SK海力士为了应对人工智能（AI）时代日益增长的内存需求，决定在用仁和青州投资总额达54万亿韩元的新生产设施（Fab）。公司认为，包括高带宽内存（HBM）在内的下一代DRAM和企业级SSD的需求将结构性增加，因此提前采取措施确保大规模生产能力。SK海力士于7日召开董事会，决定在用仁半导体集群内的DRAM生产工厂（Y2）投资35.2万亿韩元，在青州的NAND闪存生产工厂（M17）投资19.1万亿韩元。总投资规模为54.3万亿韩元。此次投资是公司在6月发布的中长期投资战略的后续措施。公司计划在用仁半导体集群投资总额达600万亿韩元，在青州生产基地扩展投资100万亿韩元，目前正在建设用仁1号Fab（Y1）。此次决定标志着在用仁和青州的后续生产设施建设正式启动。用仁Y2是用仁四个Fab中的第二个生产设施，计划建设面积为34万1000坪的下一代DRAM生产基地。预计于明年7月开工，2029年6月开放首个洁净室，将生产包括HBM在内的下一代AI内存。目前正在建设的Y1也以明年2月开放首个洁净室为目标进行施工。SK海力士原计划在2045年完成用仁半导体集群的建设，但已将这一时间提前至2033年，目标是在此之前完成四个Fab的建设。此次Y2投资决定是支持提前完工战略的关键步骤，投资将分阶段在2031年10月之前执行。Y2投资不仅包括生产设施，还包括研发（R&D）综合中心、员工支持大楼、水处理设施和变电设施等基础设施建设费用。用仁集群的Y2所需的第一阶段电力和用水基础设施工程目前已完成99%，具备按计划建设工厂的基础。青州将推进新Fab M17的建设，以应对AI时代急剧增长的NAND需求。M17的建设面积为20万6000坪，计划于明年2月开工，2028年12月开放首个洁净室。投资期限至2031年4月。选择青州作为新生产基地是因为与现有生产设施的联动效应。青州已有NAND生产工厂M11、M12和M15在运作，电力、用水和土地等基础设施已基本建设完成，因此能够最快地扩大生产能力。公司大规模投资的背景是对AI市场结构性增长的信心。市场调研机构Omdia预计，全球DRAM和NAND市场自去年起到2030年将年均增长19%。随着生成型AI向AI推理服务的扩展，HBM、服务器用DRAM以及企业级SSD的需求也在快速增长。尤其是在AI推理过程中，KV缓存存储需求以及代理AI、物理AI的扩散将进一步扩大NAND的应用范围。SK海力士认为，在AI时代，技术实力和能够在客户所需时间内提供所需数量的生产能力是核心竞争力。因此，Fab建设将按计划进行，但洁净室的增建和设备的引入将根据客户需求逐步扩大，以提高投资效率。公司期待此次投资不仅能为未来的增长奠定基础，还能提升国内半导体生态系统的竞争力，促进地方经济的活跃。用仁和青州两地同时进行的大规模投资将为合作伙伴提供共同成长的机会，促进就业创造和地方商业活跃，从而为国家经济的可持续增长做出贡献。SK海力士相关人士表示：“此次投资是为了抓住AI市场增长速度带来的机会的战略性决定，旨在通过提前建立生产基础，成为全球AI半导体供应链稳定的核心合作伙伴。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

在人工智能（AI）时代，日益严重的内存瓶颈问题正在通过高带宽闪存（HBF）这一新一代内存技术得到解决。尤其是谷歌DeepMind将HBF称为“AI推理时代的最佳内存解决方案”，引发了业界的广泛关注。在6日（当地时间）于美国加利福尼亚举行的全球最大内存会议FMS 2026上，SK海力士、谷歌DeepMind和闪迪共同进行了以“HBF突破内存瓶颈”为主题的专题讨论。此次会议是在4日SK海力士与闪迪发布HBF首个标准规格后，AI服务企业与内存企业共同探讨商业化方向的场合。HBF是一种新的内存层，位于超高速DRAM HBM与大容量SSD之间。它的特点是能够实现与HBM相当的数据传输速度，同时基于闪存大幅提升容量。HBF并不是取代HBM，而是与HBM并存，以补充不足的内存容量。