市场调研机构集邦咨询（TrendForce）于20日发布的数据显示，今年第一季度，包括三星电子和SK海力士在内的全球NAND闪存制造商企业级固态硬盘（SSD）业务收入均大幅下滑。受北美地区主要客户持续消化库存导致采购需求锐减，叠加NAND闪存芯片价格持续探底的双重压力影响，行业整体盈利能力遭受显著冲击。 具体来看，三星电子第一季度企业级SSD销售额为18.89亿美元，环比下降34.9%，但市场份额仍实现小幅提升，从39.5%微增至39.6%。同期，SK海力士的企业级SSD销售额骤降至9.93亿美元，环比骤降56.8%，市场份额从31.3%下滑至20.8%。此外，位列行业第三和第四位的美光科技与铠侠同样未能幸免，销售额分别下降27.3%和21.8%。 企业级SSD作为高附加值产品，在人工智能（AI）数据中心等高端应用场景中占据核心地位，成为各大存储厂商重要的营收支柱。此前，存储厂商凭借企业级SSD业务的稳健表现，才得以部分缓解消费级SSD市场持续疲软带来的冲击。以三星电子为例，今年第一季度NAND业务实现总收入达42亿美元，其中企业级SSD贡献占比高达44%；同期，SK海力士NAND业务收入达21.9亿美元，贡献占比达47%，凸显该业务板块的战略重要性。 分析指出，企业级SSD销售乏力的主要由于季节性需求减弱以及北美客户库存持续高企等市场因素。同时，企业级SSD产品价格在第一季度出现约20%的环比暴跌。面对这一局势，美光科技已率先采取减产措施，宣布将推迟下一代制程转换计划并减少NAND晶圆投入。 然而，市场普遍对第二季度行情持谨慎乐观态度。集邦咨询分析称，随着北美地区AI基础设施建设需求持续扩张，加之中国云计算企业加速推进数据中心存储容量升级，预计相关厂商的盈利能力将逐步回升。 数据显示，NAND闪存价格自去年第四季度出现38%的大幅下跌后，今年第一季度再度下挫10%至15%。这一价格走势主要受个人电脑（PC）及笔记本电脑等消费级SSD全球需求急剧萎缩影响。分析指出，在当前市场环境下，NAND厂商亟需通过提升企业级SSD业务的盈利能力来巩固市场地位，为未来发展奠定坚实基础。

在旧款DRAM和NAND闪存价格持续上涨的背景下，市场普遍预测三星电子今年第二季度业绩表现坚挺。伴随人工智能（AI）半导体的强劲需求，此前创下业绩纪录的SK海力士也有望再次交出亮眼的成绩单。 据金融信息企业FnGuide日前消息，三星电子今年第二季度营业利润预期为6.8487万亿韩元（约合人民币360.91亿元），较三个月前的预期（6.2708万亿韩元）上调9.21%。其中，负责半导体的设备解决方案（DS）部门或有突出表现。 美国总统特朗普实施关税政策前的库存囤积需求与Galaxy系列带来的积极效应下，三星电子在今年一季度创出可观的业绩。随着第二季度DRAM和NAND价格的上涨，市场预测三星的盈利水平环比可能进一步改善。券商普遍预计，DS部门营业利润或从第一季度的1万亿韩元跃升至第二季度的2万亿韩元以上。 今年4月，三星电子宣布逐渐减少旧款DRAM DDR4的产量，随后SK海力士、美光以及长鑫存储（CXMT）也相继决定停产DDR4，连锁反应导致旧款DRAM价格大幅上涨。5月DDR4 8Gb PC用通用产品的平均价格为2.1美元，环比上涨27.27%；NAND闪存128Gb存储卡和USB用通用产品平均价格为2.92美元，环比上涨4.84%。 以旧款DRAM为主的市场供需持续紧张，DDR4价格大幅走高，成为韩国存储企业业绩增长的重要推手。继第一季度之后，受DDR4减产影响，库存囤积需求尚在持续。