谈判进程被迫延缓。尽管美光科技已满足英伟达提出的HBM4产品标准并交付最终样品，但在性能方面仍落后于竞争对手。