近期，糖尿病治疗药物市场正在进行新一轮竞争，开发能够在现有SGLT-2抑制剂的心血管和肾脏保护效果基础上，进一步控制餐后血糖的下一代治疗药物。在此背景下，制药公司公布了其口服2型糖尿病新药候选物‘JP-2266’的临床二期结果，备受关注。 制药公司于30日宣布，JP-2266的临床二期研究结果已在SCI(E)级国际学术期刊《Diabetes & Metabolism Journal(DMJ)》上发表。 JP-2266是一种双重抑制剂，既靶向肾脏中的SGLT-2以抑制葡萄糖的再吸收，又靶向肠道中的SGLT-1以延缓葡萄糖的吸收。该药物正在开发为一种结合了现有SGLT-2抑制剂优点和餐后血糖调节效果的下一代糖尿病治疗药物。 此次临床试验针对156名仅依靠饮食和运动疗法无法有效控制血糖的2型糖尿病患者，在国内28家医疗机构进行。研究采用随机分配、双盲、安慰剂对照的方式，由延世大学医院内分泌科的车奉洙教授担任临床试验协调员。 研究结果显示，JP-2266在12周的给药后，显著降低了与安慰剂组相比的糖化血红蛋白(HbA1c)水平。预计治疗差异(ETD)在5mg给药组中为0.94个百分点，在10mg给药组中为0.97个百分点，均达到了统计学显著性。 糖化血红蛋白达到7%以下的比例在10mg给药组为70.6%，5mg给药组为66.7%。空腹血糖和餐后1小时、2小时的血糖水平均有所改善，餐后2小时的血糖在12周时减少了约63~68mg/dL。 此外，体重减轻和部分心血管及代谢风险因素的改善效果也得到了确认。特别是在10mg给药组中，收缩压有所降低，胰岛素抵抗和β细胞功能指标也有所改善。在安全性评估中，两种剂量的副作用发生率与安慰剂组相似，整体耐受性良好。 车奉洙教授表示：“在碳水化合物摄入比例较高的亚洲国家，餐后血糖管理的重要性显著，因此JP-2266有可能成为一个有意义的治疗选择。”他还指出：“未来需要通过三期临床试验进一步确认其有效性和安全性。” 与此同时，制药公司基于其钾竞争性胃酸分泌抑制剂(P-CAB)类胃食管反流病治疗药物‘扎库博’的成功，正在加快后续新药的开发。 该公司计划以糖尿病治疗药物、抗癌药物等自主新药管线为核心，转变为以研发为中心的根本性体质改善战略，摆脱以引进产品为主的模式。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

近年来，糖尿病治疗药物市场竞争激烈，除了现有的SGLT-2抑制剂在心血管和肾脏保护方面的效果外，开发能够控制餐后血糖的下一代治疗药物成为焦点。在此背景下，制药公司公布了其口服2型糖尿病新药候选物‘JP-2266’的临床二期结果，引起了广泛关注。 制药公司于30日宣布，JP-2266的临床二期研究结果已在SCI(E)级国际学术期刊《糖尿病与代谢杂志》(Diabetes & Metabolism Journal, DMJ)上发表。 JP-2266是一种双重抑制剂，能够同时靶向肾脏中抑制葡萄糖重吸收的SGLT-2和延缓肠道中葡萄糖吸收的SGLT-1。它被开发为一种结合了现有SGLT-2抑制剂优点和餐后血糖控制效果的下一代糖尿病治疗药物。 此次临床试验在156名仅依靠饮食和运动疗法无法有效控制血糖的2型糖尿病患者中进行，涉及28家国内医疗机构。试验采用随机分配、双盲、安慰剂对照的方式，由延世大学医院内分泌科的车奉洙教授担任临床试验协调员。 研究结果显示，JP-2266在12周的给药后，较安慰剂组显著降低了糖化血红蛋白(HbA1c)。预计治疗差异(ETD)在5mg给药组中为0.94个百分点，在10mg给药组中为0.97个百分点，均达到了统计学显著性。 糖化血红蛋白达到7%以下的比例在10mg给药组为70.6%，5mg给药组为66.7%。空腹血糖及餐后1小时和2小时的血糖水平均有所改善，餐后2小时血糖在12周时减少约63~68mg/dL。 