三星电子去年第四季度营业利润实现逾三倍同比增长，主要得益于此前处于低迷态势的半导体业务显著复苏。长期作为集团业绩支柱的设备解决方案（DS）部门，在通用型DRAM价格上涨及高带宽存储器（HBM）供应扩大等因素推动下，表现尤为强劲。业界分析认为，若当前趋势得以延续，三星电子今年全年营业利润有望突破100万亿韩元（约合人民币4824.4亿元）。 三星电子于8日发布的财报显示，去年第四季度实现销售额93万亿韩元，营业利润20万亿韩元。销售额和营业利润同比分别增长22.7%和208.2%。这是自2018年第三季度半导体“超级周期”达到高峰创下17.57万亿韩元营业利润以来，时隔七年再次刷新单季度最高利润纪录。 尽管三星电子未公布各部门详细数据，但证券业界普遍预测，负责半导体业务的设备解决方案部门第四季度营业利润约为16万亿韩元，较上一季度翻了一番，占整体营业利润的约80%。 从营业利润率来看，三星电子去年第一、第二季度分别仅为4%和1%，第三季度上升至21%，预计第四季度将进一步跃升至约38%。其中，存储器业务贡献了利润的绝大部分。由于供应趋紧，通用型DRAM与NAND闪存价格持续上涨，加之面向主要科技企业的HBM出货量扩大，共同推动业绩改善。 此外，自去年下半年以来，高利润率的第五代HBM3E产品实现客户多元化并扩大出货规模，进一步强化业绩回升。目前，三星电子已成功将英伟达、AMD以及博通等定制芯片（ASIC）企业纳入客户体系。证券业界预测，晶圆代工及系统LSI部门在去年第一、第二季度分别录得约2万亿韩元营业亏损后，于第三、第四季度将亏损额收缩至8000亿韩元以下。 展望今年，市场对三星电子的业绩走势普遍持乐观态度。自去年下半年起，半导体行业进入新一轮“超级周期”，存储器价格持续上行，三星电子在HBM领域的竞争力也逐步增强。若按当前趋势发展，三星电子今年全年营业利润有望达到去年的2至3倍。KB证券研究员金东元（音）指出，在DRAM价格大幅上涨及高带宽存储器出货激增的带动下，预计三星电子今年营业利润将达到123万亿韩元。 同时，三星电子有望在HBM4市场竞争中抢占先机。分析指出，三星电子近期在英伟达、博通等企业主导的HBM4系统级封装测试中获得最高评分，实际供货前景已趋于明朗。因此，HBM市场份额有望从去年的约16%至17%，提升至今年的30%以上。 但亦有观点指出，鉴于半导体行业出口比重较高，业绩仍可能受汇率波动及通用型DRAM价格走势的影响。自去年底以来持续处于1400韩元区间的高汇率环境对业绩形成支撑，但若汇率回落或产品价格涨势放缓，营业利润增幅或低于预期。

在个人投资者大量买盘的推动下，韩国综合股价指数（KOSPI）6日历史上首次突破4500点大关。半导体“双龙头”盘中双双刷新历史高点，带动KOSPI指数上扬；同时，资金轮动扩散至证券、二次电池、造船等板块，令年初股市行情进一步升温。 6日，KOSPI指数报收4525.48点，较前一交易日上涨67.96点，涨幅1.52%，再创收盘历史新高。自本月2日首次突破4300点、前一交易日跨越4400点后，KOSPI仅用一天时间便连续突破至4500点关口。 当天KOSPI指数以4446.08点低开，早盘一度短暂失守4400点，主要受前期快速上涨后的获利回吐以及投资者在三星电子发布初步业绩前的观望情绪影响。但此后市场情绪明显反转，个人资金进场推动指数转涨，并最终在盘中高位收盘。 从资金流向来看，主板市场中个人投资者净买入5963亿韩元（约合人民币28.7亿元），成为拉升指数的重要力量；外资与机构分别净卖出6302亿韩元和664亿韩元。