SK海力士首席执行官（CEO）郭鲁正近日表示，受关税及整体不确定性等因素影响，预计今年下半年市场波动将进一步加剧。 据业界11日消息，郭鲁正日前在SK海力士利川园区出席“共同沟通活动”时，就公司未来业绩展望表示：“虽然今年及明年的市场走势仍难以预判，但目前为止公司业务基本按照既定计划稳步推进。希望全体员工齐心协力，完成年度目标。” SK海力士每季度定期举办由CEO亲自主持、倾听员工意见并说明经营方向的沟通活动。当天的活动通过公司内部网络向全国各业务网点同步直播。 目前，美国正积极推动涵盖多领域的互征关税政策。业界普遍认为，若半导体领域的分项关税最终落地，SK海力士也难以避免受到冲击。尽管公司整体业务目前仍运行在既定轨道内，但郭鲁正坦言，下半年市场整体不确定性或将有所加大。不过，公司方面仍对今年半导体市场整体行情保持谨慎乐观态度。 SK海力士全球销售营销（GSM）负责人李相洛（音）表示：“上半年市场表现良好，下半年同样无需过度悲观。我们的核心竞争力在于高带宽存储器（HBM）领域，传统DRAM产品也具备稳定的市场优势。” 目前，SK海力士正向人工智能（AI）领域龙头企业英伟达供应第五代高带宽存储器（HBM3E）产品，相关订单已于年内售罄。第六代HBM（HBM4）产品也已向英伟达等主要客户提供样品，预计将在今年下半年启动量产。 在HBM技术优势的带动下，SK海力士今年一季度时隔33年首次超越三星电子，跃居全球DRAM市场份额首位。全球市场调研机构Omdia发布的数据显示，SK海力士一季度DRAM市场份额为36.9%，三星电子则为34.4%。公司方面表示，未来仍将维持HBM核心制造设备——热压键合机（TC Bonder）的多元化采购策略。 与此同时，针对绩效奖金制度之一的超额利润分配金（PS）新标准制定问题，郭鲁正表示：“现行制度确实存在不够明确之处，今后将广泛听取各方意见，努力制定出更加合理透明的标准。”他还补充称：“若能通过类似大型讨论会的形式，公开包括财务在内的公司运营情况，有助于消除不必要的误解。” 据悉，PS奖金根据年度经营业绩每年发放一次，最高可达年薪的50%（即基本工资的1000%）。自2021年起，SK海力士将前一年度营业利润的10%作为奖金池，结合个人绩效发放PS奖金。去年，公司创下营业利润23.4673万亿韩元（约合人民币1230亿元）的历史新高，今年初已向员工发放了基本工资1500%的PS奖金及30股公司股票作为特别奖励。 然而，因工会方面主张应追加发放更高额度的特别绩效奖金，劳资双方一度在奖金分配问题上产生分歧。目前，工会正就加薪及PS超额分配等事项与公司持续进行协商。

本月8日至12日，IEEE VLSI 2025国际研讨会在日本京都举行，SK海力士在会上首次公布面向未来的DRAM（半导体存储器）技术中长期发展蓝图，对公司在存储芯片领域的技术创新战略进行系统阐述。 IEEE VLSI国际研讨会是半导体行业最具影响力的学术会议之一，聚焦集成电路设计、先进制程、人工智能（AI）芯片及先进封装等前沿技术，每年在美国和日本轮流举办。 10日，SK海力士首席技术官（CTO）车宣龙在会上发表《引领DRAM技术创新 迈向可持续未来》主旨演讲。他指出，当前微缩制程的技术路线已接近物理极限，公司正在加速推进结构创新与材料革新，重点布局4F² VG平台和3D DRAM两大技术方向。 4F² VG平台采用垂直栅极架构，可以大幅缩小DRAM单元尺寸，同时优化存储密度、运行速度与能效表现。结合晶圆键合技术，该平台有望在单位存储效率和电气性能上实现显著突破。如果成功商用，4F²架构或成为继当前主流的6F²单元后，DRAM领域的又一次重大技术迭代。 与此同时，SK海力士还把3D DRAM列为另一重点研发方向。