此次讨论的意义在于，谷歌DeepMind作为直接开发和运营AI模型的企业，公开提及HBF的必要性，增强了市场扩展的可能性。谷歌DeepMind的研究员肖宇马指出，AI产业正在迅速从以学习（Training）为中心转向以推理（Inference）为中心。他预测，从2024年到2034年，AI推理芯片市场规模将增长超过10倍，并表示仅凭现有内存结构难以满足这一需求。他解释说，随着AI模型参数的快速增加，以及处理图像、视频、音频的多模态AI的普及，随着对话的延长，KV缓存的处理量也急剧增加，因此必须同时确保内存容量和带宽。肖宇马表示：“过去，增加内存容量会降低带宽，而提高带宽则会增加成本和电力消耗，这是一种矛盾关系。HBF是一个新的替代方案，能够同时实现高带宽和能效。”闪迪强调了HBF在AI推理系统中的经济性。副总裁拉吉夫·纳加比拉巴表示，应用HBF可以有效管理KV缓存，从而将系统的KV识别率提高两倍以上，最终缩短令牌生成时间，降低GPU使用率和运营成本。此外，由于HBF基于闪存，具有断电后数据仍能保持的非易失性特性，能够长期存储数据，并且在读取比例较高的AI推理环境中，闪存的耐用性问题也能得到有效解决。SK海力士强调，为了实现HBF的商业化，不仅需要内存本身的创新，还需要整个系统的创新。SK海力士副总裁任义哲表示：“闪存在结构上存在延迟时间长和写入性能低的局限性，因此需要采用预取（Prefetching）、移动窗口内存（Moving Window Memory）、混合内存架构等硬件与软件共同设计的协同设计（Co-design）方法。”他进一步指出：“为了在实际AI系统中充分利用HBF，xPU设计公司、LLM开发者和软件工程师等多方生态参与者需要共同制定高质量的标准。”早前，SK海力士与闪迪于今年2月成立了HBF标准化联盟，并在6个月内发布了首个标准规格。该规格基于8层和16层闪存堆叠，支持最大512GB的容量，带宽分为三个等级，规定可实现每秒0.4TB至3.0TB的传输速度。目前，参与该联盟的有SK海力士、闪迪、谷歌、天数科技等。 ※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

华尔街的金融机构对SK海力士的美国存托股票（ADR）纷纷发表买入意见，认为人工智能（AI）内存市场的增长潜力和SK海力士的技术竞争力尚未充分反映在当前股价中。 根据路透社在4日的报道，包括美银（BofA）在内的至少6家金融机构近期开始对SK海力士ADR进行企业分析，并提出了买入或增持的建议。 美银对美国大型科技公司的强劲订单、AI基础设施投资的扩大以及SK海力士在高带宽内存（HBM）市场的领先地位给予了积极评价。基于此，美银预计内存行业将长期繁荣，业绩将持续增长。 罗森布拉特证券在新分析的金融机构中提出了最高的目标股价320美元，较前一交易日收盘价142.72美元高出124%。斯蒂费尔则将目标股价定为240美元。 瑞银在给出买入意见的同时，设定了204美元的目标股价。分析指出，内存供应短缺可能持续到2028年，公司的盈利能力、自由现金流和股东回报能力也显著改善。 随着华尔街的乐观预期持续，SK海力士ADR在当天的纳斯达克市场上收盘上涨8.2%，报154.38美元。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子公开了在人工智能加速器上直接堆叠高带宽内存（HBM）的下一代三维内存结构。这一新结构突破了传统HBM的水平布局方式，旨在减少数据移动距离和电力消耗，同时提供AI半导体的设计、生产和封装一体化解决方案。 三星电子在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的“FMS 2026”展会上首次展示了下一代3D内存“zHBM”和“zNAND-O”的样品，并发布了堆叠超过400层的第10代V NAND“V10 BV-NAND”。 