LG Innotek 计划将高附加值半导体基板作为未来增长的支柱，目标到2031年将营业利润提升至1万亿韩元。该公司旨在快速扩大业务规模，以应对智能手机和通信之外，人工智能（AI）和高性能计算（HPC）市场的高附加值半导体基板需求增加。 在6月16日于首尔江南区马曲总部举行的媒体技术日上，LG Innotek 发布了三款高附加值半导体基板的“英雄（Hero）产品”，具体包括：无线射频封装系统（RF-SiP）、翻转芯片封装（FC-CSP）和翻转芯片球栅阵列（FC-BGA）。 封装解决方案业务去年占公司总收入的约10%，但营业利润占比达19%，是典型的高收益业务。去年该业务的收入为1.72万亿韩元，同比增长18%，营业利润为1289亿韩元，增长82%，证明了其增长潜力。 尤其是AI市场的扩展正在推动半导体基板行业的结构性增长。用于AI服务器和高性能半导体的基板，其尺寸比现有的移动产品大数倍，层数也从原来的6-7层增加到20层以上。能够应对急剧增加的需求的生产能力成为新的竞争力，客户对具备稳定供应能力的公司的需求也在增加。 因此，公司也在扩大投资以增加产能。计划在越南工厂的PS业务（RF-SiP和FC-CSP）中初步投资1万亿韩元，并逐步扩大。龟尾工厂的光学解决方案相机模块和FC-BGA等项目的投资也已确定为6000亿韩元。 特别是，LG Innotek 将以自动化水平较高的龟尾FC-BGA工厂为前锋，加快市场攻势。随着基板的大型化和高层化，生产过程的自动化变得必不可少，LG Innotek计划基于差异化的制造竞争力，与客户建立长期稳定的供应体系。 乔治泰 LG Innotek 封装解决方案事业部部长表示：“基于AI的S曲线的快速增长现在刚刚进入初期阶段”，并表示：“我们将以差异化的技术为基础，迅速扩大在新兴的半导体基板市场的市场份额，计划到2031年将封装解决方案业务发展为营业利润达1万亿韩元的规模。”他还强调：“到2030年，我们将在FC-BGA市场上摆脱后发者形象，跃升为全球领先企业。” 积累超过50年的独特技术‘RF-SiP’基板……6G时代的附加价值‘迅速’ LG Innotek 首先介绍的‘RF-SiP’基板被认为是公司积累超过50年的独特技术的结晶。RF-SiP 是将功率放大器、芯片组等无线通信所需的各种组件结合为一个封装的通信用半导体部件，LG Innotek 正在开发和生产将其连接到主板的核心基板。 LG Innotek 在小面积基板上紧凑地集成了多种组件和微细电路，形成了高集成度和超精密的基板技术。相关技术专利多达1868项。特别是在2011年，LG Innotek 首次开发并量产了无核心（Coreless）RF-SiP基板，使厚度比现有产品减少20%，并采用低损耗材料和特殊铜工艺，信号损失减少超过70%。基于此，LG Innotek 自2016年起一直保持全球RF-SiP基板市场的第一位，去年市场份额约为65%。预计今年将扩大至80%。 随着5G时代的到来，智能手机对轻薄化的需求日益增加，LG Innotek 的技术竞争力愈加突出。需要同时支持LTE和5G的智能手机，虽然搭载的组件数量大幅增加，但厚度却必须变得更薄。LG Innotek 以此为解决方案，首次在RF-SiP基板上应用了在半导体基板上先建立铜柱（Cu-Post），然后将焊球连接的工艺。 Cu-Post工艺能够更紧密地排列焊球之间的间距，从而提高电路的集成度，同时将基板厚度减少约20%。通过这一技术，LG Innotek 实现了全球最薄的5G RF-SiP基板，并成功在两个米粒大小的基板内集成了100多个通信组件。目前，LG Innotek 正在开发进一步缩小焊球间距10%的下一代Cu-Post技术，计划在未来的6G时代继续保持在高附加值通信用基板市场的技术主导地位。 “超越移动AP，扩展到内存等领域”……智能AI核心部件‘FC-CSP基板’ FC-CSP 是 LG Innotek 在 AI 时代新增长动力中发展的核心半导体基板。