堆叠结构面临制造成本攀升的挑战，公司表示计划通过提升良率推动商业化进程，确保技术落地兼具性能优势与经济效果。 车宣龙强调，行业普遍认为DRAM技术会在20纳米节点遭遇瓶颈，但SK海力士通过持续创新不断突破极限。此次技术蓝图的发布，既是对研发路径的前瞻规划，也为新一代工程师树立明确目标。未来公司还会继续深化产业协作，加速技术成果转化。 另外，研讨会闭幕日当天，负责下一代DRAM研发的SK海力士副社长朴柱东（音）计划出席研讨会并作专题报告，公布VG平台与晶圆键合技术的电学性能验证数据，进一步展现下一代DRAM的产业化潜力。

据芯片行业10日消息，日本NAND闪存企业铠侠（KIOXIA）正在大幅扩充产能，积极进军人工智能（AI）数据中心市场。目前，全球NAND市场由三星电子和SK海力士主导，但随着竞争加剧，领先企业的市场份额正在逐渐缩小。后进企业扩充产能后，NAND市场格局可能随时重塑的担忧开始出现。 铠侠近日公布中长期经营战略，计划截至2029年把主要NAND生产工厂的产能在去年基础上提升一倍以上。公司还计划在明年3月前提高先进第八代NAND生产比例，以此实现先进产品营收超过传统通用NAND产品的目标。 值得注意的是，铠侠还在正式推进下一代NAND产品存储级内存（SCM）的生产。该产品结合NAND与DRAM的优势，具备更快的读写速度与更大的存储容量，是下一代存储技术的核心。 为实现上述目标，铠侠计划利用每年最多20%的营收进行设备投资。目前，公司在日本四日市和北上地区分别运营NAND生产工厂。借助去年完成的上市融资及日本政府的支援，铠侠正在全力开发面向AI数据中心的新一代产品。 随着全球NAND市场竞争日趋激烈，业界分析指出，后发企业的积极投资可能打破三星与SK海力士主导的市场格局。数据显示，NAND市场排名第一的三星电子市场份额已从去年第四季度的33.9%降至今年第一季度的31.9%，包括旗下Solidigm在内的SK海力士份额也从20.5%降至16.6%。 相比之下，排名第三的美光（Micron）市场份额从13.8%升至15.4%。铠侠份额则为14.6%，与第二至第四名之间的差距不大。SK海力士与美光的份额差距仅为1.2个百分点，三星电子的份额也持续下滑，形势不容乐观。 另外，美国闪迪（SanDisk）市场份额为12.9%，中国长江存储（YMTC）为8.1%，均取得不容小觑的成绩，导致市场竞争的不确定性进一步加剧。NAND的技术门槛相对低于DRAM，因此后发企业可以在较短时间内缩小与领先企业的技术与产能差距。 此前，三星电子今年第一季度的NAND营收为42亿美元，环比减少25%，主要受企业级固态硬盘（SSD）需求疲软影响。同期，SK海力士的NAND营收为21.9亿美元，环比下降35.5%。 业内人士表示，海外竞争企业在本国政府的大力支援下快速追赶，技术与市场差距正在缩小。韩国企业不仅需要加快先进技术开发，也需要与新一届政府积极沟通，争取政策和资金支持。

人工智能（AI）的崛起引发存储半导体行业的技术竞争，同时伴随AI产业扩张带动高性能存储器需求的激增，三星电子、SK海力士、美光科技半导体三强格局正在发生变化。一直稳居首位的三星电子如今被SK海力士紧追不舍，美国、日本和中国企业也加快追击步伐，导致韩国业内持续处于紧张状态。 市场调研机构集邦咨询（TrendForce）8日数据显示，SK海力士以第一季度36%的市场份额首次超越三星电子（33.7%），高带宽存储器（HBM）是导致两家公司排名对调的关键因素。SK海力士凭借HBM3E出货占比维持平均售价（ASP），以此登上行业榜首。三星电子在除HBM以外的市场保持整体优势，但在美国出口管制下无法直接向中国销售HBM产品导致营收下滑，从而被SK海力士赶超。这是三星电子33年来首次失去DRAM领域第一位置。 