zHBM采用了将内存垂直堆叠在加速器上方的新方式，旨在缩短运算设备与内存之间的数据移动距离，从而提高带宽和电力效率。 根据三星电子的说法，基于zHBM的系统性能可比HBM5提高最多8倍，电力效率提升可达3倍，热阻预计降低至一半以下。 在加速器与内存之间，将应用定制功能的中间层，以便根据客户开发的AI处理器调整内存容量、运算功能和数据处理结构。 不过，此次发布的产品为样品，并非实际量产产品。未来将通过与客户的共同设计和热管理技术验证，确定商业化时间表。 在NAND闪存方面，三星电子也扩大了垂直堆叠的范围。zNAND-O结合了V NAND技术和硅通孔电极，将NAND芯片打包为4层或8层，预计将在智能手机和PC等设备中提高数据加载速度和空间效率。 三星电子还发布了400层以上的V10 BV-NAND。该技术采用了将单元和周边电路分开后，垂直结合晶圆的键合技术，以及连接三个单元结构的堆叠方式。 通过这一技术，三星电子表示在相同面积上可存储的数据量比上一代提高了约58%。同时，读取、写入和输入输出性能也得到了改善，计划应对AI数据中心的高容量存储市场。 东芝在6月也公布了400层以上的第10代BiCS闪存开发计划，预计NAND竞争将朝着降低集成度、功耗和生产成本的方向发展，而不仅仅是堆叠层数的竞争。 在此次展会上，三星电子还展示了HBM4E、HBM5以及在内存内部执行部分运算的LPDDR5X-PIM。同时，通过企业级SSD PM1763和超高容量产品BM1773，满足AI学习和推理所需的存储需求。 此次技术发布被解读为三星电子在内存产品性能竞争之外，拓展半导体系统结构设计的业务范围。随着AI加速器与内存结合的加强，代工、逻辑设计和先进封装能力在市场竞争中的影响也将日益增加。 三星电子计划利用其在内存、系统半导体设计、代工和封装方面的综合业务结构，从产品设计阶段到量产全程支持客户。要使下一代3D内存实际应用于客户产品，稳定管理良率、发热和封装成本将是关键。

中国内存半导体企业创信内存（CXMT）在上市首日暴涨。然而，国内在线上却出现了“是否存在泡沫”的担忧，同时对未来AI内存市场的竞争格局也引起了关注。 27日（当地时间），创信内存在中国股市上市，股价较发行价上涨超过500%。受此影响，市值迅速跃升至中国股市第一位。 创信内存是中国主要的DRAM半导体企业，在美国对中国半导体的监管背景下，得到了中国政府的重点支持。最近，该公司还在积极进军AI服务器内存和高带宽内存（HBM）市场。 市场分析认为，此次股价暴涨的原因之一是苹果可能会采用中国制造的内存。外媒报道称，苹果正在考虑在部分产品中扩大使用中国内存，而对此，美国内存厂商美光则表示强烈反对。 尽管有这样的期待，但对于实际的商业竞争力和企业价值，负面意见占据主导。 社区网友们表示：“创信的股价真的是泡沫。既不便宜，量也不大，质量也不好”，“股票最大的利好是预期而非业绩”，“这样上涨以后，后面怎么承受”，“苹果的一个问题就让股价过度上涨了”等等。 此外，近期外资投资者在国内股市持续净卖出，网上也出现了“外资资金是否转向中国半导体股”的猜测。 然而，创信在上市首日的暴涨是否能转化为长期的企业价值仍然未知。半导体行业分析认为，创信内存在全球内存市场的份额和技术实力上，与三星电子、SK海力士、美光等仍存在差距，因此当前股价在很大程度上反映了未来的成长预期。 目前，全球DRAM市场实际上由三星电子、SK海力士和美光三家公司主导。三星电子占约40%的市场份额，SK海力士约占35%，美光约占20%，三者合计占据全球市场90%以上。相比之下，创信内存（CXMT）在全球市场的份额仍被估计为个位数，业内普遍将其评估为“全球第四位候选者”。 在技术实力方面，差距依然很大。SK海力士在AI半导体核心部件HBM（高带宽内存）市场几乎占据全球第一，向包括英伟达在内的全球AI企业供应HBM3E。三星电子虽然在HBM领域被视为后起之秀，但在DRAM制造技术和生产能力上仍保持着全球最高水平的竞争力。