全球AI半导体市场的关键事件‘英伟达GTC 2026’即将举行。三星电子和SK海力士将展示下一代AI存储HBM4，争夺英伟达的青睐。特别是SK集团会长崔泰源将亲临现场，与英伟达CEO黄仁勋展示密切关系，预计两家公司将展开激烈的订单竞争。据业内消息，英伟达将于16日起在美国加州圣何塞举办为期四天的年度开发者大会‘GTC 2026’。本次大会的亮点是黄仁勋CEO将在主题演讲中发布的下一代AI加速器‘维拉·鲁宾’，其性能超越前作布莱克韦尔，HBM4是必备组件。三星电子和SK海力士将在GTC上设立大型展台，展示其用于英伟达下一代芯片的存储技术。SK海力士将展出HBM3E、HBM4、LPDDR、GDDR7等AI超高速存储产品线。最受关注的是崔泰源会长首次参加GTC。他上月在美国与黄仁勋CEO进行‘啤酒聚会’，展示了紧密的合作关系。此次访问预计将讨论HBM4供应的确定以及涵盖能源和数据中心的AI基础设施合作方案。有观点认为，英伟达未来推出的下一代芯片‘费曼’的合作也可能在讨论之列。三星电子则以‘技术超越’为策略。其最近宣布全球首个HBM4量产出货，并将在GTC上重点展示产品性能。三星电子DS部门副总裁宋永浩将以‘半导体制造与AI的未来’为主题发表演讲，提出将AI融入制造工艺的‘AI工厂’愿景。此次GTC预计将成为决定HBM4供应权的分水岭。HBM4与以往产品不同，具有结合逻辑芯片代工工艺的‘定制存储’特性。三星电子以‘交钥匙’解决方案为主导，与台积电建立联合阵线提高工艺可靠性，而SK海力士则专注于巩固其联盟。业内人士分析称，“英伟达在发布维拉·鲁宾的同时，存储合作伙伴的技术验证也将进入尾声。SK海力士展示了稳固的联盟，而三星电子则凭借量产能力争取更多订单，这将成为今年半导体业绩的关键变量。”2026年AI半导体市场正从‘学习’向‘推理’、从通用芯片向专用芯片快速演变。此次GTC 2026不仅是技术会议，更是检验韩国半导体双雄在全球AI生态系统中地位的试金石。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

全球半导体市场正处于结构性转型期，因AI市场重心从‘学习’转向‘推理’。麦格理证券将三星电子和SK海力士的目标股价分别上调至34万韩元和170万韩元，背后是AI服务普及引发的存储供需变化。AI产业结构重塑了半导体需求格局。据金融投资业界25日消息，麦格理证券在当天发布的报告中，将三星电子和SK海力士的评级从中立上调至买入，理由是存储供应短缺加剧，AI市场的转变是关键因素。报告指出，过去2至3年是AI模型性能提升的‘学习’阶段，预计2026年前后将进入‘推理’阶段，半导体需求重心也在变化。在学习阶段，GPU和高带宽存储（HBM）是关键。但在推理环境中，实时数据处理量激增，通用DRAM和企业级SSD（eSSD）的重要性迅速上升。麦格理预计，这种结构变化可能导致部分存储产品合同价格短期内大幅上涨。供应限制加剧了价格上涨压力。三星电子、SK海力士和美光等主要存储企业专注于盈利更高的HBM生产，导致通用DRAM生产比例下降，出现‘挤出效应’。HBM比普通DRAM需要更多晶圆，侵蚀了通用产品的供应。新工厂建设需要数年时间，供应扩张速度有限。麦格理认为，这种供需不平衡可能持续到明年。花旗集团也在最近的报告中提到，2026年DRAM和NAND价格可能大幅上涨，支持存储强势论。这种环境可能对三星电子有利。凭借平泽P4和P5工厂的大规模生产能力，三星电子在通用存储供应短缺中具有相对优势。麦格理因此大幅上调了三星电子的每股收益（EPS）预期。SK海力士也因在HBM市场的技术优势，预计将直接受益于AI基础设施投资的扩大。