FC-CSP 是将移动AP和低功耗DRAM（LPDDR）等半导体芯片与主板连接的基板，采用翻转芯片方式将芯片翻转并通过凸点（Bump）连接，实现高集成度和优异的电气特性。LG Innotek 基于高集成和超精密的基板技术，在FC-CSP市场上也获得了全球顶级竞争力。 随着AI市场从学习型AI转向推理型和智能AI时代，FC-CSP的应用范围也从移动领域扩展到内存领域。随着AI加速器和服务器中GDDR等高性能内存的使用增加，FC-CSP基板在内存半导体封装中的需求也迅速增长。 LG Innotek 计划基于现有移动用FC-CSP的量产经验，抢占新兴的AI用FC-CSP市场。黄正浩 封装解决方案市场部部长表示：“LG Innotek 最近获得了全球半导体客户的GDDR7用FC-CSP基板订单”，并指出：“随着内存用FC-CSP基板的新订单不断增加，龟尾半导体生产线已满负荷运转。”他还补充道：“即将在本月开工的越南半导体基板新工厂将首先扩大FC-CSP和RF-SiP基板的生产线，以应对国内外客户的需求。” ‘后发者’FC-BGA龟尾工厂，建立行业最高水平的智能工厂 随着高性能、高规格半导体芯片的应用领域从智能手机扩展到尺寸更大的PC、笔记本、车辆、AI服务器和数据中心（DC），FC-BGA基板的需求也随之增加。FC-BGA基板是专门针对大型设备的半导体基板，其功能与移动AP用FC-CSP基板相似。 与FC-CSP基板相比，FC-BGA基板的面积扩大了18倍以上，基板层数也达到16-22层，要求更高的技术水平。LG Innotek 目前已掌握85mm级大面积FC-BGA的量产技术，并正在开发120mm以上的超大面积产品。 LG Innotek 于2022年宣布进军FC-BGA业务后，在龟尾4工厂建立了应用AI、深度学习、机器人和数字双胞胎技术的智能工厂“梦想工厂”。由于大面积基板的良率受到微小杂质的影响，LG Innotek 通过全面自动化和智能化生产过程，确保了生产效率和质量竞争力。 业务成果也开始显现。LG Innotek 在网络和调制解调器用FC-BGA量产后，去年底开始为全球大型科技客户生产PC芯片组产品。今年第三季度将向同一客户供应PC CPU用FC-BGA，计划到2028年将业务扩展到自动驾驶汽车和AI服务器用CPU和GPU市场。 随着AI市场从学习型转向推理型AI，CPU和内存的需求迅速增加，这也支撑了FC-BGA市场的扩展。LG Innotek 正在与全球大型科技客户讨论CPU用FC-BGA的供应，并考虑在国内进行进一步的增资投资。公司计划以智能工厂为基础的生产竞争力，力争在快速增长的FC-BGA市场中成为核心供应商。 乔治泰部长表示：“LG Innotek 将持续开发可广泛应用于边缘计算、国防等多个领域的FC-BGA基板，同时积极开拓全球大型科技新客户，将FC-BGA业务发展为公司的核心业务。” ※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

在华丽的AI（人工智能）竞争中，英伟达和半导体占据了中心位置，但改变工业现场格局的真正胜负最终将在制造业中决出。传统制造企业LG正在将AI作为一种工具，不再仅仅是服务或功能，而是重新设计工厂、供应链和客户体验，开始进行对“制造DNA”的巨大转型。 具光谟LG集团会长在今年首次召开的总裁会议上表示：“快速执行比完美的计划更为重要”，亲自下达了AX（AI转型）速度战的指令。这一变化被认为是LG在迎接AI时代时，开始比任何人都快地改变组织和业务结构的体现。 LG长期以来被称为“传统制造业的强者”。LG电子、LG化学、LG能源解决方案、LG显示器等集团核心子公司大多是基于实物制造竞争力而成长起来的。 然而，在AI时代，单靠优质的产品制造已难以生存。产品设计、生产与质量管理、物流与营销、客户数据分析等整个过程都在向AI和数据中心的结构转变，工业秩序正在重塑。 LG将此视为不仅仅是数字化转型，而是改变制造业运营体系的问题。