韩国在加速发展下一代电力半导体产业的同时，台湾当局强调应持续扩大技术研发（R&D）预算。 根据6月18日《台湾联合报》等媒体的报道，台湾经济部提到，鉴于全球技术竞争日益激烈，台湾也需要扩大R&D投资，以保持产业竞争力。 此前，韩国副总理兼企划财政部长郭允哲在6月12日于首尔召开的紧急经济部长会议上介绍了“超创新经济项目”，并提出了下一代电力半导体的开发计划。郭副总理表示：“下一代电力半导体的商业化技术路线图将在6月完成，并将启动与需求企业相关的大型R&D计划。” 下一代电力半导体是利用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料，能够减少电力损耗和发热的半导体。这些半导体被认为是电动车、新能源、人工智能（AI）数据中心等未来战略产业的核心部件。 台湾经济部指出，韩国计划在下一代电力半导体的R&D中投入超过5000亿韩元，未来项目规模可能扩大到7500亿韩元。经济部对此表示，韩国政府的这一计划显示了其对半导体产业发展的强烈决心。 台湾经济部引用经济合作与发展组织（OECD）的统计数据指出，过去五年，台湾的整体R&D投资规模甚至不到竞争对手韩国的一半。与国内生产总值（GDP）相比，台湾的R&D支出占比也比韩国低约1个百分点，整体R&D规模更是远远落后于日本，显示出扩大科技投资的巨大潜力。 台湾经济部表示，政府正在持续扩大R&D资源的投入，并通过科技项目支持产学研合作，推动未来核心产业技术的发展。 今年，台湾经济部的科技项目预算为302亿新台币（约合1400亿韩元），较去年增长29%。其中，涉及工业技术R&D的企业支持预算为100亿新台币，同比增长53%。相关预算案正在立法院经济委员会审查中。 台湾经济部强调，长期的科技投资已转化为半导体竞争力。台积电（TSMC）也起源于台湾工业技术研究院（ITRI）的技术转移和衍生创业结构，最近还根据AI半导体的增长趋势，陆续成立了检测设备和知识产权（IP）相关的初创企业。 此外，ASML和美光等全球半导体企业在台湾设立了R&D中心和先进生产基地，NVIDIA等主要科技公司的研发基地也在不断引进。台湾经济部表示，这些成就表明R&D预算投资正在转化为产业竞争力，再次强调了扩大预算的必要性。 台湾总统赖清德此前也将今年定为台湾迈向“智能繁荣”的关键年，并表示将扩大在硅光子学、量子科学技术、机器人等核心技术的投资。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

随着人工智能（AI）产业的扩展，半导体投资目标也在迅速细分。韩国投资信托公司凭借涵盖长期和中期投资策略的交易所交易基金（ETF）系列，取得了显著的收益率。 根据6月11日韩国交易所的数据，"ACE全球半导体TOP4 Plus ETF"自2022年11月上市以来，截至6月9日的收盘价，收益率达到了831.55%。最近一年收益率为244.09%，最近三年收益率为547.15%。该ETF约80%的投资集中在SK海力士、英伟达、台积电和ASML等内存、非内存、代工和设备领域的代表性企业，主要面向养老金等长期投资需求。 投资于国内AI半导体市场增长的"ACE AI半导体TOP3+ ETF"，将三星电子、SK海力士和韩美半导体三只股票的约75%纳入投资组合，并将材料、零部件和设备企业也纳入投资范围。该ETF最近六个月的收益率为204.64%，最近一年收益率为449.75%，在国内半导体ETF中表现优异。 随着AI产业从以学习为中心向以推理为中心的扩展，与ASIC相关的企业也成为新的投资方向。"ACE全球AI定制半导体ETF"专注于美国和台湾市场的AI定制半导体设计和开发企业的前十名股票。该ETF在最近一个月的收益率为28.82%，在32种（不包括杠杆）上市的全球半导体ETF中最高，最近六个月和一年收益率分别为92.81%和160.80%。 韩国投资信托公司ETF总部的南庸洙表示：“ACE ETF系列涵盖了全球领先企业、国内核心企业以及下一代技术的结构，”并指出：“与单一主题投资相比，这种结构能够降低风险，同时应对半导体产业的增长。”