外资在KOSPI200股指期货市场亦净卖出4328亿韩元。首尔外汇市场方面，韩元兑美元汇率报1445.5韩元，较前一交易日走弱1.7韩元。 上涨动力主要来自半导体板块。SK海力士受在CES 2026期间披露下一代高带宽存储器（HBM4）发布计划，以及与英伟达CEO黄仁勋会面的消息提振，盘中一度触及72万韩元，刷新历史高点。三星电子亦在盘中成功转涨，股价站上14万韩元，创下新高。 年初KOSPI指数持续上涨，也带动证券股在业绩改善预期下集体走强。Kiwoom证券、未来资产证券、NH投资证券等均明显上涨。行业层面，证券、医疗精密、IT服务板块领涨；金属、纺织服装板块相对承压。 相较之下，韩国创业板市场指数（KOSDAQ）6日收报955.97点，下跌1.53点（0.16%）。尽管个人投资者净买入3821亿韩元，但外资与机构分别净卖出3448亿韩元和310亿韩元，对指数形成压制。 证券业界普遍认为，若以半导体为核心的业绩动能持续释放，KOSPI上行空间仍有望进一步打开。市场上亦有观点指出，若年初行情延续，KOSPI冲击5000点的可能性正被更多投资者讨论。

2026年国际消费电子展（CES 2026）于当地时间1月6至9日在美国拉斯维加斯举行。在人工智能（AI）大模型从云端转向边缘侧落地的“硬件元年”，本届CES不仅成为英伟达、AMD等算力巨头正面交锋的舞台，也被视为韩中两国显示与消费电子企业重塑全球产业竞争格局的关键节点。 今年展会聚焦人工智能、机器人、移动出行、家电等实体产业，以及与这些产业相结合的“实体AI”和日常技术应用。尤其是生成式AI在产业领域的应用与商业化案例，成为本届展会重点。 据悉，今年展会吸引来自160多个国家和地区约4300家企业参展。韩国企业方面，三星电子、现代汽车、LG电子、斗山等大型企业，以及约1000家中小及初创企业共同参与。凭借AI创新技术，韩国已连续三年成为CES创新奖获奖数量最多的国家。 具体来看，SK海力士将首次公开下一代高带宽存储器（HBM）产品“16层 48GB HBM4”。SK海力士以“以创新AI技术打造可持续未来”为主题，介绍针对AI优化的下一代内存解决方案。 LG电子提出以“共情智能”为核心理念，通过精准理解用户意图，提供高度个性化的智能功能体验。 与此同时，英伟达（NVIDIA）抢先公开接替Grace Blackwell（GB）的下一代超级芯片Vera Rubin（VR），以提前拉开与竞争对手的技术差距。英伟达强调自身正构建面向所有人工智能的统一平台，并通过持续加深技术壁垒，巩固其在AI市场的领先地位。 据悉，中国企业方面，海信将推出全新升级的RGB-Mini LED电视，有望再次实现在高端显示领域对日韩品牌的代际领先优势。TCL将以2453平方米展位亮相本届展会。作为全球化科技品牌，TCL不仅成为参展面积最大的中国企业，也是首个占据核心展区的中国展商。通过TCL实业与TCL科技两个产业集团，TCL将围绕“屏宇宙”与“AI生活”两大主线，系统展示其在显示科技与人工智能融合领域的创新成果。 此外，大韩商工会议所近日表示，将于当地时间6日向CES 2026派遣官方参观团。该参观团计划在现场考察人工智能、出行、机器人、医疗健康等全球前沿技术趋势，并据此探索支持韩国企业应对未来产业变化及拓展全球市场的战略。 在CES行程结束后，参观团还将前往硅谷，访问英伟达、苹果、谷歌、Meta等全球大型科技企业，实地了解尖端技术产业发展情况。