实际上，最近LG内部的氛围是，AX不仅是某个IT组织的任务，而是涵盖生产、研发、供应链和客户管理的集团核心战略。 具会长在3月于首尔中区南山领导力中心召开的总裁会议上，将AI带来的产业结构变化比作电力和互联网的出现，并表示：“这要求我们进行根本性的变化，以准备迎接新时代。” 他特别强调：“在有业务影响的领域，即使是小的事情也要迅速执行，积累和扩散成果。”将AX的核心定义为速度和执行力。这一信息被解读为反映了在AI时代，单靠以往制造业强者的成功公式——谨慎审查和稳定运营，已难以跟上时代的速度的危机感。 变革的最前沿是LG电子。LG电子不再仅仅是一个家电公司，而是围绕暖通空调（HVAC）、智能工厂、汽车电子和平台业务，迅速改变企业体质。尤其是在工厂自动化和工业解决方案领域，LG正在加速AI基础的生产优化和能源效率技术的获取。 对LG电子而言，AI不仅是新产品功能，而是提升制造竞争力的核心工具。AI技术被应用于提高生产线运营效率、降低不良率和优化能源使用的全过程。随着AI数据中心的扩大，快速增长的HVAC业务也正从单纯的制冷设备，崛起为“AI基础设施时代的核心产业”。 电池业务同样如此。由于电动车市场需求暂时减缓的“峡谷现象”长期化，LG能源解决方案等全球电池企业面临着确保盈利能力的现实挑战。仅靠过去那种激进的扩张竞争已难以保证生存。 最终，关键在于工厂运营效率、良率改善和成本竞争力的获取。在这一过程中，基于AI的工艺优化和质量预测技术的重要性也在迅速上升。 LG能源解决方案也在以生产效率和运营优化为中心，扩大AX的应用范围。利用AI进行工艺数据分析和不良预测系统的提升，正在超越单纯的成本节约，成为电池产业生存竞争力的一部分。 在这一集团层面的AX战略中心是LG AI研究院。 LG AI研究院以超大规模AI模型“EXAONE”为核心，汇聚了集团内部的AI能力。市场上，生成型AI竞争正向消费者服务中心发展，但LG则相对专注于将AI应用于工业现场和制造领域的实战型战略。 实际上，在今年的总裁会议上，LG利用EXAONE进行实时讨论分析、关键词提取和会议摘要等，将会议本身作为AX执行的案例。这一场景反映了LG希望将AI技术融入实际工作和管理决策过程的决心。 LG CNS也是集团AX战略的另一个支柱。LG CNS不仅加速集团内部的数字化转型，也在对外企业的AX业务扩展上加快步伐。随着制造、物流、金融和公共领域对AI·云基础的数字化转型需求的扩大，LG的AX能力正与新的B2B商业机会相连接。 LG的举动与三星或SK有所不同。三星基于巨额投资专注于半导体的超越战略，而SK则在电池和生物领域进行大规模的重组，LG则在加强现有主力业务的竞争力方面扩大AI的应用范围。 LG并没有强行开辟新的领域，而是将AI与制造、质量和客户体验等现有优势结合，以最大化竞争力。市场上对此评价为“最具LG特色的AI战略”。 实际上，LG过去也通过选择和集中战略重组了业务结构。果断退出智能手机业务，减少了盈利能力下降的LCD业务比例。相反，LG将能力集中在汽车电子、电池、HVAC和工业解决方案等未来增长潜力较大的领域，调整了集团的投资组合。 如今的AX战略也被分析为不仅仅是技术引入，而是重新设计集团未来实力的过程。 业界人士表示：“在AI时代，制造业的竞争力不再仅仅由低廉的人工成本或生产规模决定，积累和分析数据以提升生产力、质量和客户体验的能力正成为核心竞争要素。” LG目前推进的AX也是为了增强制造业的本质竞争力。相比于华丽的AI服务竞争，深度将AI融入工业现场的静默创新，正成为决定LG未来的关键变量。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子终于成功加入了梦寐以求的1万亿美元市值俱乐部。其市值在交易中突破了1500万亿韩元，折合美元超过1万亿美元，成为继台湾的台积电之后，第二家达到这一里程碑的亚洲企业。这不仅仅是股价的上涨，而是韩国企业在全球资本市场的最高舞台上自信崛起的历史性事件。