相对而言，创信内存在中国政府的大力支持下迅速成长，但在先进工艺技术、HBM量产经验和全球客户信任度方面，仍难以追赶三星电子和SK海力士。尤其是由于美国对半导体设备出口的监管，创信在获取最先进的EUV设备方面也受到限制，短期内缩小技术差距的难度较大。 未来的展望分为中国内需市场和全球市场。由于中国政府强力推动半导体国产化，创信内存在中国内需市场的份额有望持续扩大。然而，在全球AI内存市场，仍面临许多挑战。目前，AI服务器市场由英伟达、AMD、微软、亚马逊等全球大型科技公司主导，这些公司所需的HBM供应链仍以SK海力士和三星电子为中心。 股价也可能会同时反映这些期待与现实。创信内存在上市首日上涨超过500%，反映了市场的高期待，但如果未来的实际业绩和技术实力无法支撑这一点，可能会出现较大的波动。相反，如果中国政府的支持和内需市场的扩大持续，保持高企业价值的可能性也不能排除。SK海力士在AI内存需求持续扩大的情况下，预计中长期将是最大的受益者，但短期内则面临获利了结和估值压力的变数。三星电子在HBM竞争力恢复方面被视为未来股价的关键变量。 综合来看，创信内存在中国市场有快速增长的潜力，但考虑到当前的技术实力和市场份额，业内普遍认为其在全球市场短期内难以对三星电子和SK海力士构成威胁。然而，如果中国政府持续投资并推动AI内存技术的发展，创信内存在长期内有可能成为全球内存市场的新竞争者。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子与SK集团计划在未来五年内与全球大科技公司开展总额达1390万亿韩元（约9500亿美元）的半导体合作。 三星电子于25日宣布与博通签署了一项到2030年为止的约290万亿韩元（2000亿美元）规模的谅解备忘录（MOU）。双方将建立涵盖内存、代工和封装等领域的战略合作体系。 SK集团也与包括英伟达在内的全球大科技公司达成了未来五年内进行高端内存半导体长期供应合作的协议，规模达到1085万亿韩元（7500亿美元）。与此相关，SK海力士也将与英伟达展开为期五年的AI内存长期合作。 此外，李在明总统的“旧金山人工智能（AI）宣言”也被解读为对提升韩国半导体产业竞争力的决心。李总统在旧金山AI宣言中强调：“韩国将成为不可替代的全球AI供应链核心国家。” 市场方面，政府基于增强韩国半导体产业竞争力的决心，加快了投资步伐。三星电子正在以平泽校园和龙仁半导体集群为中心扩大生产能力，并推动新内存生产设施的投资。龙仁集群第一条生产线的投产时间也在考虑提前。 SK海力士也在龙仁和清州扩大AI内存的生产能力。龙仁半导体集群的建设计划也将大幅提前，以加快AI内存生产基地的建设。 政府也在为增强AI产业竞争力而支持企业投资，计划尽早确保电力和用水等产业基础设施，并改善监管和扩展居住条件，以加快企业投资的步伐。业界分析认为，如果民间与政府的合作能够真正落实，韩国将积极成为AI半导体供应链的核心支柱。

美国证券市场上，SK海力士的美国存托股票（ADR）评估存在显著分歧。巴克莱基于内存供应短缺，提出目标价为330美元；而晨星则将合理股价评估为160美元。 根据14日（当地时间）Investing.com的报道，巴克莱开始对SK海力士ADR进行分析，并给予“增持”评级，目标价为330美元。 这一目标价比13日的收盘价152.35美元高出117%。与14日的收盘价193.92美元相比，仍有约70%的上涨空间。 巴克莱预计，内存半导体的供应短缺将在2027年加剧，2028年也难以得到充分解决。原因在于，尽管人工智能（AI）服务器对内存的需求迅速增长，但生产能力的扩展存在限制。 巴克莱还预测，SK海力士将在高带宽内存（HBM）市场保持超过50%的市场份额。HBM是将多个DRAM堆叠以提高数据处理速度的AI核心半导体。 巴克莱认为，中国企业对全球DRAM市场的影响也将有限。除非全球云计算公司开始大规模使用中国制造的DRAM，否则现有市场格局难以发生重大变化。 