此外，体重减轻和部分心血管及代谢风险因素的改善效果也得到了确认。尤其在10mg给药组中，收缩压有所降低，胰岛素抵抗和β细胞功能指标也有所改善。在安全性评估中，两种剂量的副作用发生率与安慰剂组相似，整体耐受性良好。 车奉洙教授表示：“在碳水化合物摄入比例较高的亚洲国家，餐后血糖管理的重要性显著，因此JP-2266有可能成为一个有意义的治疗选择。”他还指出：“未来需要通过三期临床试验进一步确认其有效性和安全性。” 与此同时，制药公司在成功推出钾竞争性胃酸分泌抑制剂(P-CAB)类胃食管反流病治疗药物‘扎库博’的基础上，正加快后续新药的开发。 该公司计划以糖尿病治疗药物、抗癌药物等自有新药管线为基础，从以引进产品为主转向以研究开发(R&D)为中心，进行根本性体质改善的战略。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士在人工智能（AI）半导体需求激增和高性能内存价格上涨的推动下，再次刷新了季度业绩记录。上半年累计销售额首次突破100万亿韩元。 SK海力士于29日公布，2026年第二季度的营业利润为60万5426亿韩元，同比增加557%。销售额为79万3187亿韩元，比去年同期增长257%。这一数据大幅超越了第一季度的销售额52万5763亿韩元和营业利润37万6103亿韩元。 SK海力士的营业利润在全球大型科技公司中排名第四。三星电子以89万4000亿韩元的暂定营业利润位居第一，英伟达（约78万亿韩元）和苹果（约74万亿韩元）紧随其后。字母表（约59万亿韩元）的利润则不及SK海力士。 盈利能力指标同样显著影响了全球半导体格局。SK海力士第二季度的营业利润率为76%，在全球企业中排名第二，仅次于美光（80.4%）。英伟达（65.6%）、台积电（60.3%）和苹果（34%）的盈利能力均远低于SK海力士，证明了其高附加值的盈利结构。 第二季度业绩大幅增长的原因在于大型科技公司对AI基础设施投资的扩大。随着AI逐渐成为执行型“代理”，AI服务器用DRAM、高带宽内存（HBM）和企业用SSD（eSSD）的需求激增。此外，SK海力士与十余家主要客户签订了长期供应合同（LTA），大幅提升了中长期业务的稳定性。 得益于创纪录的利润，财务健康状况也显著增强。第二季度末，现金资产较上季度增加33600亿韩元，达到88万亿韩元，借款减少至18万6000亿韩元，净现金规模扩大至69万4000亿韩元。 SK海力士计划借助此次业绩，专注于下一代HBM的量产和先进工艺的转型。第二季度已开始量产的第六代HBM（HBM4）将在下半年大幅扩大生产，而第七代HBM（HBM4E）也已完成样品供应，计划应用最优工艺以实现技术领先。在通用内存领域，随着下一代模块“ SOCAMM2”的销售激增，SK海力士正在加速10纳米级第六代（1c）DRAM和321层NAND闪存的转换。 SK海力士将在4月完工的清州M15X的量产体系提前建立，并配合2027年龙仁集群一期工厂的投产，大幅提升生产能力。SK海力士表示：“将无缝推进先进封装工厂P&T7和NAND生产基地M17等中长期投资，以同时确保技术领导地位和财务健康。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士凭借人工智能（AI）半导体需求的激增和高性能内存价格的上涨，再次刷新了单季度的历史最高业绩。上半年累计销售额首次突破100万亿韩元，营业利润率高达76%，显示出其强大的盈利能力。 SK海力士在29日公布的财报中表示，2026年第二季度的营业利润为60.5426万亿韩元，同比增长557%。销售额为79.3187万亿韩元，比去年同期增长257%。 这一数据大幅超越了第一季度的销售额52.5763万亿韩元和营业利润37.6103万亿韩元。 