三星电子与英伟达、苹果、微软、亚马逊、字母表、博通、台积电、阿美石油、Meta、特斯拉等超级巨头并肩而立，标志着韩国工业不再是追赶者。拥有半导体、移动设备、家电、显示器以及人工智能供应链的综合产业平台，正在全球市场上重新获得认可。这一成就的根源在于三代人传承的企业报国历史。李秉喆开创了产业的种子，他通过贸易、制造、金融和人才培养奠定了韩国经济的基础。李健熙会长则引领了质的转变。“除了妻子和孩子，其他都要改变”的宣言不仅是口号，更是体质创新的起点。半导体的超越战略和质量革命将三星推向了世界一流企业的行列。如今，李在镕会长的时代面临着新的考验。三星电子必须在人工智能半导体、高带宽内存、代工、生命科学、机器人和下一代通信等未来产业的战场上开辟新路。然而，1万亿美元的荣耀并不是庆祝的终点，而是战争的开始。当前全球半导体秩序正在迅速重组。英伟达掌握了人工智能加速器的核心，台积电则是代工领域的绝对强者，控制着客户生态。博通通过定制半导体扩展AI基础设施，苹果则将芯片设计与服务生态结合，主导消费市场。尽管三星在内存领域占据绝对优势，但在AI时代，仅靠内存是不够的。如果不具备高带宽内存、先进封装、代工良率、设计能力和软件生态的综合竞争力，1万亿美元的位置将难以维持。与此同时，内部的绩效奖金争论愈演愈烈。工会要求合理分配成果，而公司则强调长期投资和竞争力的维持。这一冲突不仅仅是工资问题，而是关乎企业本质的问题，即“企业是什么”。企业是一个分享短期成果的组织，还是一个为长期生存而共同体？这一问题的答案正在三星电子内部接受考验。在这里，资本主义的基本原则——剩余索取权不可忽视。劳动者获得工资，合作伙伴获得供货款，债权人获得利息，国家获得税收，最后剩余的收益归股东所有。股东获得剩余的原因不是特权，而是责任。因为在损失发生时，他们处于最后承担损失的位置。这不是道德问题，而是契约问题。承担风险者获得回报的简单原则。然而，这一原则在现实中难以完全接受。处于半导体产业前沿的劳动者要求“共享成果”是合理的。问题在于方式。以短期现金为中心的分配无法保障企业的未来。需要通过长期股票激励、员工持股、限制性股票单位等结构，使劳动与资本共同分享成长的果实。美国大型科技企业之所以强大，正是因为公司成长时员工也能共同成长，形成了激励的对齐。政府和政治界的角色也应明确。一旦将三星电子视为政治分配的对象，企业就会成为斗争的场所。政府应提供支持，而非干预。通过税收、能源、水资源、人才、研发、放宽监管和外交支持，确保企业在全球竞争中不落后。商界和学界应提出结构性的解决方案，而非情感化的反应，劳动者也应思考权利与责任的平衡。公众应将三星电子视为国家竞争力的支柱，而非单纯的指责对象。历史警示我们。雅虎曾是互联网的门户，却迷失了方向；诺基亚曾是手机之王，却未能成功转型为智能手机；思科是互联网泡沫的象征，但在泡沫破裂后经历了漫长的低迷。科技企业的巅峰并非荣耀，而是风险。昨日的成功并不能保证明日的生存。三星电子也不例外。如今的1万亿美元只是对过去成就的评估，并不是未来的保证。因此，三星电子的前行之路十分明确。必须在技术上领先，保持市场信任，组织要灵活，劳资关系要演变为共同命运体。平衡短期业绩与长期投资、劳动与资本、效率与稳定是关键。若偏向任何一方，企业将动摇。平衡一旦破裂，竞争力也将随之崩溃。最终，三星电子的1万亿美元入场引发了一个问题：我们选择什么样的资本主义？是一个不分风险只分配回报的结构，还是一个风险与回报共同设计的结构？答案显而易见。资本主义是承诺的体系，只有当承诺得到遵守时，成长才有可能。现在，三星电子站在选择的十字路口。是加大投资，还是分享当前成果？是走得更远，还是安于现状？企业报国的道路依然有效，但这条路比以往更加艰难。全球专家的观点明确指出了这一点。路透社评价称：“三星电子突破1万亿美元市值反映了对AI半导体的期待，但未来的竞争力将取决于代工和高带宽内存。”《金融时报》指出：“三星电子是内存强者，但在AI时代的赢家将是主导生态的企业”，强调了结构性转型的必要性。此外，全球投资银行高盛分析认为：“三星电子的未来价值不仅取决于业绩，还取决于长期的技术领导力和投资持续性。”最终，答案只有一个。投资、创新、公平分配，并坚持到底。这是1万亿美元市值企业的宿命，也是企业报国的下一个阶段。