市场调研机构集邦咨询（TrendForce）表示，DDR4的平均现货价格从上周的2.963美元涨至本周的3.314美元，涨幅达11.8%，部分DDR4现货价格已高于DDR5。 DRAM价格上涨趋势预计会持续至下半年。韩华投资证券研究员表示，目前DRAM市场中，DDR5和DDR4都面临产能瓶颈，DDR4又处于停产阶段，供应限制加剧，因此下半年价格有较大可能维持上涨趋势。 除了DRAM价格上涨以外，高带宽存储器（HBM）也可能同时带动SK海力士实现优异业绩。在高端市场的主导地位与AI服务器需求的持续增长是SK海力士的核心动力，第二季度营业利润预期目前为8.7725万亿韩元，较三个月前（7.5671万亿韩元）上调逾15%。部分券商预测，第二季度营业利润可能超过9万亿韩元。 在HBM的带动下，SK海力士每个季度的利润都有所增加。下半年AI存储需求预计还会继续扩大，三星电子也计划年内向英伟达供应HBM3E 12层堆叠产品，借此实现盈利改善。在AI市场整体规模不断扩大的环境下，韩国半导体行业有望持续受益。

美国特朗普政府正在着手重新审查对半导体企业发放的补贴，但全球半导体企业依旧纷纷宣布扩大在美投资计划，导致三星电子和SK海力士等韩国半导体企业面临更大压力。如果在缺乏补贴的情况下也需要增加投资，韩国企业则必须全面调整全球生产战略，引发业内担忧。 美国半导体企业美光科技（Micron）当地时间12日宣布，计划扩大美国本土投资至2000亿美元，较去年拜登政府时期公布的1250亿美元计划增加60%。这一声明发表正值特朗普多次公开表示，不依赖政府补贴，仅通过关税施压即可促使全球半导体企业加大在美投资。 今年3月初，中国台湾晶圆代工企业台积电（TSMC）宣布计划追加1000亿美元的在美投资后，全球半导体企业之间逐渐出现一波“亲特朗普”趋势。 美国商务部在美光发布扩张计划后随即宣布提供最高2.75亿美元的补贴，但市场普遍认为这笔资金是对去年12月与拜登政府达成初步协议的最终确认，因此不能看作新增补贴。 有分析指出，特朗普政府可能会以此次美光的投资声明为契机，正式启动对《芯片法案》补贴条款的重新协商。主管《芯片法案》补贴的美国商务部部长霍华德·卢特尼克（Howard Lutnick）本月4日在国会听证会上表示：“部分芯片补贴似乎过于慷慨”，并透露正在与部分企业重新协商补贴条款。 如果特朗普政府在不增加补贴的情况下持续施压企业加大投资，三星电子和SK海力士的负担则会大幅加重，甚至可能需要调整全球生产战略。 三星电子在拜登政府期间宣布，计划投资超过370亿美元，截至2026年在得克萨斯州泰勒市新建半导体代工厂，并在去年12月与美国商务部正式签署协议，获得47.45亿美元补贴。SK海力士则计划截至2028年在印第安纳州西拉斐特建造一座人工智能（AI）存储半导体封装工厂，并在上月与美方签订协议，获得最多4.58亿美元直接补贴和5亿美元贷款。

据芯片行业10日消息，日本NAND闪存企业铠侠（KIOXIA）正在大幅扩充产能，积极进军人工智能（AI）数据中心市场。目前，全球NAND市场由三星电子和SK海力士主导，但随着竞争加剧，领先企业的市场份额正在逐渐缩小。后进企业扩充产能后，NAND市场格局可能随时重塑的担忧开始出现。 铠侠近日公布中长期经营战略，计划截至2029年把主要NAND生产工厂的产能在去年基础上提升一倍以上。公司还计划在明年3月前提高先进第八代NAND生产比例，以此实现先进产品营收超过传统通用NAND产品的目标。 值得注意的是，铠侠还在正式推进下一代NAND产品存储级内存（SCM）的生产。该产品结合NAND与DRAM的优势，具备更快的读写速度与更大的存储容量，是下一代存储技术的核心。 