据SK海力士6日消息，公司将于当地时间本月6日至9日在美国拉斯维加斯举行的全球最大消费电子展CES 2026期间，于威尼斯人会展中心设立专属客户展馆，集中展示面向人工智能（AI）的下一代存储器解决方案。 SK海力士介绍，本次展览以“AI技术创新，迈向可持续未来（Innovative AI, Sustainable Tomorrow）”为主题，重点呈现针对AI应用进行优化的下一代存储器产品组合，并通过与全球主要客户的交流，探讨未来合作方向。 此前，SK海力士在CES期间通常同步运营SK集团联合展馆和公司专属客户展馆。今年，公司将重点聚焦专属客户展馆，以加强与核心客户的直接沟通，并就实际合作方案展开深入讨论。 在本次CES上，SK海力士将首次公开展示下一代高带宽存储器（HBM）产品——16层48GB HBM4。该产品是在此前实现业界最高传输速率11.7Gbps的12层36GB HBM4基础上升级而来，目前正根据客户需求推进研发进程。 此外，公司还将展出被视为2026年HBM市场主力产品的12层36GB HBM3E，并同步展示搭载该产品的全球客户AI服务器GPU模块，以直观呈现HBM3E在AI系统中的应用场景。 除HBM产品外，SK海力士还将重点展示面向AI服务器的低功耗内存模组SOCAMM2，通过多元化产品布局，展现其应对快速增长的AI服务器需求的综合竞争力。 在通用存储器领域，公司将展出针对AI应用优化的产品系列，包括新一代LPDDR6。该产品面向端侧AI场景进行设计，在数据处理速度和能效方面较前代产品实现显著提升。 在NAND闪存方面，SK海力士将展示321层2Tb QLC NAND产品，主要面向AI数据中心对超高容量企业级固态硬盘（SSD）的需求。该产品在集成度方面达到业界领先水平，并在性能与能效上较上一代QLC产品实现明显改善。 展会期间，公司还将设置“AI系统演示区”，集中展示多种面向AI系统的存储解决方案如何协同构建高效AI生态体系。展示内容包括定制化HBM、基于PIM架构的AiMX、支持存内计算的CuD、融合计算功能的CXL内存解决方案CMM-Ax，以及数据感知型存储（CSD）等技术。 SK海力士AI基础设施（AI Infra）负责人、首席营销官（CMO）金柱善表示：“随着AI技术的快速发展，客户需求也在不断变化。公司将通过差异化的存储解决方案积极响应市场需求，并持续与客户紧密合作，为AI生态系统的发展创造新的价值。”

在第五代高带宽存储器HBM3E持续主导市场格局的背景下，随着英伟达计划于明年下半年推出下一代人工智能（AI）加速器“Rubin”，第六代产品HBM4的市场预计将正式启动，SK海力士与三星电子之间的主导权竞争或将进一步激化。 据业界28日消息，搭载HBM3E的英伟达Blackwell系列目前占据AI芯片市场的主要份额，加之H200对华出口有望启动，HBM3E预计至少在2026年前仍将维持在整体HBM市场中的主体地位。同时，随着谷歌、博通、微软、亚马逊云服务等定制芯片（ASIC）厂商对HBM3E的需求持续增长，HBM3E市场规模有望进一步扩大。LS证券分析指出，明年HBM3E在整体HBM产量中的占比预计为66%，虽较今年的87%下降21个百分点，但仍将占据一半以上份额。 SK海力士凭借在HBM3E早期量产及向主要客户供货方面的领先优势，目前以约60%的市占率位居HBM市场首位，不仅承担英伟达大部分订单，也为多家ASIC厂商提供HBM3E产品，市场主导地位短期内有望继续保持。 同时，市场关注焦点正逐步转向下一代产品HBM4。HBM4在性能、制程技术及基板芯片应用等方面均实现进一步升级。若英伟达Rubin成为首款搭载HBM4的产品，HBM4市场预计将于2027年全面展开。