在全球人工智能（AI）产业快速发展的态势下，韩国半导体巨头SK海力士公布了有史以来最佳的季度业绩。 SK海力士23日发布的财报显示，今年第一季度销售额为52.5763万亿韩元（约合人民币2428.5亿元），同比增长198%；营业利润为37.6103万亿韩元，同比暴增405%，销售额和营业利润双双创下单季历史新高。同期净利润为40.3459万亿韩元，营业利润率和净利润率分别达72%和77%。 SK海力士表示，尽管第一季度通常为季节性淡季，但在AI基础设施投资持续扩大的带动下，市场需求保持强劲。公司通过扩大高带宽存储器（HBM）、大容量服务器DRAM模块、企业级固态硬盘（eSSD）等高附加值产品的销售，延续了业绩上升势头。 受强劲业绩驱动，截至今年第一季度，公司现金及现金等价物环比增加19.4万亿韩元，达54.3万亿韩元；借款额减少2.9万亿韩元，降至19.3万亿韩元，净现金达35万亿韩元。 公司分析指出，随着AI从以大型模型训练为核心，向代理式人工智能（Agentic AI）阶段演进，存储器需求正向DRAM和NAND闪存全领域延伸。对此，SK海力士将持续推进两大领域的新产品开发与供应，以灵活应对多元化需求。 在HBM领域，公司将进一步强化整合性能、良率、质量及供应稳定性的综合执行能力。在DRAM领域，公司将全面启动全球首款采用第六代10纳米级（1c）工艺的LPDDR6 DRAM，以及基于同一工艺、本月已启动量产的192GB SOCAMM2的供应。在NAND闪存领域，公司在推出基于CTF、采用321层QLC技术的客户端固态硬盘（cSSD）“PQC21”的同时，将通过在eSSD全线构建涵盖高性能TLC和大容量QLC的完整产品矩阵，全面覆盖AI领域的存储需求。 SK海力士还强调，在客户需求持续超出供应能力的背景下，具备应对AI时代需求结构性增长的供应能力已成为核心竞争优势。公司将以韩国清州M15X产能爬坡和龙仁集群为核心，积极推进基础设施建设及EUV等关键设备引进，今年的资本支出规模将同比大幅提升。公司表示，将战略性地扩充生产基础，提前布局中长期需求增长，同时基于需求可见性合理安排投资节奏，兼顾供应稳定性与财务稳健性。 值得关注的是，随着SK海力士创历史最佳季度业绩，市场对其全年营业利润突破200万亿韩元的预期升温。按公司将营业利润的10%用于绩效奖金的惯例，相关奖金规模预计将达20万亿韩元。截至去年年底，SK海力士员工总数为3.45万人，粗略估算人均绩效奖金或将达约6亿韩元。

SK海力士在第一季度创下了72%的营业利润率新纪录，远超半导体行业的标杆台积电（58.1%）。这一成绩主要得益于高带宽存储器（HBM）销售的扩大和通用存储器价格的大幅上涨。 根据23日的公告，SK海力士今年第一季度的销售额为52.5763万亿韩元，营业利润为37.6103万亿韩元，净利润为40.3459万亿韩元。营业利润率达到72%，超过了去年第四季度的58%的最高纪录。 与台积电的差距显著扩大，去年第四季度SK海力士的营业利润率领先台积电4个百分点，而今年第一季度这一差距扩大到14个百分点。 三星电子本月初公布的初步业绩显示，其第一季度的营业利润率为43%，存储器部门的利润率估计在60%至70%之间。 SK海力士在2023年第一季度的营业利润率曾跌至-67%，但在同年第四季度回升至3%，此后每季度持续上升。 本季度销售额首次突破50万亿韩元，营业利润较上季度翻倍，显示出明显的盈利改善趋势。 AI用HBM销售的扩大和通用DRAM价格的急剧上涨是业绩大幅提升的主要原因。SK海力士表示，尽管第一季度是季节性淡季，但由于AI基础设施投资的增加，需求依然强劲，HBM、高容量服务器用DRAM模块和eSSD等高附加值产品的销售扩大，推动了业绩的增长。 