为实现上述目标，铠侠计划利用每年最多20%的营收进行设备投资。目前，公司在日本四日市和北上地区分别运营NAND生产工厂。借助去年完成的上市融资及日本政府的支援，铠侠正在全力开发面向AI数据中心的新一代产品。 随着全球NAND市场竞争日趋激烈，业界分析指出，后发企业的积极投资可能打破三星与SK海力士主导的市场格局。数据显示，NAND市场排名第一的三星电子市场份额已从去年第四季度的33.9%降至今年第一季度的31.9%，包括旗下Solidigm在内的SK海力士份额也从20.5%降至16.6%。 相比之下，排名第三的美光（Micron）市场份额从13.8%升至15.4%。铠侠份额则为14.6%，与第二至第四名之间的差距不大。SK海力士与美光的份额差距仅为1.2个百分点，三星电子的份额也持续下滑，形势不容乐观。 另外，美国闪迪（SanDisk）市场份额为12.9%，中国长江存储（YMTC）为8.1%，均取得不容小觑的成绩，导致市场竞争的不确定性进一步加剧。NAND的技术门槛相对低于DRAM，因此后发企业可以在较短时间内缩小与领先企业的技术与产能差距。 此前，三星电子今年第一季度的NAND营收为42亿美元，环比减少25%，主要受企业级固态硬盘（SSD）需求疲软影响。同期，SK海力士的NAND营收为21.9亿美元，环比下降35.5%。 业内人士表示，海外竞争企业在本国政府的大力支援下快速追赶，技术与市场差距正在缩小。韩国企业不仅需要加快先进技术开发，也需要与新一届政府积极沟通，争取政策和资金支持。

人工智能（AI）的崛起引发存储半导体行业的技术竞争，同时伴随AI产业扩张带动高性能存储器需求的激增，三星电子、SK海力士、美光科技半导体三强格局正在发生变化。一直稳居首位的三星电子如今被SK海力士紧追不舍，美国、日本和中国企业也加快追击步伐，导致韩国业内持续处于紧张状态。 市场调研机构集邦咨询（TrendForce）8日数据显示，SK海力士以第一季度36%的市场份额首次超越三星电子（33.7%），高带宽存储器（HBM）是导致两家公司排名对调的关键因素。SK海力士凭借HBM3E出货占比维持平均售价（ASP），以此登上行业榜首。三星电子在除HBM以外的市场保持整体优势，但在美国出口管制下无法直接向中国销售HBM产品导致营收下滑，从而被SK海力士赶超。这是三星电子33年来首次失去DRAM领域第一位置。 DRAM领域“双强”格局也面临变数。美光科技近日成功推出全球首款基于第六代10nm级制程的LPDDR5X内存，并已向合作伙伴交付16GB容量的认证样品。不过“行业首发”并不等于“行业最优”，还需考量产品稳定性、合格率等各种因素。目前，三星电子与SK海力士的合计市场份额达70%，远超美光的24.3%。业界认为首发优势可能转化为市场先机，尤其是美光在HBM市场上已抢先进入英伟达（NVIDIA）供应链，正在享受AI市场增长带来的红利。 此外，中国企业同样不容小窥。行业数据显示，中国长鑫存储（CXMT）第一季度市场份额达4.1%（11亿美元），超越原本排在行业第四的中国台湾南亚科技（0.8%）。三星电子（31.9%）、SK海力士（16.6%）、美光科技（15.4%）稳居前三，但日本铠侠（14.6%）凭借去年上市与政府支援正在全力开发下一代AI数据中心产品。此外，美国闪迪（12.9%）、中国长江存储（8.1%）也以可观市场份额影响市场格局。 三星电子与SK海力士正在集中发力进行HBM等高附加值存储器的生产，以此来稳固市场地位。新竞争者的激进扩产可能导致传统厂商盈利与市场份额下降。业界人士指出，存储半导体是韩国出口第一品类，对国家整体产业影响巨大。在全球供应链重组与技术竞争激烈的背景下，新政府有必要对此行业给予持续关注与支援。

