三星电子去年在研发上投入超过37万亿韩元，创下历史新高。这一投资增长7.8%，主要用于应对AI半导体市场的扩张和下一代存储器的竞争。根据三星电子2025年业务报告，去年研发费用总计37.7548万亿韩元。尽管研发占销售额的比例略降至11.3%，但绝对投资规模显著增加。三星电子特别在高带宽存储器（HBM）技术上投入大量研发资源。预计今年6代HBM市场将正式启动，三星自去年起就大力开发相关技术。HBM是AI加速器和高性能计算系统的关键组件，主要客户包括英伟达和AMD等全球科技巨头。确保稳定的供应能力是市场竞争力的关键。三星电子在HBM4产品中应用了领先的10纳米级6代（1c）DRAM工艺，性能比国际半导体标准组织（JEDEC）标准的8Gbps高出约46%，达到11.7Gbps。上月，三星电子率先开始量产HBM4，预计将用于英伟达的下一代AI芯片“Vera Rubin”平台。在非存储领域，三星电子也在加速技术竞争力的提升。其代工部门计划在今年下半年实现2纳米工艺的量产。系统LSI部门则专注于提升移动应用处理器（AP）“Exynos”的竞争力。去年，三星对下一代移动芯片“Exynos 2600”进行了性能改进。Exynos 2600的中央处理器（CPU）计算性能比前代提升了39%，生成型AI处理性能提高了113%。业内认为该芯片的性能接近高通的“骁龙8 Elite 5代”。业内人士表示，随着AI半导体竞争加剧，存储和系统半导体的研发投资迅速增加。三星电子将在HBM、代工和移动AP等主要半导体领域继续扩大技术竞争力的投资。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子率先推出被称为“梦幻存储”的第六代高带宽存储器HBM4，预示着HBM市场格局的变化。提前供货是为了抢占英伟达下一代AI芯片“Vera Rubin”的市场份额，打破SK海力士的垄断地位。据半导体行业消息，三星电子已正式宣布量产出货性能最强的HBM4。该产品速度达到11.7Gbps，比JEDEC标准的8Gbps高出46%，并可扩展至13Gbps，领先于竞争对手。三星能够在HBM4市场占据优势的关键在于“大胆的工艺转换”。与SK海力士和美光使用的10纳米级第五代（1b）DRAM不同，三星采用了技术难度更高的10纳米级第六代（1c）DRAM。此外，三星在HBM的“基底芯片”生产中采用了自家4纳米工艺，与SK海力士使用的台积电12纳米工艺相比，三星通过微细工艺最大化了电力效率和性能。三星电子副总裁黄尚俊表示：“我们打破了传统，采用最先进的工艺，及时满足客户的性能提升需求。”这是为了满足英伟达苛刻规格的战略选择。英伟达的下一代芯片“Vera Rubin”目标是推理性能提升5倍，学习能力提升3.5倍，需要超高速和超大容量的存储支持。三星通过从设计到生产、封装的一体化“Turn-key”解决方案实现了工艺优化，并通过了英伟达的质量测试。◆ “稳定性”SK海力士 vs “性能”三星电子…第二轮对决业内认为，三星电子的HBM4提前亮相标志着HBM市场竞争进入“第二轮”。一直主导市场的SK海力士以“稳定性”和“联盟”为武器进行防守。SK海力士通过验证的1b DRAM和与台积电的合作，在良品率和兼容性方面占据优势。市场研究公司Semianalysis预测，今年HBM4市场份额将为SK海力士70%，三星电子30%，仍然看好SK的优势。然而，三星电子的追赶势头迅猛。三星电子DS部门CTO宋在赫表示：“现在是展示三星电子真正实力的时候了。”业内预计，如果三星成功稳定HBM4的良品率，其在英伟达的市场份额可能提升至40%。尤其是如果英伟达提高规格要求，三星凭借规格优势可能占据有利地位。专家预测，HBM4之后的市场将转向根据客户需求定制芯片的“定制HBM”时代。