随着销售额的增长，盈利能力也显著改善。SK海力士第二季度的营业利润率为76%，远超全球代工厂（半导体委托生产）龙头台积电的60%营业利润率。评估认为，SK海力士在全球半导体供应链中创造了压倒性的盈利结构，甚至超过了作为AI半导体生态系统核心之一的台积电。 第二季度的业绩惊喜主要得益于全球大型科技公司对AI基础设施投资的扩大。随着AI从简单学习向执行型“代理”全面发展，AI服务器用DRAM、高带宽内存（HBM）和企业级SSD（eSSD）等高附加值产品的需求激增。 SK海力士表示：“DRAM和闪存的价格在第二季度继续大幅上涨，极大地提升了盈利能力。” 与全球大型科技公司之间的稳固合作关系也是业绩良好的强大支柱。SK海力士已与包括核心客户在内的10多家公司完成了长期供应合同（LTA）的谈判，以确保中长期供应的稳定性。同时，SK海力士还将与其他主要客户继续谈判，以确保中长期业务的稳定性。 在技术领导力方面，SK海力士正在加速抢占下一代AI内存市场。第二季度开始量产的第六代HBM（HBM4）将在下半年大规模生产。已完成上半年样品供应的第七代HBM（HBM4E）将应用成熟的技术和稳定的量产工艺，进一步扩大技术差距。 通用DRAM和闪存市场的增长势头也十分强劲。第二季度，下一代内存模块“ SOCAMM2”的销售激增，同时10纳米级第六代（1c）工艺产品的供应也开始全面展开。闪存方面，前沿工艺的转型加速，321层产品已占总产量的最大比例，预计到年底将扩大至国内生产能力的50%。 在创下历史最高利润的同时，财务健康状况也得到了加强。第二季度末，现金资产较上季度增加33.6万亿韩元，达到88万亿韩元。借款减少至18.6万亿韩元，净现金规模大幅扩大至69.4万亿韩元。 SK海力士计划根据需求超过供应能力的市场环境，大幅扩大生产能力。位于清州的M15X新内存生产基地自4月开始运营，将提前进入全面量产阶段。 SK海力士正在进行投资，以快速扩充生产能力，计划在2027年初与龙仁半导体集群一期工厂的洁净室开放同步进行。同时，针对先进封装工厂P&T7和闪存生产基地M17等中长期投资也将逐步推进。 SK海力士表示：“我们将通过保持设备投资原则，增强生产能力和财务健康。”

三星电子于24日（当地时间）在美国旧金山的AI峰会上与全球AI半导体企业博通签署了战略合作协议（MOU），旨在构建下一代AI核心基础设施。 AI峰会的与会者包括三星电子代工事业部总裁韩振满和博通首席执行官霍克·坦等两家公司高管及政府官员。 三星电子将基于涵盖内存、代工和先进封装的全球唯一“全方位交钥匙解决方案”，扩大与博通的合作，并在下一代AI半导体市场提供差异化的客户价值。 根据此次协议，双方将在2030年前的五年内，在内存和代工领域推动超过2000亿美元的战略合作，并进一步扩大在AI半导体领域的技术合作。 ◆通过先进HBM解决方案增强博通AI加速器竞争力 随着全球大型科技公司迅速引入自有AI加速器（ASIC），此次合作的意义在于将领先的定制半导体设计能力的博通与涵盖内存、制造和封装技术的三星电子的实力结合，提高下一代AI半导体的竞争力。 三星电子将凭借世界一流的内存技术和超越竞争对手的优势，提供包括HBM在内的先进内存解决方案，助力博通AI加速器的性能和竞争力提升。 三星电子在今年2月全球首批量产出应用1c DRAM和4nm基础芯片技术的HBM4，5月又首次向客户提供HBM4E样品，继续保持在下一代HBM技术的领导地位。 三星电子的HBM将基于业界领先的性能、可靠性和能效，最大化博通AI加速器的性能，成为下一代AI基础设施竞争力的核心内存解决方案。 ◆通过2纳米代工和先进封装增强博通AI芯片竞争力 在代工领域，三星电子将为博通的下一代高速数据通信支持的通信半导体解决方案等主要产品线应用2纳米以下的先进代工工艺，进一步提升产品竞争力。 