美国总统唐纳德·特朗普当地时间2日宣布，不仅韩国，还针对越南、印度等地的韩国企业核心生产基地加征最高达46%的对等关税。这一举措迫使三星电子和LG电子重新评估经营战略。目前半导体暂未列入对等关税适用范围，但考虑到特朗普政府此前已对钢铁、汽车等产品实施额外关税，业内普遍关注半导体未来是否也会受到影响。 日前各家公司发布的业务报告显示，三星电子的智能手机、电视和显示器等产品主要在越南生产，尤其是智能手机在越南工厂的产量占全球总量的一半以上。LG电子则在越南生产家电产品。此外，印度和中国也是两家公司生产智能手机、冰箱、空调和显示器等产品的重要基地。根据最新政策，自越南和印度出口至美国的产品即将分别适用46%和27%的对等关税，而中国的关税总额则从此前的20%增至54%。 业内人士认为，实际关税落地实施情况尚不确定，同时各生产基地已有既定的生产计划需要执行，因此短期内调整生产规模较为困难。目前不同国家的关税水平存在差异，企业正在评估提高生产基地灵活运营的战略调整方案。一位家电行业相关人士表示，家电产品本身的营业利润率较低，额外关税导致产品价格上涨不可避免，这可能会对美国消费者产生较大影响，因此特朗普政府未来可能会对关税政策进行调整。 半导体暂未列入对等关税范围，但业内认为政策变动的风险尚存。半导体产品是智能家电、智能手机、人工智能（AI）服务器等终端产品的核心组件，而上述终端产品的关税上调会间接影响半导体市场。 韩国制造的存储芯片出口至中国台湾进行AI服务器组装后，再出口至美国，则可能受到关税影响。美国是AI服务器的重要销售市场，而美国本土的AI服务器组装比例较低，一旦关税实施，科技巨头的服务器采购成本会大幅上涨。 有分析认为，特朗普政府此次未把半导体列入关税范围，是考虑到美国本土企业的负担。英伟达的大部分高带宽存储器（HBM）芯片来自SK海力士，而美国本土存储芯片厂商美光超过90%的DRAM产量也来自海外。如果美国政府对半导体加征关税，这些企业会受到直接冲击。 半导体行业相关人士表示，大多数美国科技公司都依赖海外进口芯片，如果对半导体产品征收关税，美国本土企业会首当其冲。因此，相较提高关税，特朗普政府更有可能通过政策手段吸引半导体企业增加在美国本土的投资。 高丽大学经济学教授姜成镇（音）指出，美国一直在推动芯片厂商在本土建厂，但短期内在美国建设半导体工厂几乎不可能，因此特朗普政府在正式推出半导体关税政策之前，必然会反复权衡利弊。 三星电子会长李在镕（左）2022年访问位于越南河内的三星电子越南法人，并检查通信设备生产情况。【图片来源 三星电子】

受通用存储芯片价格疲软影响，韩国半导体巨头三星电子与SK海力士2025年第一季度的业绩预计不及市场预期。尽管业界预测第二季度半导体行业将迎来复苏，但市场回暖的步伐或较为缓慢，难以出现剧烈反弹。 据韩国金融信息公司FnGuide于3月31日发布的预测，三星电子今年第一季度的营业利润预计在5万亿韩元（约合人民币245.8亿元）左右，较去年同期的6.6万亿韩元以及前年第四季度的6.5万亿韩元下降超1万亿韩元。分析认为，存储芯片价格疲软以及晶圆代工（代工制造）业务亏损扩大是导致业绩下滑的主要原因。 多家券商预测，三星电子半导体部门（DS部门）尽管在存储业务上取得2万亿韩元以上的盈利，但由于系统半导体和晶圆代工业务亏损严重，整体预计亏损约4000亿韩元。尤其是高带宽存储（HBM）芯片因出口管制受到影响，同时通用存储芯片价格下跌，进一步拖累盈利能力。 