巴克莱对SK海力士扩大自购股份的可能性持积极态度，预计到2027年底，SK海力士将拥有超过当前市值40%的现金及易变现资产。 汇丰银行也对内存行业持乐观态度。由于AI服务器投资和DRAM价格持续上涨，认为内存市场尚未达到顶峰。 汇丰将SK海力士视为其最青睐的韩国科技股，并预计其在下一代HBM4市场中将保持50%至55%的市场份额。 然而，晨星将SK海力士ADR的合理股价定为160美元，低于14日的收盘价193.92美元约17%。晨星指出，当前股价相较于企业价值略显偏高，并将未来股价预测的不确定性评估为“非常高”。 晨星认为，尽管AI内存需求迅速增长，但内存半导体的业绩可能因价格和供需变化而大幅波动。即使SK海力士在HBM市场领先，也无法完全摆脱竞争对手的追赶和内存价格下跌的风险。 晨星还指出，ADR的交易价格高于韩国上市股票，这也是一个负担。由于韩国股票与ADR之间的自由转换受到限制，利用价格差进行交易的机会有限。如果美国投资者需求激增，ADR可能会出现过高的溢价，且由于上市初期，合理价格差的形成过程可能导致股价剧烈波动。 SK海力士ADR在当天纽约证券市场收盘时上涨27.3%，报193.92美元。自10日以149美元的发行价在纳斯达克上市以来，因对AI内存增长的期待，股价波动幅度加大。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

崔泰源SK集团会长将前往美国，庆祝SK海力士的美国股票存托凭证（ADR）在纳斯达克上市。预计他将出席纳斯达克上市庆祝活动，并与全球投资者进行交流，同时与主要客户讨论人工智能（AI）内存的合作扩展方案。 据《联合新闻》报道，崔会长将于10日（当地时间）上午出席在美国纽约举行的SK海力士ADR纳斯达克上市庆祝仪式，届时将与SK海力士的首席执行官郭弼正等主要管理层一同出席。 此次活动是为了庆祝SK海力士在纳斯达克的上市。崔会长和管理层预计将向全球投资者直接介绍SK海力士的竞争力和中长期增长战略。 SK海力士的ADR规模约为43万亿韩元，约占总发行股份的2.5%，最多将发行1779万股新股。筹集的资金将用于建设龙仁半导体集群一期工厂及清州P&T7先进封装工厂，以及购置极紫外（EUV）扫描仪等机械设备。 最重要的是，崔会长亲自出席此次活动被解读为向全球投资者积极宣传SK海力士在AI内存领域的竞争力和成长性。ADR上市旨在让SK海力士作为AI基础设施扩展的核心企业，在全球资本市场上获得应有的企业价值评估。 此前，崔会长在今年初出版的《超级动能》（出版社：平台9与3/4）一书中提到：“市场仍将SK海力士视为‘商品’制造商，未能给予更高的价值认可”，并表示“海力士应当比现在大十倍”。 这被解读为崔会长希望将SK海力士打造成不仅仅是内存供应商，而是客户定制的AI内存解决方案企业，从而提升企业价值的决心。 与此同时，业界普遍认为崔会长在访问期间可能会与英伟达、特斯拉等主要大科技公司的高管进行接触。 崔会长在2月份曾在美国硅谷与英伟达首席执行官黄仁勋会面，讨论了包括HBM在内的下一代服务器内存模块SOCAMM、闪存等内存半导体及AI数据中心建设的中长期合作方案，并在上个月与来访韩国的黄CEO再次确认了合作关系。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子虽然公布了超出市场预期的业绩，但亚洲半导体股却出现急剧下跌。尽管受益于人工智能（AI）需求，营业利润大幅增长，但仍未能超出投资者的高预期，因此出现了以今年大幅上涨的股票为主的获利回吐现象。 根据彭博社7日报道，三星电子的季度营业利润因AI内存需求的扩大，同比增加了19倍。 然而，尽管超出市场预期6%，三星电子股价在首尔股市盘中最大跌幅达到8.7%。这种疲软趋势蔓延至SK海力士和日本东芝等亚洲内存及存储设备相关股票。 MSCI亚洲科技股指数盘中最大跌幅也达到2.9%。相对而言，金融股和通信股则出现上涨，资金流向这些业绩冲击可能性小且股价负担较轻的领域。 