DRAM领域“双强”格局也面临变数。美光科技近日成功推出全球首款基于第六代10nm级制程的LPDDR5X内存，并已向合作伙伴交付16GB容量的认证样品。不过“行业首发”并不等于“行业最优”，还需考量产品稳定性、合格率等各种因素。目前，三星电子与SK海力士的合计市场份额达70%，远超美光的24.3%。业界认为首发优势可能转化为市场先机，尤其是美光在HBM市场上已抢先进入英伟达（NVIDIA）供应链，正在享受AI市场增长带来的红利。 此外，中国企业同样不容小窥。行业数据显示，中国长鑫存储（CXMT）第一季度市场份额达4.1%（11亿美元），超越原本排在行业第四的中国台湾南亚科技（0.8%）。三星电子（31.9%）、SK海力士（16.6%）、美光科技（15.4%）稳居前三，但日本铠侠（14.6%）凭借去年上市与政府支援正在全力开发下一代AI数据中心产品。此外，美国闪迪（12.9%）、中国长江存储（8.1%）也以可观市场份额影响市场格局。 三星电子与SK海力士正在集中发力进行HBM等高附加值存储器的生产，以此来稳固市场地位。新竞争者的激进扩产可能导致传统厂商盈利与市场份额下降。业界人士指出，存储半导体是韩国出口第一品类，对国家整体产业影响巨大。在全球供应链重组与技术竞争激烈的背景下，新政府有必要对此行业给予持续关注与支援。

中国在存储半导体市场上对韩国的威胁日益加剧。继在旧款产品DDR4 DRAM市场大举投放产品之后，当前又正式迈入DDR5 DRAM量产阶段。DDR5是三星电子和SK海力士等韩国企业主攻的通用型存储器产品。一旦中国增加DDR5供应，势必会引发产品价格下跌，进而对三星电子和SK海力士的业绩造成冲击。 据芯片行业8日消息，中国存储芯片行业龙头长鑫存储（CXMT）计划逐步减少服务器和PC用DDR4 DRAM的产量，预计在明年中期完全停止该产品的生产，仅有应对国内市场代工订单需求的部分产线除外。 长鑫存储停止DDR4生产后，转而扩大DDR5的产能，今年计划把整体内存产量的60%转为DDR5。业内预计，截至今年年底，长鑫存储的月度晶圆投片能力或达到28万片，明年有望突破30万片，相当于全球DRAM产能的15%。 长鑫存储自去年下半年大规模生产DDR4不到一年时间，就迅速转向DDR5生产。自去年12月实现DDR5量产后，今年已向中国国内客户提供服务器用DDR5样品。由此可见，长鑫存储试图快速退出利润空间不断萎缩的DDR4市场，借助人工智能（AI）带来的旺盛需求，抢占DDR5市场份额。 DDR5是目前市场上流通的最先进通用型DRAM产品。去年中国在DDR4市场展开价格攻势，但三星电子和SK海力士等韩国企业则通过快速转向DDR5工艺、加强高端需求布局来加以应对。如果长鑫存储全面转向DDR5，韩国企业则难免会受到冲击。随着市场供应增加，高端产品DDR5的盈利能力也可能下降。 DDR4价格在去年下半年多次大幅下跌，原因正是中国企业实施低价策略。2023年10月以来，PC用DDR4 8Gb（1Gx8）产品的月度固定成交价首次出现下跌，2024年8月降至2.05美元，较前月下降2.38%；9月又较8月大跌17.07%；11月环比暴跌20.59%。 有观点认为，如果三星电子和SK海力士维持品质与技术优势，在不降价的情况下也有可能获得客户青睐。尤其是在机器人、电动汽车、自动驾驶等高端应用领域，与低廉的价格相比，优秀的质量保证更加重要。 业内人士指出，中国企业在政府支持下对通用存储市场采取强硬态度，但产品性能是否可靠尚未得到充分验证。韩国电子技术研究院（KETI）特聘研究委员李圭福（音）表示，必须全力开发能够用于电动汽车、自动驾驶、机器人等新兴领域的存储产品，并进一步扩大与中国的技术差距。