SK海力士的业绩也呈现类似趋势。市场分析机构预测，SK海力士今年第一季度的营业利润将达到6.5万亿韩元，虽然较去年同期的2.886万亿韩元有所增长，但相比去年第四季度的8.1万亿韩元仍减少超1万亿韩元。业界认为，通用DRAM存储芯片价格下滑以及HBM对主要客户英伟达（NVIDIA）的出货量减少，是导致业绩下降的主要原因。 尽管第一季度业绩低迷，但市场对第二季度的表现持谨慎乐观态度。近期，存储芯片需求回暖迹象显现，美国存储芯片厂商美光（Micron）宣布大幅上调产品价格，预示着市场即将迎来转折点。业内预计，AI及数据中心需求增长将推动存储芯片市场逐步复苏。 三星电子内部人士透露，DS部门高层近期向员工表示，第一季度将成为全年业绩的“低谷”，从第二季度开始，行业景气度将逐步回升，预计公司盈利能力也将恢复。但他同时指出，市场难以出现“V型反弹”或“戏剧性逆转”，更多是回归正常水平。 中国市场需求增长被视为韩国半导体企业业绩改善的重要因素之一。分析机构表示，近期中国市场的移动端DRAM库存调整已接近尾声，DDR4现货价格在DDR5之后也呈现上升趋势，显示出上半年存储芯片价格已进入上行通道。此外，全球存储芯片厂商维持谨慎的供货策略，也在一定程度上推动了价格上涨。 NAND闪存价格方面，经过长期减产，市场预计4月起价格将进入上升周期。分析人士指出，NAND闪存价格将在4月上涨，而DRAM价格在库存调整后也趋于稳定，预计二季度后将进入上升趋势。他还表示，中国的“以旧换新”政策以及美国关税政策促使市场进行提前库存积累，再加上AI基础设施投资增长，整体存储芯片需求有望超出市场预期。 【图片来源 韩联社】

近日，业内分析认为，三星电子在存储半导体领域的技术领先优势正在迅速缩小。中国长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）正在加快技术追赶步伐，三星曾占据主导地位的NAND闪存市场也面临竞争压力。与此同时，三星在下一代存储产品的研发进展缓慢，部分业内人士认为其研发（R&D）和产品开发战略调整已迫在眉睫。 据业界27日消息，三星电子半导体（DS）部门在下一代产品及工艺开发方面面临困难。三星在400层级NAND闪存的量产过程中，决定采用长江存储的“混合键合（Hybrid Bonding）”技术专利。混合键合是一种不使用凸点（Bump），直接连接晶圆与晶圆的先进封装工艺。在尖端DRAM领域，三星正对10nm级第六代（1c）DRAM进行重新设计，而下一代10nm级第七代（1d）DRAM的研发进展也不顺利。 三星电子决定在400层级NAND闪存生产中采用长江存储的混合键合专利，这被视为长江存储在关键技术上已经占据上风。此前，长江存储在NAND市场的影响力较小。数据显示，截至2024年第三季度，三星电子在全球NAND市场的份额为35.2%，排名第一，SK海力士以20.6%排名第二，而长江存储的市场份额则低于5%。 然而，长江存储凭借混合键合技术迎头赶上。与三星和SK海力士主要改进现有堆叠工艺不同，长江存储过去几年专注于3D NAND的混合键合技术，并成功实现商业化。长江存储将这一技术命名为“Xtacking”，随着NAND堆叠层数进入400层级，传统工艺遇到了瓶颈，混合键合技术成为突破关键。相比之下，三星和SK海力士目前的量产NAND分别为286层和321层。 除了NAND市场，三星在DRAM领域的竞争力也受到冲击。三星最近决定对最先进的1c DRAM芯片进行重新设计，这一决定可能会导致市场布局延迟。 DRAM技术每提升一代，都会进一步缩小电路尺寸，提高性能并降低功耗。