通用DRAM价格的急剧上涨是业绩提升的主要推动力之一，第一季度通用DRAM合同价格较上季度上涨了90%以上。HBM在SK海力士整体DRAM出货量中占比约30%，其余为通用产品。 得益于良好的业绩，财务状况也大幅改善。第一季度末现金资产较上季度末增加19.4万亿韩元，达到54.3万亿韩元，而借款减少2.9万亿韩元，达到19.3万亿韩元，实现了35万亿韩元的净现金。 SK海力士总裁郭鲁正上月在股东大会上表示，为应对结构性需求增长并保持竞争力，稳定的财务状况至关重要，并提出了确保超过100万亿韩元净现金的目标。 业绩的上升趋势预计将持续。随着AI技术的发展，存储器需求基础扩展到DRAM和NAND全领域，存储器效率技术的扩散提高了AI服务的竞争力，最终形成了扩大整体服务规模的良性循环环境。公司预计，DRAM和NAND的友好价格环境将持续。 SK海力士将继续投资以确保未来的竞争力。HBM将加强综合执行能力，包括性能、良率、质量和供应稳定性。DRAM方面，将首次应用10纳米级第六代（1c）工艺的LPDDR6，并基于相同工艺开始量产192GB SOCAMM2。 NAND方面，继推出应用CTF技术的321层QLC消费级SSD“PQC21”后，将在企业级SSD全领域推出高性能TLC和大容量QLC产品线，以灵活应对AI需求。 特别是，计划基于与在大容量QLC eSSD方面具有优势的Solidigm的协同效应，增强在AI数据中心和AI PC存储市场的竞争力。 今年的投资规模预计将大幅增加，费用将用于M15X的提升、龙仁集群等基础设施准备以及EUV等核心设备的获取。 SK海力士表示，将战略性地扩充生产基础，以先发制人地应对中长期需求增长，通过考虑需求可见性的投资，确保供应稳定性和财务健康。 ※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士宣布，今年第一季度实现销售额52576.3亿元，营业利润37610.3亿元（营业利润率72%），净利润40345.9亿元（净利润率77%）。 这是公司首次季度销售额突破50000亿元，营业利润和利润率也创下历史新高，较上季度翻倍，显示出明显的盈利改善。 SK海力士表示，尽管第一季度是季节性淡季，但由于AI基础设施投资增加，需求依然强劲，高附加值产品如HBM、高容量服务器DRAM模块和eSSD的销售扩大，推动了业绩增长。 受益于良好业绩，第一季度末现金资产增加至54300亿元，较上季度末增加19400亿元，而借款减少至19300亿元，实现了35000亿元的净现金。 公司分析称，随着AI从大模型训练向多样化服务环境的实时推理演变，内存需求基础正在扩大到DRAM和NAND。 内存效率技术的扩散也将提高AI服务的经济性，并扩大整体服务规模，从而进一步推动内存需求。预计DRAM和NAND的价格环境将持续有利。 SK海力士计划在DRAM和NAND领域继续开发和供应新产品，以应对多样化的内存需求。 高带宽内存（HBM）将进一步加强性能、良率、质量和供应稳定性的综合执行能力。DRAM方面，将全球首次应用10纳米级第六代（1c）工艺的LPDDR6，以及基于同一工艺本月开始量产的192GB SOCAMM2的供应。 NAND方面，继推出应用CTF技术的321层QLC技术消费级SSD（cSSD）“PQC21”后，将在企业级SSD（eSSD）全领域提供高性能TLC和大容量QLC，以灵活应对AI需求。 特别是，基于与Solidigm在大容量QLC eSSD方面的协同效应，计划加强在AI数据中心和AI PC存储市场的竞争力。 SK海力士强调，在客户需求持续超过供应能力的环境下，AI时代结构性需求增长的供应能力成为关键竞争力。 因此，今年的投资规模将大幅增加，重点是M15X的提升、以龙仁集群为中心的基础设施准备以及EUV等核心设备的获取。 SK海力士表示，将战略性地扩充生产基础，以先发应对中长期需求增长，并通过考虑需求可见性的投资，确保供应稳定性和财务健康。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