此外，三星电子还将通过基于2纳米工艺的先进封装技术，支持高性能、高效率的AI半导体实现，并为博通提供差异化的AI半导体解决方案。 同时，三星电子将从半导体设计和工艺优化的阶段开始，紧密衔接芯片设计、先进封装和量产全过程，缩短产品开发周期，最大化性能和能效。 三星电子计划基于这些技术竞争力，持续扩大与博通在下一代AI半导体领域的合作，积极发掘快速增长的AI和高性能计算市场的新商机。 ◆副会长全英贤表示：“在AI时代，集成半导体解决方案是核心竞争力” 此次协议被评估为在AI时代加强内存、代工和先进封装等核心半导体技术的合作，提升下一代AI半导体生态系统竞争力的战略伙伴关系。 三星电子DS事业部副会长全英贤表示：“在AI时代，内存、逻辑和先进封装紧密集成的半导体解决方案至关重要。通过扩大与博通的合作，我们将加速未来AI基础设施的发展，为客户提供更大的价值。” 博通半导体解决方案集团总裁查理·卡瓦斯表示：“随着AI基础设施的快速扩展，整个半导体生态系统的紧密合作变得愈加重要。我们希望通过与三星电子的合作，共同打造满足多样化市场需求的下一代解决方案。” 三星电子通过此次协议，计划提升下一代半导体技术领导力和制造能力，继续引领全球AI半导体生态系统的创新。

SK海力士发行的美国存托凭证（ADR）将于10日（当地时间）正式在纳斯达克挂牌上市，预计募资规模将达37万亿韩元（约合人民币1675亿元）。有望成为外国企业赴美上市史上第二大交易，仅次于阿里巴巴2014年创下的250亿美元纪录。 据韩国产业界9日消息，SK海力士已完成ADR公开发行程序，将于10日正式在纳斯达克市场挂牌交易。彭博社报道称，SK海力士ADR发行前的机构询价需求十分强劲，认购规模已超过发行股份数量的7倍。全球长期投资基金、科技领域专业基金、主权财富基金以及专注亚洲市场的全球投资者均表现出浓厚兴趣。若最终发行价按照SK海力士本月8日收盘价207.6万韩元计算，公司将募集资金约245亿美元。 此前市场曾预计此次募资规模约为290亿美元，但由于SK海力士股价下跌，最终募资金额有所减少。SK海力士股价于上月25日创下每股298.7万韩元的历史新高后开始回落，市场对半导体板块过度集中的担忧为主要原因。截至本月8日，公司股价较历史高点已下跌30.5%。 尽管如此，英国投资机构贝利·吉福德（Baillie Gifford）、美国对冲基金Coatue Management以及Situational Awareness Partners等机构仍表示，有意在首次公开募股中认购最多70亿美元的ADR。 此次发行主承销商由美国银行、花旗集团、高盛和摩根大通领衔，另有9家证券公司参与承销。根据安排，SK海力士ADR将于10日在纳斯达克全球精选市场以股票代码“SKHYV”开始临时交易，并于13日起转为常规交易。 为在纳斯达克上市，SK海力士将发行最多1779万股新股，约占公司总股本的2.5%。募资所得将用于建设龙仁半导体集群一期晶圆厂、清州P&T7先进封装工厂，以及采购极紫外（EUV）光刻机等核心设备。 SK集团会长崔泰源和SK海力士社长郭鲁正将前往美国纽约，出席纳斯达克上市纪念活动。届时将向全球投资者积极展示SK海力士在人工智能（AI）存储芯片领域的竞争力和发展愿景。 韩国产业界预测，崔泰源此次访美期间可能与英伟达、特斯拉等美国科技巨头高管接连会面。今年2月，崔泰源在硅谷会见英伟达CEO黄仁勋，双方就高带宽内存（HBM）、下一代服务器内存模块SOCAMM、NAND闪存等存储芯片以及AI数据中心建设等中长期合作方案进行了交流。黄仁勋上月访问韩国期间，双方再次会晤巩固合作关系。