随着共同民主党候选人李在明成功当选第21届韩国总统，与其政策主张相关的概念股正成为市场关注焦点。 据韩国证券界4日消息，围绕李在明的核心竞选承诺，投资者普遍看好证券、新能源、人工智能（AI）、建筑以及区域货币等相关概念股。 在主要竞选承诺中，李在明提出振兴资本市场，力图开启“股指5000时代”，通过加入MSCI发达国家指数、打击操纵行为和强化小微股东权利，提振市场信心。 为展现政策诚意，李在明上月通过优兔（YouTube）直播了自己购买KOSPI200 ETF和KOSDAQ150 ETF的全过程。在资本市场政策方面，他还提出将股票投资作为替代性资产配置工具，对高分红企业给予税收优惠，对低分红企业设置不利条件。 李在明高度重视科技与能源领域发展，提出通过跻身AI三强、设立AI专门大学、投资100万亿韩元（约合人民币5230亿元）、建设国家AI数据中心等举措，在任期内奠定“AI经济”基础。受此影响，三星电子、SK海力士、Saltlux等公司被认为将直接受益。从短期来看，硬件行业将率先获得利好；从长期发展角度，Kakao、NAVER、Hancom、Lunit等AI软件企业也备受关注。 在能源政策方面，李在明推动“能源高速公路”建设，整合可再生能源、储能设备与智能电网，设定2040年前实现全国能源基础设施现代化的目标。对此，HD现代能源解决方案、韩华解决方案、CS WIND、SK Oceanplant等相关概念股有望受益。 在区域均衡发展方面，李在明提出完成“世宗行政首都”建设，包括迁建总统府与国会大楼，并推动第二轮公共机关向地方转移。现代建设、大宇建设、斗山山猫等建筑类概念股因此受到关注。 作为重点政策之一，李在明已表示将加强对“区域货币”的财政支持。Kona I、Webcash等相关企业有望从中获益。此外，新政府预计将优先推出各项改善民生、提振内需的政策，食品、流通等内需行业也有望迎来复苏机遇。

三星电子去年对于半导体良率不佳采取的更换部门总管这一“强硬手段”初见成效，在最近的下一代DRAM良率测试中取得令人满意的成果。DRAM的性能直接关系到高带宽存储器（HBM）的市场竞争能力，因此外界对于三星半导体实现超越并恢复领先的期待也随之升温。 据电子行业30日消息，三星电子本月在10纳米级第六代DRAM晶圆的性能实验中实现50%以上良率。也就是说，从一片晶圆中生产出的1000多颗DRAM芯片中，一半以上达到性能标准。业内普遍认为，40%左右的良率即可满足量产要求，而三星此次的成果远超这一标准。考虑到去年相同产品的良率未达30%，此次提升可谓显著。 三星实现突破的关键在于芯片设计。为了提高芯片运行效率，研发团队试图采用多种新型结构。实际上，设计变更并非易事，不仅需要承认过去设计的不足，还可能在此过程中与竞争对手拉开技术差距，同时需要投入大量资金。三星原计划去年底量产10纳米级第六代DRAM，但如果改变设计，计划可能延后一年以上，因此风险极高。 去年5月回归设备解决方案（DS）部门的副会长全永铉判断，唯有修改设计才能恢复核心竞争能力。一年之后，当初的决定正在逐步显现成效。三星电子目前以年内量产为目标，继续推进第六代DRAM的后续测试。业内人士表示，为确认是否已经具备可以立即销售的稳定性能，还需要通过更加严格的测试。 随着下一代DRAM开发进展顺利，市场对HBM的期待也在升温。HBM芯片由多层DRAM堆叠而成。三星此前在第五代HBM（HBM3E）上遭SK海力士超越，因此正在计划以全球首款10纳米级第六代DRAM为基础，在年内实现第六代HBM（HBM4）量产，力争逆转颓势。要想按照计划推出产品，10纳米级第六代DRAM的技术水平至关重要。 为了配合下一代DRAM与HBM4的生产，三星还计划下半年起以平泽四厂为主扩充最先进的半导体生产设备。