韩美半导体宣布将在今年内推出用于下一代高带宽存储器（HBM）的“第二代混合键合”原型。这是为了应对2029年混合键合需求的战略举措。2020年，韩美半导体推出了第一代HBM生产用混合键合设备，积累了核心技术和验证经验。第二代设备将结合第一代的开发经验和核心技术，提升纳米级精度、工艺稳定性和良率。据悉，韩美半导体正在与多家国内半导体设备公司合作开发等离子、清洗和沉积技术。混合键合技术通过直接连接芯片和晶圆的铜（Cu）布线，去除传统焊料凸点，减少封装厚度，同时提高散热性能和数据传输速度，适用于20层以上的高堆叠HBM。韩美半导体正在加快基础设施建设，计划在仁川市西区的朱安国家产业园区投资1000亿韩元，建设总面积14595平方米、地上两层的混合键合工厂，预计明年上半年完工。因此，混合键合的全面量产预计在2029至2030年间开始。今年下半年，计划推出扩大HBM芯片面积的“宽TC键合设备”。该设备可稳定增加硅通孔（TSV）数量和输入输出接口（I/O）数量，扩展内存容量和带宽。韩美半导体相关人士表示：“我们将HBM用TC键合的第一位经验应用于HBM用混合键合技术，确保在客户启动下一代HBM量产时，及时提供高质量设备。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士正在推动在下一代高带宽内存（HBM）中引入“混合键合”技术，市场分析认为HBM市场竞争的焦点正从堆叠结构转向工艺技术。市场研究公司Counterpoint Research在最新报告中指出，随着HBM向高层堆叠结构发展，传统的微凸块连接方式面临信号损失、发热和封装高度等限制。因此，采用铜-铜直接连接的混合键合被认为是下一代关键工艺。混合键合技术能够实现微小间距，在相同面积上获得更多连接，同时提高数据传输速度并降低功耗。特别是在堆叠层数增加时，能够缓解热管理和信号完整性问题，预计在HBM4及以后世代中重要性将进一步提升。目前，HBM采用在逻辑基底上垂直堆叠多个DRAM芯片的结构。然而，随着堆叠层数增加到12层、16层以上，传统凸块方式的技术限制不断显现。业内人士指出，为解决这些结构性限制，主要内存厂商正在考虑引入混合键合或扩大相关设备投资。工艺难度是一个主要变量。混合键合需要原子级精密对齐和超平坦表面，化学机械平坦化（CMP）工艺质量直接影响良率。因此，应用材料公司和BESI等设备厂商正提供整合CMP、表面处理、键合和芯片布局的解决方案，试图抢占市场。Counterpoint分析称，如果SK海力士利用这些整合工艺解决方案加快混合键合的应用，将进一步巩固其在AI芯片用HBM供应链中的技术优势。特别是包括英伟达在内的主要客户同时要求高带宽和高能效，下一代工艺的引入可能成为竞争力的关键因素。业内预计，混合键合不会在短期内全面应用，而是从HBM4部分产品开始逐步扩大，并在HBM5前后实现全面转型。由于AI芯片市场对高集成和低功耗的需求不断增强，这一工艺的引入可能成为必然选择。因此，下一代HBM竞争不仅仅是增加堆叠层数，而是连接方式和工艺技术的掌握成为左右市场格局的关键因素。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

【经济日报】三星电子与美国半导体公司AMD合作，计划在AI半导体市场扩大影响力。通过HBM4供应，双方可能进一步讨论代工合作，挑战英伟达-台积电的垄断格局。3月18日，三星电子与AMD签署合作协议，正式确认为AMD的下一代AI加速器提供HBM4。三星将成为AMD“Instinct MI455X”HBM4的优先供应商。双方不仅限于HBM4供应，还在探讨代工合作，形成涵盖设计和生产的合作模式。目前，AI半导体市场主要由英伟达的GPU设计能力和台积电的先进工艺代工体系主导。英伟达通过CUDA软件平台在AI加速器市场占据主导地位，其芯片大多由台积电生产，形成全球供应链的分离。