SK海力士通过美国纳斯达克上市所获得的43万亿韩元资金的用途引起了业界的广泛关注。这笔资金将用于即将于明年完工的龙仁半导体集群、清州新型先进封装工厂以及长期项目西南地区项目等多个领域的设备投资（CAPEX）。 根据7日（当地时间）的外媒和业界消息，SK海力士计划于10日进行的美国股票存托凭证（ADR）上市吸引了全球大型机构投资者，取得了成功。彭博社评价称：“全球投资者对SK海力士在高带宽内存（HBM）市场的主导地位和成长性下注。” 这笔资金的相当一部分将集中用于龙仁半导体集群和清州工厂的新建。首批资金将投入到即将于明年完工的龙仁集群一期工厂。SK海力士在今年2月曾预告将追加投资21万6000亿韩元。首个洁净室的开放时间也提前至明年2月。目前洁净室的最后施工正在进行中，因此此次ADR资金预计将完全消除龙仁工厂核心设备的引入和初期运行稳定化的资金风险。 清州同样是核心投资基地。今年上半年已开始量产的M15X新工厂，原本以第五代（1b）DRAM为主，近期正在扩大至第六代（1c）DRAM的设备投资。这是为了提前应对即将于下半年出货的面向英伟达的第六代高带宽内存（HBM4）等全球需求。仅引入必要的极紫外（EUV）光刻设备就需约12万亿韩元。专用的先进封装工厂P&T7也在加速建设，目标是明年年底完工。 部分资金将作为参与政府‘三大mega项目’的启动资金，包括在光州和清州各新建两座内存工厂和培育下一代闪存基地，该项目总投资超过500万亿韩元。因此，提前获得的流动性将成为长期支持这一庞大mega项目的坚实后盾，业界对此分析认为。 国内半导体材料产业也期待着溢出效应。SK海力士正在龙仁集群内与50多家合作伙伴共同建设半导体合作园区。 安基贤 韩国半导体产业协会常务理事表示：“在半导体市场波动的情况下，通过外资引入形式提前获得大规模资金，这在外部风险中为长期投资动力的稳定提供了重要意义。”他还预测：“及时投入这些资金将成为巩固全球AI内存主导权的契机。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

李在镕三星电子会长亲自前往高带宽内存(HBM)生产现场，致力于增强人工智能(AI)半导体市场的技术领导力。据业内消息，李会长于23日访问了位于忠南天安的C1·C2生产线，听取了关于生产运营现状、生产计划和技术开发进展的介绍。随后，他穿上防尘服，巡视了HBM封装生产线，检查了生产和质量竞争力的现状。天安事业部是三星电子负责HBM后工序和先进封装的核心生产基地，承担着应对AI半导体市场扩展的HBM生产能力的中心角色。随着全球AI市场的快速增长，HBM需求激增，李会长此次亲自前往现场检查生产竞争力和供应应对体系，意义深远。此次现场访问恰逢三星电子在HBM市场进一步加强技术领导力的关键时刻，值得关注。三星电子于今年2月成功实现全球首批6代HBM4的量产出货，抢占了下一代HBM市场。随后在5月，三星电子又向全球客户供应了全球首个7代产品HBM4E的12层样品，进一步证明了其技术竞争力。HBM4的量产和HBM4E样品供应相隔约三个月，三星电子在AI内存市场的下一代产品开发和供应进度上被认为是最快的。此次访问被解读为对这些技术领先成果在实际生产现场的检查，以及对未来业务扩展战略的直接确认。在最近的业务成果方面，HBM4也显示出显著的增长。据业内人士透露，自2月开始量产出货以来，HBM4在约4个月内累计销售额突破10亿美元，预计到6月底累计销售额将超过12亿美元。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士已正式开始供应下一代超高性能DRAM'HBM4E'样品。这距离三星电子上个月全球首发样品仅一个月时间。两家公司在HBM4E市场上展开激烈竞争，进入了围绕人工智能（AI）内存霸权的“二次战”阶段。SK海力士于18日宣布，已向主要客户供应7代高带宽内存（HBM4）12层样品。这款产品是目前量产中的6代HBM（HBM4）的后续型号，旨在最大化AI学习和推理所需的数据处理性能。