在此过程中，拥有存储、代工和封装能力的三星电子的“IDM（综合半导体企业）能力”可能成为关键竞争力。如果设计、生产、封装由不同公司执行，工艺优化可能需要时间且成本增加，但三星可以在内部一次性解决这些问题，有利于缩短交货期和降低成本。KB证券研究部部长金东元表示：“采用1c DRAM和4纳米工艺的三星HBM4性能超出预期”，并分析称“未来三星电子的市场份额有望扩大”。2026年半导体市场的胜负取决于三星电子能否快速提升HBM4的量产良品率以确保盈利，以及SK海力士能否通过与台积电的联盟建立坚固的防御。随着英伟达“Vera Rubin”发布在即，两家公司的技术竞争将更加激烈。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子成功量产并出货被誉为“梦幻内存”的第六代高带宽内存（HBM4），成为全球首家。此前在HBM3E市场上失利的三星，凭借其卓越的技术实力，成功抢占第六代市场，重夺半导体王座。据业内消息，三星电子于12日开始量产出货性能最强的HBM4产品，预计将用于英伟达的下一代AI加速器“Vera Rubin”。◆ 宋在赫：“技术领先，展现三星实力”此次量产出货是此前一天信心的体现。三星电子设备解决方案（DS）部门首席技术官（CTO）宋在赫在11日首尔COEX举行的“半导体韩国2026”主题演讲前表示，客户对HBM4的反馈非常满意，并强调“技术上无可匹敌”。宋在赫表示，三星将继续在下一代HBM4E和HBM5中保持行业领先。他指出，三星在内存、代工和封装方面具备综合半导体企业（IDM）的优势，能够满足AI产品的需求。三星电子成功量产的HBM4突破了现有产品的限制，采用10纳米级第六代（1c）DRAM和自有4纳米工艺，数据处理速度达到国际半导体标准组织（JEDEC）标准8Gbps的146%，高达11.7Gbps，比前代HBM3E快22%。单栈带宽提升至3.3TB/s，容量达到36GB，未来计划扩展至48GB。值得注意的是，HBM4的“基底芯片”采用了4纳米工艺，开启了“定制HBM”时代。◆ SK海力士能否追赶？业内认为，三星的早期量产将成为HBM市场的“游戏规则改变者”。在HBM3E市场上，SK海力士占据主导地位，但在HBM4市场，三星凭借“一站式”解决方案取得优势。美国美光在进入英伟达HBM4供应链时遇到困难，而三星抢占了初期供应，未来在价格谈判和市场份额上占据有利地位。专家指出，三星通过HBM4的早期出货证明了其技术领导力，但实际量产的良品率稳定性将决定其能否独占英伟达等大客户的订单。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子设备解决方案(DS)部门CTO宋在赫表示，HBM4的量产将展示三星的技术实力。春节后，三星将首次向英伟达供应HBM4，重夺半导体市场主导地位。宋在赫在首尔的“半导体韩国2026”会议上表示，客户对HBM4的反馈非常满意。作为唯一同时拥有存储、代工和封装的公司，三星具备生产AI所需最佳产品的条件。HBM4采用10纳米6代(1c)DRAM和4纳米代工工艺，数据处理速度达到11.7Gbps，比国际标准(JEDEC)高37%。其内存带宽提升至3TB/s，12层堆叠技术提供36GB容量。宋在赫称，HBM4技术已达顶尖水平，良品率也很高，显示出三星在HBM市场的技术优势。他对市场前景持乐观态度，预计AI需求将导致今年和明年内存供应紧张，进入半导体“超级周期”。三星计划在HBM4E和HBM5技术上继续保持领先地位，提前布局未来技术。春节后第三周，三星将开始向英伟达量产出货HBM4，争取市场主导权。