三星电子和SK海力士在盘前交易中大幅上涨，提振了市场对半导体行业的投资信心。根据9日的NXT数据，截至上午8时25分，三星电子的股价上涨6.26%，报314,000韩元。SK海力士的股价也上涨8.06%，达到2,065,000韩元。分析认为，这一上涨是受到美国股市半导体股普遍反弹的影响。市场关注伊朗宣布停止对以色列的攻击，期待中东紧张局势缓解。风险资产偏好回升，导致近期大幅下跌的科技股和半导体股迎来了买入潮。在8日（当地时间）纽约证券交易所，虽然道琼斯工业平均指数下跌0.16%，但标准普尔500指数和纳斯达克指数分别上涨0.30%和0.86%。特别是半导体股表现出强劲的反弹势头。美光科技股价上涨9.87%，KLA上涨9.27%，应用材料上涨8.64%，兰迪研究上涨6.98%，ASML上涨6.54%，AMD上涨5.14%。此外，英伟达因与韩国企业在人工智能（AI）领域的合作预期上涨1.73%，而英特尔因与谷歌的合作传闻上涨11.19%。费城半导体指数（SOX）在前一交易日下跌10.26%后反弹5.61%。国内股市相关指标也表现强劲。MSCI韩国指数ETF上涨5.96%，KOSPI200夜间期货上涨5.47%。外汇市场也出现了风险规避情绪缓解的迹象。前一交易日收于1535.00韩元的韩元兑美元汇率在夜间市场下跌至1526.50韩元，1个月期差额结算远期汇率（NDF）也报1526.30韩元。Kiwoom证券研究员韩志英表示：“美国股市以半导体股为中心反弹。”她预测：“9日国内股市将以半导体等跌幅过大的主导股为中心，逐步弥补前日的暴跌。”未来资产研究员徐相英表示：“国内股市预计将呈现出因伊朗局势稳定而带来的强势预期与前日暴跌后的卖压消化并存的局面。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

首都圈公寓的新高成交比例在今年首次跌破10%。由于土地交易许可区的扩大和贷款限制的加强，江南地区高价楼盘的观望情绪加重，但首尔准核心区域和京畿半导体产业带周边仍然保持新高成交，区域两极化现象愈加明显。 直方分析了国土交通部的公寓交易实况资料，8日表示，5月首都圈公寓的新高成交比例为9.7%，创下今年以来的最低水平。 首都圈新高成交比例的下降被解读为去年10·15房地产政策后，扩大土地交易许可区和高强度贷款限制导致购房心理受挫的结果。此外，5月9日多套房者的资本利得税中征延缓结束前，部分急售房源进入市场，也对新高成交比例的下降产生了影响。 从区域来看，首尔的新高成交比例为19.3%，较上月的21.3%下降了2个百分点，京畿则从7.7%降至7.0%。相反，仁川则从2.7%小幅上升至2.8%。 首尔公寓的新高成交比例自今年2月的31.3%以来，3月降至25.1%，4月降至21.3%，5月降至19.3%，连续三个月下降。 新高成交数量也有所减少。首尔的新高成交每月超过1000宗，但5月降至864宗，整体交易量为4467宗，低于最近三个月（2至4月）的平均6563宗。 尤其是江南地区的下降趋势明显。江南区的新高成交比例为19.3%，较去年同期下降31.1个百分点，瑞草区为33.8%（下降14.3个百分点），龙山区为26.4%（下降9.0个百分点）。 相对而言，永登浦区（41.2%）、铜雀区（35.3%）、东大门区（31.8%）的新高成交比例较去年同期增加了20个百分点左右或更多。 这些地区的新高成交平均价格为：永登浦区12900万元，铜雀区15000万元，东大门区11100万元，10亿至15亿元的实际需求交易活跃。与江南地区相比，贷款限制的影响相对较小，租赁需求的购房转化持续，这被分析为新高成交增加的原因。 此外，京畿道整体的新高成交比例为7.0%，较上月下降0.7个百分点，但区域差异明显。 龟尾市的新高成交比例为21.1%，较去年同期上升18.9个百分点，龙仁市的水枝区也为19.4%，较去年上升16.1个百分点。 特别是华城的东滩区，新高成交比例为12.0%，已连续六个月上升。东滩被视为三星电子华城·骏兴校园和ASML华城校园等京南半导体产业带的核心后备居住地。 伊川房地产市场也在活跃中。根据国土交通部的实价公开系统，伊川市的整体房地产交易量（公寓、连立多世代、办公楼合计）从去年下半年每月平均626宗增加至今年1至4月的平均737宗，增长了17.7%。此外，‘伊川乐天凯旋天空’在去年6月以84㎡的标准成交价6200万元，创下地区最高价。 目前，首都圈市场在江南高价楼盘的观望情绪与半导体产业带及首尔交通便利区域的强势并存，区域两极化现象加剧。业界关注6月地方选举后，房地产政策、利率及家庭债务管理的基调是否会继续影响这种差异化趋势。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