作为Blackwell架构的后继平台，Rubin定位为高性能AI计算平台，旨在提升推理与训练效率。此外，谷歌第八代TPU、亚马逊Trainium4以及微软Maia 300均计划采用HBM4，并有望在2027年面世。据此预测，HBM4出货量将于2027年超越HBM3E。 三星电子对在HBM4市场展现出强烈信心。三星电子计划在HBM4中采用基于三星代工4纳米工艺的基板芯片，以及10纳米级第六代(1c)DRAM工艺。据悉，其内部技术评估已实现每秒11.7吉比特的业界最高性能水平。相比之下，SK海力士则采用台积电12纳米基板芯片与第五代10纳米级DRAM工艺。近期，三星电子在英伟达HBM4系统级封装测试中获得最高评分，被业界视为HBM4供货前景向好的积极信号。三星电子计划于明年初正式启动HBM4的量产工作。 市场对三星电子的业绩预期也相应上调。全球投资银行野村证券在最新报告中预测，三星电子明年营业利润有望达约133万亿韩元（约合人民币6446.9亿元）。野村证券分析指出，三星电子预计将较HBM3E更集中资源于通用存储器及HBM4的生产，新增产能中将有相当部分分配给HBM4所需的1c制程，且英伟达的质量认证有望于明年1月前完成。

近来，三星电子与SK海力士开始向英伟达供应第六代高带宽存储器（HBM4）。两家公司正以有偿方式向英伟达提供搭载下一代人工智能（AI）加速器“Rubin”的HBM4最终样品，并同时进入最后协调阶段。尽管仍需通过质量验证，但业界普遍预测，明年第一季度将敲定具体供货规模及价格。 据电子业界16日消息，三星电子与SK海力士目前向英伟达有偿供应第六代高带宽存储器（HBM4）最终样品。分析指出，有偿供应样品通常发生在产品性能已高度接近客户要求时，也被视为即将签署正式供货协议的重要信号。两家公司尚未完成最终质量认证，但已进入供应链关键节点。此前有观点认为，SK海力士的HBM4供应领先于三星电子，但目前来看，双方均处在同一起跑线上。 据悉，英伟达正对搭载SK海力士HBM4的Rubin进行最终运行测试。待Rubin正式投产，SK海力士也将立即启动批量供货。 此外，SK海力士与英伟达已就明年全年的HBM4供货总量及大致合约单价达成框架协议。SK海力士决定对英伟达明年提出的HBM4需求，以公司可应对的最大产能进行供应。SK海力士在第三季度业绩发布会上曾预告，预计从第四季度开始出货，并于明年正式扩大销售规模。 三星电子方面，与英伟达就明年HBM4供应的谈判也已进入收尾阶段，有望成为继SK海力士之后的第二大HBM4供应商。在第五代HBM3E阶段，三星电子对英伟达的供货比重有限，从第六代HBM4开始，三星电子着力恢复其市场地位。三星电子已向英伟达提供HBM4有偿样品，英伟达正将其搭载于Rubin进行质量验证。 三星电子为恢复HBM4市场竞争力，采用自主研发的4纳米制程代工技术，并搭载了比竞争对手领先一代的DRAM芯片。目前公司正推进平泽园区HBM4产能扩建计划，以应对市场需求。 相比之下，美光科技（Micron）预计将落居第三大HBM4供应商。由于调整HBM4产品部分设计而面临技术问题,与英伟达的谈判进程被迫延缓。尽管美光科技已满足英伟达提出的HBM4产品标准并交付最终样品，但在性能方面仍落后于竞争对手。