彭博社分析认为，此次调整显示出“投资者对AI相关股票的标准变得更加严格”。此前，生产能力扩大、技术延迟、债务增加等担忧被AI增长预期所掩盖，但现在这些因素已被视为卖出理由。 KCM贸易的首席市场分析师蒂姆·沃特勒表示：“这是一种典型的‘新闻卖出’趋势”，并指出“在股价已经大幅上涨的情况下，即使是强劲的业绩也难以令投资者满意。” 尤其是今年大幅上涨的内存及存储设备股票跌幅较大。日本东芝股价接近下跌12%。相反，过去两周，亚洲医疗保健、金融和消费品指数上涨，而科技设备和硬件指数则下跌超过10%。 不过，认为半导体股行情已经结束还为时尚早。Vantage Global Prime的高级市场分析师赫比·陈表示：“如果内存价格持续上涨，或者下一个半导体企业的业绩表现强劲，资金可能会再次流入主导股票。”这意味着AI的长期增长预期依然有效。 关键在于内存行业是否会像过去那样在繁荣后迅速下滑，还是会基于AI需求进入长期繁荣期。Petra Capital的管理合伙人阿尔伯特·容表示：“投资者现在更加关注内存行业的长期方向，而非短期业绩。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子与SK海力士计划将充청地区打造为人工智能（AI）半导体的核心生产基地。随着高带宽内存（HBM）竞争从微细工艺转向封装，两家公司将集中在充청地区进行大规模投资，增强生产与研发（R&D）能力。涵盖天安、温阳、牙山和清州的充청地区预计将成为国内AI半导体后工序生态系统的中心。7月2日上午，三星与SK海力士在忠南牙山三星显示器第二校园举行的“充청地区先进产业发展愿景国民报告会”上，宣布了将充청地区发展为AI半导体及材料、部件中心的投资计划。三星计划在充청地区投资总计140万亿韩元，培育AI时代的核心材料与部件产业基地。三星显示器将在牙山和天安投资67万亿韩元，建设未来显示器集群；三星电子将在温阳和天安投资56万亿韩元，建立下一代HBM生产基地；三星SDI将在天安投资9万亿韩元，建设下一代电池母线；三星电机将在世宗投资8万亿韩元，扩大AI服务器用封装基板的生产能力与研发。特别是，三星电子计划将现有的温阳封装生产线转型为最先进的HBM工厂，并将天安的生产设施升级为以HBM应对设备为中心的高端化。其战略是将原本以组装和测试为主的后工序生产基地转型为AI半导体的核心工序，以增强全球HBM的竞争力。李在明三星电子会长在欢迎辞中表示：“三十多年前，牙山还是一片广阔的葡萄园，但现在已成为世界最大的显示器产业园区。”他指出：“温阳正在从通用半导体后工序中心转型为最先进的HBM工厂，世宗成为AI服务器用封装基板的生产基地，天安则演变为下一代电池的核心制造基地。”他进一步强调：“未来的胜负将取决于驱动AI的材料与部件，这与三星的未来息息相关。充청地区将成为IT材料与部件的全球枢纽，取得更大的发展。”SK海力士则将清州发展为AI内存生产与先进封装的核心基地。公司计划在清州投资总计100万亿韩元，其中80万亿韩元用于NAND生产工厂M17，20万亿韩元用于先进封装设施P&T7等。P&T7预计于2027年底完工，M17计划于明年开工，目标在2029年上半年投入运营。郭弥正SK海力士社长表示：“由于AI服务的普及，NAND需求迅速增加，但供应不足，因此需要一定规模的扩建。”他解释道：“清州是与现有生产线可联动，且具备电力、用水、用地等基础设施的最有效生产基地。”他表示：“将清州打造为引领韩国内存半导体竞争力的核心基地，并将充청地区发展为全球AI半导体创新的中心。”此外，SK集团还计划推进AI数据中心基础设施的建设。计划从5千兆瓦（GW）规模开始，逐步在全国建设15GW规模的AI数据中心，其中在充청地区建设1GW规模的AI数据中心。此次投资集中在增强AI时代半导体竞争力的后工序能力。由于HBM与AI半导体的芯片堆叠与先进封装技术决定了性能，因此预计以三星的温阳、天安和SK海力士的清州为中心，充청地区将成为国内AI半导体后工序集群。