与英伟达等主要客户的合作关系，以及通用存储价格上涨，可能进一步提升其盈利能力。然而，业界也提出了谨慎观点。若AI基础设施投资放缓或大科技公司扩大自研芯片开发，需求增长可能调整。数据中心电力供应等基础设施限制也是变量。业内人士表示，“AI推理市场的扩张确实增加了存储需求，但随着供应瓶颈的缓解和投资速度的变化，价格波动性可能加大，需警惕过度乐观。”尽管如此，麦格理的报告表明，AI时代半导体行业的主导权正在重新转向存储企业。韩国存储企业能否在AI技术转型中再创超级周期，市场关注度正集中于此。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子率先推出被称为“梦幻存储”的第六代高带宽存储器HBM4，预示着HBM市场格局的变化。提前供货是为了抢占英伟达下一代AI芯片“Vera Rubin”的市场份额，打破SK海力士的垄断地位。据半导体行业消息，三星电子已正式宣布量产出货性能最强的HBM4。该产品速度达到11.7Gbps，比JEDEC标准的8Gbps高出46%，并可扩展至13Gbps，领先于竞争对手。三星能够在HBM4市场占据优势的关键在于“大胆的工艺转换”。与SK海力士和美光使用的10纳米级第五代（1b）DRAM不同，三星采用了技术难度更高的10纳米级第六代（1c）DRAM。此外，三星在HBM的“基底芯片”生产中采用了自家4纳米工艺，与SK海力士使用的台积电12纳米工艺相比，三星通过微细工艺最大化了电力效率和性能。三星电子副总裁黄尚俊表示：“我们打破了传统，采用最先进的工艺，及时满足客户的性能提升需求。”这是为了满足英伟达苛刻规格的战略选择。英伟达的下一代芯片“Vera Rubin”目标是推理性能提升5倍，学习能力提升3.5倍，需要超高速和超大容量的存储支持。三星通过从设计到生产、封装的一体化“Turn-key”解决方案实现了工艺优化，并通过了英伟达的质量测试。◆ “稳定性”SK海力士 vs “性能”三星电子…第二轮对决业内认为，三星电子的HBM4提前亮相标志着HBM市场竞争进入“第二轮”。一直主导市场的SK海力士以“稳定性”和“联盟”为武器进行防守。SK海力士通过验证的1b DRAM和与台积电的合作，在良品率和兼容性方面占据优势。市场研究公司Semianalysis预测，今年HBM4市场份额将为SK海力士70%，三星电子30%，仍然看好SK的优势。然而，三星电子的追赶势头迅猛。三星电子DS部门CTO宋在赫表示：“现在是展示三星电子真正实力的时候了。”业内预计，如果三星成功稳定HBM4的良品率，其在英伟达的市场份额可能提升至40%。尤其是如果英伟达提高规格要求，三星凭借规格优势可能占据有利地位。专家预测，HBM4之后的市场将转向根据客户需求定制芯片的“定制HBM”时代。在此过程中，拥有存储、代工和封装能力的三星电子的“IDM（综合半导体企业）能力”可能成为关键竞争力。如果设计、生产、封装由不同公司执行，工艺优化可能需要时间且成本增加，但三星可以在内部一次性解决这些问题，有利于缩短交货期和降低成本。KB证券研究部部长金东元表示：“采用1c DRAM和4纳米工艺的三星HBM4性能超出预期”，并分析称“未来三星电子的市场份额有望扩大”。2026年半导体市场的胜负取决于三星电子能否快速提升HBM4的量产良品率以确保盈利，以及SK海力士能否通过与台积电的联盟建立坚固的防御。随着英伟达“Vera Rubin”发布在即，两家公司的技术竞争将更加激烈。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。