此外，三星还正在推进华城工厂DRAM 17产线工艺转换，旨在通过大幅设备投资来提升成本竞争能力。 为弥补在第六代产品上败给竞争对手的失误，三星还在同步推进10纳米级第七代DRAM的开发。据悉，三星已在平泽二厂建立第七代DRAM试验产线，并在研发阶段成功制出运作样品（working sample）。三星的策略是通过调整DRAM元件长度降低开发难度并加快量产进度。 SK海力士已经领先完成10纳米级第六代DRAM的开发，但如果三星能在第七代DRAM开发中实现反超，则有望摆脱“半导体危机论”，以此重新夺回DRAM市场份额第一的宝座。业内人士透露，三星的目标是最早在明年下半年开始第七代DRAM的量产。

据SK海力士22日消息，公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb三阶储存单元（TLC）4D NAND闪存的移动终端解决方案产品UFS 4.1。 SK海力士方面表示，为了在移动设备上实现端侧人工智能（AI）的稳定运行，所搭载的NAND闪存解决方案产品必须兼具高性能与低功耗特性。通过这款对AI工作负载优化的UFS 4.1产品，公司计划进一步巩固在旗舰智能手机市场中的内存技术领导地位。 随着端侧AI的需求持续增长，终端设备的计算性能与电池效率之间的平衡日趋关键，超薄设计和低功耗性已成为移动设备的行业标准。 为顺应这一趋势，SK海力士此次开发的新品较上一代238层NAND闪存产品能效提升7%。与此同时，产品厚度从1mm成功减至0.85mm，能够适配超薄智能手机。 此外，该产品支持第四代UFS产品的顺序读取峰值，数据传输速率高达4300MB/s。决定移动设备多任务处理能力的随机读取和写入速度，相较上一代产品分别提升15%与40%，达到现有UFS 4.1产品中的全球领先水平。 这一方式能够实时提供端侧AI所需的数据，显著提升应用程序的运行效率与响应速度，从而有效增强用户的实际性能体验。UFS 4.1产品提供512GB和1TB两种容量规格，公司计划年内向客户交付样品进行验证流程，并在明年第一季度正式进入量产阶段。 SK海力士开发总管（CDO）安炫社长表示，以此次产品开发为契机，公司计划年内完成全球最高321层4D NAND闪存的消费级和数据中心级固态硬盘（SSD）产品开发工作。通过这一举措，公司计划在NAND闪存领域构建具备AI技术竞争力的产品组合，进一步巩固“AI存储器供应商”地位。

SK海力士与韩美半导体围绕热压键合机（TC Bonder）设备的紧张关系在最新的订单公布后似乎出现缓和迹象，但业内普遍认为双方紧张气氛依旧存在。有传言称，SK海力士此次下单的动机并非纯粹的技术考量，而是为了敦促此前撤出的韩美维护工程师重返SK海力士生产线。 半导体业内高层人士19日透露，SK海力士16日与韩美半导体签署的设备订单附带条件。他表示：“SK海力士在韩美工程师复职的前提下提出订单，韩美方面也接受这一条件。因此，这实际上是一笔‘附带条件订单’。” 此前，SK海力士已对外公告称，与韩美半导体（Hanmi Semiconductor）以及韩华半导体技术（Hanwha Semitech）达成高带宽存储器（HBM）用TC Bonder设备的订单协议。 公告核心内容包括，SK海力士计划采购韩美半导体总额428.12亿韩元（约合人民币2.21亿元）的HBM生产设备DUAL TC BONDER GRIFFIN，同时也向韩华半导体技术订购385亿韩元的TC Bonder设备。对此，业界一度认为SK海力士与韩美半导体之间的矛盾得以缓解。此前，SK海力士推进TC Bonder供应商多元化计划，韩美半导体强烈反对并撤回派驻SK海力士HBM产线的维护工程师，引发双方摩擦。 业内另有意见指出，本次协议其实是一场“互相需要”的妥协。