这种结构由于技术壁垒高和客户锁定效应，使得竞争者难以进入。虽然AMD和英特尔等公司试图扩大市场份额，但在生产方面仍依赖台积电。若AMD与三星扩大合作，可能形成对抗英伟达-台积电的替代供应链。合作的起点是HBM4。三星的HBM4将用于AMD的下一代AI加速器“Instinct MI455X”，成为AI计算性能的关键部件。随着AI模型的扩大，数据处理速度的重要性提升，HBM的战略价值也随之增加。双方的合作不仅限于内存。三星还计划为AMD的数据中心平台和服务器CPU提供DDR5解决方案，并探讨代工合作，形成“内存-系统半导体-生产”的全面合作。市场观察认为，若AMD将部分生产转移至三星代工，可能改变目前以台积电为中心的生产结构。AMD目前主要依赖台积电生产AI加速器和服务器CPU，若部分生产转移至三星，将有助于降低对单一代工厂的依赖，实现供应链多元化。这对三星代工来说是一个重要的转折点。若能获得AMD这样的客户，不仅能扩大收入，还能提升工艺可信度和良率竞争力。业内认为，若三星代工能获得大客户参考，可能进入“良性循环结构”，吸引更多客户。业内关注此次合作是否能使AI半导体市场从单一结构逐渐多元化。三星能否以内存竞争力为基础，扩大在GPU、CPU等AI计算系统半导体生产的影响力，将成为未来市场格局的关键因素。一位半导体行业人士表示：“三星与AMD的代工合作目前看来是有可能的。两家公司有超过20年的合作关系，双方的协同效应值得期待。”他还补充道：“三星作为涵盖内存、代工、逻辑和系统半导体的综合企业，能够提供一体化解决方案，具备快速响应客户需求的竞争力。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子正在考虑从韩美半导体等多家厂商引进高带宽存储器（HBM）制造设备“TC本德”，引发关注。为了克服第六代HBM4的高难度绑定问题，并应对HBM需求的爆炸性增长，三星计划引进外部优质设备。根据业内消息，三星已开始与技术先进的外部半导体设备公司接触。目前，三星从子公司SEMES获取TC本德，但自去年7月起，已与韩美半导体展开相关讨论，并与新加坡ASMPT、荷兰Besi等海外设备公司进行协商。三星是否会使用韩美半导体的HBM用TC本德，预计下月将见分晓。对此，三星电子表示“尚未确定”。三星与外部设备公司讨论TC本德供应方案，是为了同时提升HBM的质量竞争力和供应能力。为了保持高质量竞争力，三星需要引进外部优质TC本德。尽管有子公司SEMES，但通过外部引进可以提升竞争力。2月12日，三星首次量产并出货了性能最高的HBM4。随着性能提升，芯片堆叠数量增加，微细对准精度提高，绑定难度也大幅上升。绑定工艺的良率和生产速度至关重要。特别是，三星在HBM4中应用的1c DRAM进一步提高了绑定难度。电路线宽极度微细化，I/O密度显著提高，芯片间的间距变窄，短路风险增加。数据处理速度加快，集成度提高，发热量也增加。为克服这些问题，三星将传统的“非导电膜（TC-NCF）”工艺升级为适合1c DRAM特性的“高级TC-NCF”技术。三星不希望重蹈HBM3E良率管理失败的覆辙，当时未能通过英伟达的质量测试，而美光使用韩美半导体的TC-NCF方式TC本德，率先确定了对英伟达的供应，这也引发了对外部设备的关注。为了应对快速增长的HBM4需求，三星可能会考虑在整体工艺扩展方面引进更多TC本德。美国银行和高盛预计，今年全球HBM市场规模将同比增长58%，达到546亿美元（约73万亿韩元）。随着下一代HBM4E和HBM5的推出，需求将进一步增加。三星计划在HBM4之后继续保持下一代HBM的行业领先地位，因此必须确保未来稳定获得性能最佳的TC本德。然而，由于三星采用“TC-NCF”方式绑定，难以引进SK海力士使用“MR-MUF”方式的韩华半导体TC本德。随着下一代HBM的发展，宽TC本德、混合TC本德等绑定设备也在不断进步，合作伙伴关系预计将多样化。HBM的发展提高了后工艺精度，抢占外部优质设备的存储器公司将提升竞争力。