在半导体业界普遍认为“摩尔定律”逐渐接近物理极限之际，华为日前提出“韬(τ)定律”，并预计到2031年，基于韬(τ)定律的高端芯片晶体管密度将达到1.4纳米制程的同等水平。 日前在电气电子工程师学会（IEEE）举办的国际电路系统研讨会上，华为半导体业务总裁何庭波发表题为《半导体新路径探索与实践》主题演讲，发表指导半导体产业发展的全新理论框架——韬(τ)定律，提出以“时间(τ)缩微”替代“几何缩微”作为半导体与电子系统演进的新指导原则，通过逻辑折叠等创新技术，持续压缩信号传播时延，不断提升晶体管密度，从而实现半导体与电子系统的持续演进。 传统的摩尔定律由英特尔创始人戈登·摩尔于1965年提出，指出集成电路上可容纳的晶体管数量大约每18至24个月增加一倍，性能随之提升一倍，而成本相应下降一半。这一定律揭示了信息技术进步的指数增长规律，被视为半导体业界的金科玉律，但在纳米级芯片上盲目增加晶体管密度已变得越来越困难。 据华为透露，集团过去6年间基于韬(τ)定律已设计并量产381种半导体产品，并计划于今年秋季推出首款全面采用逻辑折叠技术的麒麟芯片。华为还提出，基于韬(τ)定律的晶体管密度将在2031年达到相当于1.4纳米工艺的水平。 何庭波表示，华为已经找到了可持续发展的进化之路，无需依赖荷兰阿斯麦（ASML）的极紫外光刻机（EUV）仍可显著提升芯片制造能力。 《南华早报》称，华为及中芯国际与台积电之间的技术差距约为5年，目前业界普遍预计台积电将在2028年下半年量产1.4纳米工艺，三星电子则预计于2029年实现相关量产。若华为目标能够兑现，意味着中国先进半导体与全球领先企业之间的技术差距可能进一步缩小。 由于美国长期限制阿斯麦先进EUV光刻设备对华出口，中国先进制程发展一直受到关键设备瓶颈制约。彭博社指出，若华为实现相当于1.4纳米水平芯片量产，将颠覆业界“EUV设备是5纳米以下芯片量产必需”的共识。 不过，市场对于韬(τ)定律的商业化可行性仍存疑。英伟达、AMD等其他企业也在摸索替代摩尔定律的方案。业内人士指出，在缺乏先进光刻设备的前提下，仅依赖架构设计、算法优化等软件层面技术，仍难以完全替代硬件制造工艺上的突破。