SK海力士凭借高带宽内存（HBM）业务强劲表现，今年第三季度业绩实现爆发性增长，财务结构实现显著改善。时隔一年，其现金资产激增约17万亿韩元（约合人民币829亿元），规模已超过借款总额，美国市场销售占比突破70%。 据SK海力士16日发布的季度报告，截至今年第三季度底，SK海力士借款规模为24.0787万亿韩元，同比增加2.2339万亿韩元，较上半年也增长逾2万亿韩元。自2023年后公司持续缩减负债规模，此次借款增长主要受设备投资及再融资等综合因素影响。截至第三季度，现金资产达27.8544万亿韩元，较一年前激增近17万亿韩元，较同期借款规模高出约3.7万亿韩元。 分析认为，现金资产的大幅增长主要得益于以HBM为核心的优异业绩。SK海力士相关人士表示，第三季度，公司在人工智能（AI）存储器销售扩张的推动下，销售额和营业利润均创历史单季最高水平。这使现金资产超过负债，现金流状况显著改善。数据显示，截至第三季度，SK海力士营收为64.32万亿韩元，营业利润为28.0367万亿韩元。其中，HBM贡献了公司整体DRAM销售收入的40%以上。 美国市场的强劲表现成为重要支撑。包含当地销售法人在内的美国区域第三季度销售额达17.3457万亿韩元，占当季总营收的70.9%，继上半年（69.8%）后再度突破七成大关。相较2020至2023年间美国业务39%至53%的占比，今年实现跨越式增长。截至第三季度，累计对美国销售额已突破45万亿韩元，较去年同期增长超17.8万亿韩元。 公司方面指出，随着AI内存需求增长，聚集众多科技巨头的美国市场占比大幅提升。据推测，SK海力士前三季度对英伟达的销售额预计达17.3551万亿韩元，约占同期总营收的27%。作为英伟达核心合作伙伴，公司目前正主力供应市场主流的HBM3E（第5代）产品，并即将开始供货新一代HBM4（第6代）。

英伟达计划自第六代高带宽存储器（HBM4）开始采用“多供应商”体系，导致价格竞争成为关键变量，此前SK海力士独占HBM市场的格局可能出现变化。 据外媒11日报道，英伟达CEO黄仁勋8日在台积电（TSMC）年度运动会上表示，目前已从三星电子、SK海力士和美光获得最先进的内存样品。黄仁勋提到的内存样品推测为HBM4。 黄仁勋称：“SK海力士、三星电子、美光这三家都是令人难以置信的优秀存储器制造商，他们为支持我们大幅扩大生产能力。”不过对于内存涨价的可能，他表示定价应由制造商来判断。 英伟达计划在明年下半年推出的下一代AI加速器Rubin上开始搭载HBM4。黄仁勋从三家企业都获得样品，预告“多供应商”模式，同时把“价格谈判”问题抛给内存行业。 三星电子和SK海力士供应HBM4基本已成定局。黄仁勋上月31日在庆州APEC峰会上表示：“已从三星电子和SK海力士获得HBM4样品，运行良好，两家我们都需要。”分析认为，两家公司的HBM都已通过质量测试。 SK海力士上月29日表示，已与主要客户最终确定明年HBM4供应计划，事实上公开向英伟达供货的消息。三星电子也正在与英伟达进行密切协商。 在“多供应商”体系下，“价格优势=订单数量”的公式即将发挥强力作用。也就是说，产量越大，越能实现降低生产成本的规模经济。 对此，三星电子和SK海力士竞相扩大产能。三星电子通过通用DRAM工艺转向HBM或增设的方式扩产，SK海力士则从明年开始把HBM4生产基地扩展至清州M15X工厂。 三星电子近日表示，明年HBM生产计划较今年大幅扩大，正在研究增产的可能。SK海力士也表示，明年设备投资预计比今年大幅增加。 SK海力士龙仁半导体集群2027年建成后，HBM产能预计会呈指数增长。SK集团会长崔泰源表示，龙仁集群建成后相当于同时运营24个清州晶圆厂。 三星电子计划投资360万亿韩元，在龙仁建设6座晶圆厂，目标是2030年启动首座晶圆厂。业内人士表示，为确保价格优势和市场份额，产能扩大不可避免。