三星电子将在春节后全球首发量产新一代高带宽存储器HBM4，旨在扭转之前产品表现不佳带来的半导体业务危机，并在新一代HBM市场中抢占先机。据业内消息，三星电子已确定春节后向英伟达供应HBM4，最快将在本月第三周开始大规模供货。此前，三星电子通过了英伟达的质量验证，获得了采购订单，并综合考虑了英伟达下一代AI加速器的发布计划。英伟达预计将在下月的技术大会“GTC 2026”上首次展示搭载三星HBM4的AI加速器。HBM4的全球首次量产出货标志着其性能达到现有最高水平。三星电子从开发初期就设定了超越国际半导体标准组织的目标，采用了“1c DRAM工艺”和“4纳米代工工艺”。HBM4的数据处理速度设计为超过标准的8Gbps，达到最高11.7Gbps，比标准高出约37%，比上一代HBM3E高出22%以上。单堆栈的内存带宽提高至3TB/s，12层堆叠提供最大36GB容量，未来16层堆叠技术可扩展至48GB。该产品支持高性能计算，同时通过低功耗设计大幅降低服务器和数据中心的电力消耗和冷却成本。三星电子预计今年HBM销量将比去年增长三倍以上，并计划在平泽园区4厂建立新生产线以扩大产能。尽管采用了最先进的工艺，三星电子仍确保稳定的良品率，并预计随着生产扩大，良品率将进一步提高。三星电子将密切关注整体内存市场情况，灵活调整HBM4的生产计划。在内存价格上涨的背景下，三星计划高效分配和利用其全球最大规模的生产能力。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

据SK海力士6日消息，公司将于当地时间本月6日至9日在美国拉斯维加斯举行的全球最大消费电子展CES 2026期间，于威尼斯人会展中心设立专属客户展馆，集中展示面向人工智能（AI）的下一代存储器解决方案。 SK海力士介绍，本次展览以“AI技术创新，迈向可持续未来（Innovative AI, Sustainable Tomorrow）”为主题，重点呈现针对AI应用进行优化的下一代存储器产品组合，并通过与全球主要客户的交流，探讨未来合作方向。 此前，SK海力士在CES期间通常同步运营SK集团联合展馆和公司专属客户展馆。今年，公司将重点聚焦专属客户展馆，以加强与核心客户的直接沟通，并就实际合作方案展开深入讨论。 在本次CES上，SK海力士将首次公开展示下一代高带宽存储器（HBM）产品——16层48GB HBM4。该产品是在此前实现业界最高传输速率11.7Gbps的12层36GB HBM4基础上升级而来，目前正根据客户需求推进研发进程。 此外，公司还将展出被视为2026年HBM市场主力产品的12层36GB HBM3E，并同步展示搭载该产品的全球客户AI服务器GPU模块，以直观呈现HBM3E在AI系统中的应用场景。 除HBM产品外，SK海力士还将重点展示面向AI服务器的低功耗内存模组SOCAMM2，通过多元化产品布局，展现其应对快速增长的AI服务器需求的综合竞争力。 在通用存储器领域，公司将展出针对AI应用优化的产品系列，包括新一代LPDDR6。该产品面向端侧AI场景进行设计，在数据处理速度和能效方面较前代产品实现显著提升。 在NAND闪存方面，SK海力士将展示321层2Tb QLC NAND产品，主要面向AI数据中心对超高容量企业级固态硬盘（SSD）的需求。该产品在集成度方面达到业界领先水平，并在性能与能效上较上一代QLC产品实现明显改善。 展会期间，公司还将设置“AI系统演示区”，集中展示多种面向AI系统的存储解决方案如何协同构建高效AI生态体系。展示内容包括定制化HBM、基于PIM架构的AiMX、支持存内计算的CuD、融合计算功能的CXL内存解决方案CMM-Ax，以及数据感知型存储（CSD）等技术。 SK海力士AI基础设施（AI Infra）负责人、首席营销官（CMO）金柱善表示：“随着AI技术的快速发展，客户需求也在不断变化。公司将通过差异化的存储解决方案积极响应市场需求，并持续与客户紧密合作，为AI生态系统的发展创造新的价值。”