由于人工智能（AI）需求激增，全球半导体供应短缺的局面可能会持续一段时间。除了AI数据中心的投资外，卫星和机器人等领域的半导体需求也在同时增长，导致生产能力无法跟上。 据路透社报道，ASML首席执行官克里斯托夫·普克在比利时安特卫普举行的IMEC技术论坛上表示：“AI需求非常强劲”，并指出“半导体市场在相当长的时间内可能会保持供应短缺状态”。他还提到，全球半导体市场预计到2030年将达到1.5万亿美元（约合2246万亿韩元），并警告供应链各处可能出现瓶颈。 ASML是先进半导体光刻设备市场的核心企业。光刻设备用于在半导体原料晶圆上刻画电路，是生产先进逻辑芯片（运算用半导体）和高性能存储器的必备设备。台积电、三星电子、SK海力士、美光和英特尔等主要半导体公司均使用ASML的设备。 普克首席执行官还指出，特斯拉首席执行官埃隆·马斯克构想的大规模AI半导体工厂“特拉法”以及星链卫星业务也是推动半导体需求增长的因素。他透露与马斯克讨论过相关项目，并表示：“马斯克对这些项目非常认真”。如果大型AI工厂和卫星互联网网络的扩展真正转化为投资，半导体设备和生产能力的竞争将更加激烈。 ASML也在提升设备性能以应对不断增长的需求。公司正在提供下一代光刻设备高NA EUV（极紫外光），该设备能够制造更精细的电路。同时，ASML还在推进先进封装领域的相关设备开发。预计利用高NA EUV设备生产的半导体产品将在数月内问世。英特尔、三星电子和SK海力士等公司正在进行相关设备的引进。 强劲的需求也反映在ASML的业绩预期上。ASML在上个月根据强劲的AI需求将2026年的营收预期上调至360亿至400亿欧元（约合56万亿至62万亿韩元）。普克首席执行官表示：“当时半导体需求已经超过了供应”，并指出“客户正在加快生产能力扩展计划”。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

摩根士丹利表示，随着代理AI（自主规划和执行多步骤的AI）的扩展，AI半导体投资将从图形处理器（GPU）扩展到中央处理器（CPU）和内存。 根据路透社20日报道，摩根士丹利在前一天的报告中指出，AI从内容生成阶段进化到自主执行阶段，CPU和内存成为关键部件。 摩根士丹利认为，这一变化将改变数据中心的服务器配置方式，并增加对CPU的需求，尽管GPU需求仍然强劲。 预计到2030年，代理AI将为超过1000亿美元的数据中心CPU市场增加325亿至600亿美元。 随着AI分阶段执行任务，CPU将承担控制层角色，内存需求也将快速增长。 在供应紧张的领域，企业的定价能力可能会增强。 摩根士丹利将英伟达、AMD、英特尔、Arm列为CPU和加速器领域的受益者，内存领域则包括美光、三星电子和SK海力士，生产设备领域则有台积电和ASML。 此前，路透社根据ASML和台积电的最新业绩预测，美国科技巨头的AI基础设施投资仍在增加。

※ '钢铁部队'是一个轻松解读半导体、电池、显示器等尖端产业竞争和技术战争的栏目。从看不见的芯片到全球供应链，像'钢铁部队员'一样奔走在产业前线，生动传递信息。周末充电新能量，感受韩国产业的力量！<编辑者注> 高带宽存储器（HBM）的竞争不再仅仅依赖于内存企业的技术实力。决定生产能力的关键因素正在转向ASML的EUV（极紫外光刻设备）的获取。随着AI半导体市场的快速增长，三星电子和SK海力士之间的HBM竞争加剧，但真正影响市场应对能力的是生产基础设施。EUV设备是先进工艺的必备设备，ASML几乎垄断供应，无法获得设备将限制竞争参与。ASML是荷兰公司，供应在晶圆上刻画半导体电路的光刻设备，在EUV设备领域几乎拥有垄断地位。光刻设备是半导体生产工艺中形成电路图案的核心设备，与工艺微细化直接相关。特别是EUV利用比传统设备更短波长的光，可以实现更密集的电路，是HBM等先进半导体生产的必备设备。公司最近的业绩报告显示，内存半导体客户的EUV生产能力已售罄至2026年。预计供应限制可能持续到2027年，这表明半导体行业的瓶颈正在从性能转向生产基础设施。这种变化正在根本上改变AI半导体竞争的结构。过去竞争主要围绕英伟达和AMD等设计公司展开，随后HBM的内存竞争崛起，但现在能否实现产品化的生产基础设施成为新的竞争焦点。EUV设备不仅是简单的设备，而是进入先进工艺的前提条件，也是决定生产能力的因素。设备的获取时间和数量直接影响产能，因此设备获取速度比技术差距更能左右市场应对能力。因此，半导体竞争的标准也在改变。从微细工艺实现的竞争转向生产速度和产量扩大的竞争。在HBM需求激增的情况下，如果EUV获取延迟，将在交货能力和客户响应速度上拉开差距。实际上，SK海力士已从ASML预订约12万亿韩元的EUV设备，并计划在2027年前分批引进。考虑到每台EUV设备的价格高达数千亿韩元，这是一项数十台规模的大规模投资。这些设备将用于HBM等下一代内存生产的先进工艺，不仅是简单的设备扩充，而是为应对未来AI半导体需求的产能占领战略。特别是考虑到设备交付需要数年时间，此次投资被评价为提前反映中长期需求的前瞻性应对。结果，目前的HBM竞争表面上看似内存企业间的技术竞争，但背后是围绕设备供应链的结构性竞争。英伟达（设计）、三星电子和SK海力士（生产）的现有格局背后，ASML正在成为左右供应链整体的关键变量。钢铁部队的视线所在，半导体产业的竞争不再停留在性能竞争。围绕EUV获取的生产基础设施竞争正在重新布局市场。比芯片性能更重要的是生产速度和生产能力。最终，抢占设备的企业将掌握市场主导权。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