目前，三星、SK海力士和美光的市场竞争主要围绕1a和1b DRAM展开，而1c DRAM的研发被视为下一个关键战场。然而，由于重新设计1c DRAM需要耗费大量时间，包括重新绘制电路图、调整生产所需的光罩（Mask）等，市场竞争格局可能受到影响。美光公司已于本月25日（当地时间）宣布向客户提供1c DRAM样品，这意味着其在技术推进上已经领先于三星。 如果1c DRAM开发受阻，三星的第六代高带宽存储（HBM4）业务也将受到严重影响。三星在第五代HBM（HBM3E）市场中已被SK海力士超越，导致在AI半导体时代落后。为了扭转局势，三星计划在HBM4产品中采用1c DRAM技术，而SK海力士则计划在其HBM产品中采用1b DRAM。 此外，三星下一代1d DRAM的研发进展也不及预期。业内人士透露：“三星最初计划将1d DRAM的电路线宽缩小到10.3至10.4nm，但目前的技术条件下难以实现这一目标。” 随着中国存储芯片厂商的快速崛起，三星电子在NAND和DRAM领域都面临着巨大的挑战。未来，三星是否能够通过战略调整，重新夺回技术优势，仍需拭目以待。 【图片来源 韩联社】

去年创下历史最高业绩的SK海力士预计将顺利完成原定于今年3月进行的英特尔NAND闪存业务收购的最后一笔资金交付。未来，SK海力士将接手英特尔NAND业务相关的知识产权（IP）以及中国大连工厂的运营权和员工。此次交易消除了不确定性，不仅吸收了生产设施，还包括技术和人员，这对公司是积极的。然而，考虑到特朗普政府可能在第二任期内加强对华经济制裁，以及NAND行业面临的市场困境，不应仅仅抱持乐观态度。 据半导体业界23日透露，SK海力士继2021年支付70亿美元完成第一次资金交付后，将于今年3月支付剩余的20亿美元，从而完成对英特尔NAND闪存、固态硬盘（SSD）业务的收购合并（M&A）。SK海力士相关人士解释称：“交易完成后，大连工厂的运营权将全面移交，从而实现业务的整体统一性。” 通过收购英特尔NAND业务，SK海力士克服了在该领域的劣势。此前，NAND闪存业务一直是SK海力士的“痛点”。海力士在DRAM领域一直紧随三星电子之后，保持第二的位置，但在NAND业务方面一直停留在第五位。但现在，海力士巩固了DRAM第二、NAND第二的位置，与三星电子一起形成了明确的存储半导体两强格局。 然而，业界对SK海力士收购中国工厂的前景持审慎态度，尤其是在特朗普政府加大对华经济制裁的背景下。由于特朗普总统一贯坚持对中国商品征收高关税的政策，这无疑增加了业务的不确定性。有分析指出，随着中国企业的快速发展，韩国半导体在全球市场的竞争优势可能会受到削弱。 半导体工程学会会长柳会峻对SK海力士收购英特尔一事表示：“特朗普政府推行的‘美国优先’政策可能产生影响。从长远来看，当中美关系缓和时，这或许会成为一个重要筹码，但当前更像是‘接了一个包袱’。” 特别是业内专家对中国工厂NAND闪存的增长性持负面展望。虽然普遍认为由于AI热潮导致数据中心扩充等，NAND闪存行业暂时需求会增加，但担心中国业务会成为绊脚石。 前韩国半导体产业协会副会长李昌汉评价说：“SK海力士短期内能否维持整体产量不确定，但在中国开展业务本身就具有一定风险。”他还指出：“仅靠现有的存储业务，在中国构建高端产品群很困难，只能进行补充现有产量的投资，很难进行尖端技术的新投资。” 在三星电子工作了30多年的嘉泉大学半导体大学院特聘教授金容晳表示：“SK海力士、三星电子等在中国生产的NAND闪存等即使在当地有一定市场，但最终也难以完全排除对美国的出口。