原本预计在今年下半年供应，但由于自主开发进展顺利，提前了供应时间。与前一代产品相比，该产品在性能和能效上都有了进一步提升。每引脚最大可实现16Gbps（每秒千兆位）的数据处理速度，并通过电力设计优化，能效提高了20%以上。特别是采用了独特的“先进MR-MUF”工艺，确保了结构稳定性。在12层堆叠的基础上实现了48GB的高容量，同时热阻比前一代降低了约17%。这使得在AI计算环境中产生的热量能够得到更有效的控制。SK海力士表示：“我们基于长期积累的HBM前沿开发能力和生产经验，与核心客户紧密合作，确保及时量产，主动实现市场所需的价值。”与之相对，三星电子的势头也十分强劲。三星在5月底全球首发HBM4E 12层样品，展示了其技术实力。这一举措是在今年2月宣布HBM4产品全球首批量产出货仅三个月后，便提前供应下一代产品。三星的HBM4E同时应用了自主验证的10纳米级6代（1c）DRAM和4纳米代工工艺，确保了生产效率和工艺稳定性。通过低功耗设计，能效提高了16%，热阻特性也提升了14%以上。特别是“单站交钥匙”战略产生了强大的协同效应，旨在在大科技供应链中占据有利地位。两家公司已进入为争夺下一代AI供应链而展开的激烈二次战。在HBM4和HBM4E的订单竞争重新点燃的背景下，产品特性决定了通过客户严格验证和最终批准的公司将占据优势。韩国半导体产业协会常务理事安基贤表示：“两家公司都在比预期更快地推进下一代产品的开发和验证。全球大科技客户的最终质量测试通过时机和实际量产转型速度，将决定未来AI内存市场的主导权。”

SK海力士正式开始供应下一代AI超高性能DRAM 'HBM4E'样品。这距离三星电子上个月首次出货样品仅一个月时间。由此，两家公司在HBM4E市场展开激烈竞争，进入AI内存霸权的“第二轮”阶段。SK海力士于18日宣布向主要客户供应第七代高带宽内存（HBM4）12层样品。该产品是目前量产中的第六代HBM（HBM4）的后续型号，旨在最大化AI学习和推理所需的数据处理性能。原本预计在今年下半年供应，但由于自主开发进度顺利，提前了供应时间。此次新产品在性能和能效方面较前一代有了显著提升。其每引脚最大数据处理速度达到16Gbps（每秒千兆位），并通过电源设计优化，能效提高超过20%。特别是采用了独特的“先进MR-MUF”工艺，确保了结构稳定性。在12层堆叠的基础上实现了48GB的高容量，同时将热阻降低了约17%。这使得在AI计算环境中产生的热量得以更有效地控制。SK海力士表示：“我们基于长期积累的HBM前沿开发能力和生产经验，与核心客户紧密合作，确保及时量产，主动实现市场所需的价值。”与此同时，三星电子的势头也十分强劲。三星电子在5月底首次向全球客户供应HBM4E 12层样品，凭借超越竞争对手的技术，展现了强大的市场竞争力。这一举措是在今年2月宣布HBM4产品全球首次量产出货仅三个月后，便提前推出下一代产品。三星电子的HBM4E同时应用了经过自我验证的10纳米级第六代（1c）DRAM和4纳米代工工艺，确保了生产效率和工艺稳定性。通过低功耗设计，能效提高了16%，热阻特性提升超过14%。特别是“全方位交钥匙”战略发挥了强大协同效应，旨在在大科技供应链中占据有利地位。在一个月内，两家公司相继完成样品供应，业内普遍认为，双方已进入争夺下一代AI供应链的激烈“第二轮”竞争。随着HBM4E的订单竞争重新点燃，产品特性决定了通过客户严格的验证和最终批准的公司将占据市场优势。韩国半导体产业协会常务理事安基贤表示：“两家公司都在比预期更快地推进下一代产品的开发和验证，全球大科技客户的最终质量测试通过时机和实际量产转型速度，将成为未来AI内存市场主导权的分水岭。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。