SK海力士需要韩美工程师维持现有HBM产线运转，而韩美半导体迫切希望获得订单。多方消息显示，相关工程师最快在本周内重返SK海力士工厂。 此外，双方在订购过程中也存在一定分歧。传言称，韩美半导体提出超过20%的价格上调请求，但最终未能如愿。有分析称，韩美设备在技术上不及韩华产品，因此难以在谈判中获得更高定价。 从公告表面看，韩美半导体的设备价格似乎高于韩华半导体技术，但仔细比较后差异并不大。原因在于，韩美公布的是含增值税（VAT）价格，而韩华则未含税价。如果同时计入VAT，韩华设备总额可达423.5亿韩元，两者价格差距由原本的40多亿韩元迅速缩至4亿至5亿韩元。 根据业内估算，SK海力士此次采购的韩美设备数量为14台，韩华设备约为12台。由此推算，韩美设备单价为约30.58亿韩元，而韩华设备则约为35.29亿韩元。从今年累计订单金额来看，韩华（约800亿韩元）几乎为韩美（约400亿韩元）的两倍。 业内普遍认为，SK海力士还会继续推进包括TC Bonder在内的韩美设备替代策略。此次订单已经达成，但实际上是分散对特定厂商的依赖，以此实现中长期供应链平衡的战略布局。 业内人士表示：“韩华设备订单金额超过韩美，本身就足以体现多元化正在持续推进。SK海力士正在逐步减少对韩美设备的依赖，目前还需要时间，但是方向已经明确。”

在全球经济增速放缓、国际贸易摩擦持续升级以及地缘政局动荡等多重不利因素叠加的影响下，韩国大型企业展现出较强的经营韧性，持续保持稳健增长态势；反之，经营基础相对薄弱的中坚企业则因抗风险能力不足，整体业绩表现欠佳，业绩呈显著分化态势。 韩国企业数据研究机构CEO Score于18日发布的调查结果显示，以今年第一季度为基准，韩国500家上市中坚企业实现总销售额60.092万亿韩元（约合人民币3093.4亿元），同比增长4%；但营业利润为2.9416万亿韩元，同比下降2.7%。反之，同期韩国大型企业实现营业利润60.9628万亿韩元，同比大增17.1%。 从企业个体表现来看，半导体行业龙头企业韩美半导体（Hanmisemi）表现最为亮眼，营业利润同比激增142.6%，达696亿韩元。Wonik PNE（323亿韩元）、Seegene（292亿韩元）、韩国CARBON（285亿韩元）、Jusung Engineering（269亿韩元）、APR（268亿韩元）以及娱美德（263亿韩元）等企业也实现了较为可观的利润增长。然而，部分企业业绩表现不佳，JNTC、WCP、TOPTEC、Sammok S-Form、PNT等企业的营业利润分别减少459亿韩元、310亿韩元、294亿韩元、248亿韩元和239亿韩元。 据分析，建筑与建材行业受冲击最为严重，营业利润同比锐减1396亿韩元，下跌65.6%。该行业40家样本企业中，有25家出现营业利润下滑，亏损企业也从去年同期的6家增至11家。IT行业中坚企业的营业利润同比下降22.6%，在102家样本企业中，57家利润下滑，亏损企业从去年的23家增至35家。这一表现与以SK海力士、三星电子为代表的大型IT企业带动行业整体利润增长39.5%的亮眼成绩形成强烈反差。 IT行业内部分化现象尤为明显。得益于全球人工智能（AI）产业热潮，与高带宽存储器（HBM）相关的材料、零部件及设备制造企业盈利能力显著提升；而二次电池、显示面板、移动设备和PC相关企业则面临较大经营压力，营业利润出现大幅下滑。 此外，造纸（-549亿韩元）、医疗器械（-204亿韩元）、流通（-25亿韩元）等行业的营业利润均呈下降趋势。反之，服务（869亿韩元）、制药与生物（431亿韩元）、汽车与零部件（393亿韩元）、造船（379亿韩元）以及石油化学（215亿韩元）等行业的营业利润则实现同比改善。