半导体光刻设备垄断企业ASML的EUV设备售罄，显示AI芯片竞争的瓶颈从性能转向生产基础设施。关键设备的获取成为市场竞争力的决定因素。据半导体行业16日消息，ASML在最近的季度财报中表示，其存储芯片客户的生产能力已售罄至2026年，供应限制可能持续到2027年。这被解读为AI芯片市场结构变化的信号。尽管英伟达和AMD等大公司对HBM的需求激增，但生产的关键因素已转向EUV设备的获取。目前，EUV设备几乎由ASML垄断供应。由于是先进工艺的必需设备，三星电子和SK海力士等存储公司若无法获得，将限制其生产能力的扩展。ASML表示，本季度51%的收入来自存储芯片，45%来自韩国客户。总收入约15万亿韩元中，约7万亿韩元来自韩国，反映出韩国存储企业的积极投资。业内人士认为，这一趋势正在根本改变存储竞争格局。过去以工艺微缩和良率提升为核心的性能竞争，现在转向以EUV设备获取为起点的竞争。没有EUV设备，进入先进工艺几乎不可能，设备获取的时间和数量直接影响生产能力。尤其在HBM需求激增的情况下，若EUV设备获取延迟，客户响应速度和交货竞争力将受到影响，设备的先占成为市场份额和业绩的关键因素。实际上，SK海力士上月从ASML订购了约12万亿韩元的EUV设备，计划到2027年分批引进。这被解读为不仅是设备投资，更是为应对未来AI芯片需求的生产能力战略。最终，HBM竞争的本质从高性能产品实现能力转向稳定供应大规模产量的生产能力。围绕EUV设备的竞争成为半导体行业的新战场。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

荷兰半导体设备公司ASML在今年一季度实现了市场预期内的稳健业绩，并上调了全年业绩预期。ASML宣布，2026年第一季度总销售额为88亿欧元，毛利率为53.0%，净利润为28亿欧元。ASML预计第二季度总销售额为84亿至90亿欧元，毛利率为51%至52%。全年总销售额预期上调至360亿至400亿欧元，毛利率为51%至53%。ASML首席执行官克里斯托夫·普克表示，随着AI相关基础设施投资的持续，半导体行业的增长前景更加稳固。他指出，芯片需求超过供应，客户基于长期合同加速扩展2026年及以后的生产能力。普克还透露，客户对ASML产品的短期和中期需求预期上调，导致订单强劲。他表示，通过新设备交付和现有设备性能升级来满足需求，预计2026年将是ASML全业务的又一个增长年。ASML解释称，此次预期调整考虑了当前讨论中的出口管制相关可能性。ASML是以EUV和高NA EUV设备为核心的先进光刻设备市场的主要供应商，随着AI半导体投资的增加，客户的设备投资需求持续。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。