虽然各有自己的判断，但如果特朗普持续对中国进行打压，那么用于工艺升级的设备引进也具有一定困难。” 他特别强调，特朗普政策带来的不确定性以及中国半导体企业的崛起是需要关注的长期变量。他指出：“随着中国企业逐渐提高存储生产能力，韩国半导体企业的全球市场地位可能会受到威胁。从长远来看，或许需要逐步减少对中国市场的依赖。” NAND行业展望也不乐观。有预测称，今年全球主要半导体企业将开始削减NAND闪存的产量。市场调查机构集邦咨询（Trend Force）表示，今年NAND闪存行业预计将面临因需求疲软和供应过剩导致的双重压力。对此，主要制造商正通过降低开工率和延迟工艺升级来实施减产，包括美光、三星电子、SK海力士（含Solidigm）、铠侠和西部数据等公司。 NAND制造商选择减产是因为市场行情持续恶化。受国内外不确定性扩大影响，智能手机和笔记本电脑等核心消费电子产品的出货量持续低迷。而企业级SSD市场也因IT投资放缓而增长受限。 此外，NAND价格从去年第三季度起开始下跌，今年上半年的需求前景依然悲观。中国存储企业的崛起也加剧了市场竞争。集邦咨询指出：“中国供应商借助国家替代政策积极扩大产量，全球市场竞争日益加剧。”据了解，美光、铠侠和西部数据已宣布削减产量，而三星电子和SK海力士也需要根据市场情况调整生产战略，以应对库存压力和技术升级的挑战。 SK海力士韩国京畿道利川总部【图片来源 韩联社】

据芯片行业23日消息，当地时间21日，美国总统特朗普在白宫举行记者会，正式公布由甲骨文（Oracle）、OpenAI和软银（SoftBank）联合参与的投资项目“星际之门”（The Stargate Project）。该项目的核心是从德克萨斯州开始，在全美范围内建设大规模数据中心。此次投资总额高达5000亿美元，是美国科技巨头过去一年投资总额（2000亿美元）的两倍以上。 建设数据中心需要大量用于人工智能（AI）计算的图形处理单元（GPU），这会直接带动高带宽存储器（HBM）等内存产品的需求增长。三星电子和SK海力士目前与美国美光科技（Micron Technology）共同掌控全球HBM市场。如果该项目正式启动，预计韩国企业主导的HBM需求会进一步扩大。 值得注意的是，SK海力士几乎垄断AI半导体领军企业英伟达（NVIDIA）的HBM供应链，因此可能成为该项目的最大受益方。近期AI行业面临投资回报速度缓慢的质疑，此次大规模投资计划依旧引发行业广泛关注。 分析指出，该项目也可能成为“非英伟达阵营”定制化AI半导体市场的加速契机。OpenAI目前正在与定制芯片公司博通（Broadcom）合作，开发替代GPU的“定制AI半导体”项目。该项目成果预计耗时一年以上才能显现，但市场普遍预测这可能成为英伟达通用GPU的主要竞争者。 此外，定制化AI半导体预计也会使用HBM，因此除了英伟达之外，是否会出现新的HBM大型客户备受业界关注。业内人士表示，三星电子和SK海力士等DRAM厂商的议价能力有望提升，对于英伟达占有率较低的企业来说，这可能是一个新的市场机会。 值得一提的是，AI市场投资回报延迟引发担忧，但内存行业的结构增长依旧值得期待。近期，高盛（Goldman Sachs）把今年HBM市场规模预期从原来的290亿美元上调24%至360亿美元。摩根大通（JP Morgan）则预计，HBM市场规模会在今年达到380亿美元，明年进一步增长至580亿美元。 当地时间21日，美国总统特朗普在白宫罗斯福厅发表演讲，正式公布由甲骨文（Oracle）、OpenAI和软银（SoftBank）联合参与的投资项目“星际之门”（The Stargate Project）。【图片来源 韩联社】