在人工智能（AI）芯片不可或缺的高带宽存储器（HBM）领域，三星电子与SK海力士凭借各自独特的竞争优势展开积极布局。 据业界7日消息，英伟达首席执行官黄仁勋在近期记者会上表示，SK海力士的核心优势在于“专注”（focus），而三星电子的强项则在于“多样性”（diversity）。他指出，两者均具备不可替代的价值，并将作为英伟达的长期合作伙伴，共同致力于HBM4、HBM5乃至HBM97等新一代高带宽存储器的研发。黄仁勋强调，韩国企业不仅是优秀的合作伙伴，更如同兄弟。他透露，目前已拿到来自三星电子与SK海力士的HBM4样品，经测试均运行状态非常良好。他表示，唯有整合韩国企业的整体实力，才能持续推动英伟达的成长与发展。 业内分析认为，三星电子与SK海力士在竞争力方面存在显著差异。SK海力士作为专业存储半导体厂商，在相关技术领域保持领先地位；而三星电子则是一家能够实现从存储、晶圆代工到先进封装全流程一体化的综合半导体企业（IDM）。 目前，在AI芯片的生产体系中，英伟达等无晶圆厂企业主要负责产品设计，而存储厂商（如SK海力士）、晶圆代工厂（如台积电）等专业企业则分工协作完成制造环节。然而，三星电子是全球唯一一家同时具备存储半导体、晶圆代工及先进封装能力的综合性半导体企业，能够独立完成从设计支持到最终产品的全链条生产。 三星电子强调，企业可为客户提供在同一平台上一站式评估存储性能、获取代工制造咨询以及验证先进封装技术特性的综合服务。此外，三星电子拥有丰富的产品线，这也是独特的竞争优势之一。相较之下，SK海力士作为专业存储半导体企业，始终坚持“不与客户竞争”的战略定位，这一理念与全球领先的代工企业台积电高度契合。 台积电秉持“绝不与客户竞争”的原则，在今年第二季度全球晶圆代工市场中占据了71%的份额，远高于排名第二的三星电子（8%），几乎形成垄断态势。尽管SK海力士在产品多样性方面不及三星电子，但作为专业存储企业，能够通过高度专注的研发策略实现技术突破与效率提升。 SK集团会长崔泰源在近日举行的“SK AI Summit 2025”上发表演讲时指出，SK的AI战略核心在于与合作伙伴共同设计与推进解决方案。他表示，SK绝不与客户或合作伙伴形成竞争关系，而是致力于携手多方伙伴共同开拓人工智能业务机遇，寻求最高效的AI解决方案。

据电子业界5日消息，若三星电子与SK海力士目前正在建设的生产设施按计划完工并顺利进入投产，预计2027年这两家企业的存储芯片（以12英寸晶圆为准）月产能将较今年增加约110万片。然而，分析认为，即便产能扩大，面对全球人工智能（AI）投资热潮，存储芯片供应仍可能持续吃紧。由此，两家企业或将进一步扩大设备投资。 目前，三星电子与SK海力士的月存储产能分别为165万至175万片、144万至180万片，总计309万至319万片。随着正在建设的新工厂陆续投产，预计到2027年，两家企业合计月产量将达410万至420万片，其中三星约230万至240万片，SK海力士约180万片。这意味着三星的产能将提升约35%，SK海力士则增长约25%。 三星P4厂进入复工阶段，将自明年起在该厂生产新一代HBM4。SK海力士方面，位于清州的M15X厂已开始安装设备，预计明年投产HBM产品；同时，正在建设的龙仁半导体集群也将以2027年投运为目标，为后续扩产打下基础。SK集团会长崔泰源在本月3日举行的“SK AI峰会 2025”上表示，龙仁半导体集群的规模相当于24座M15X厂。 三星电子与SK海力士均表示，新产线将主要用于满足全球AI企业不断增长的HBM需求。然而，证券界与业内人士指出，HBM仍将长期处于供不应求状态。业界预测，由OpenAI主导、规模高达700万亿韩元（约合人民币3.4484万亿元）的超大型AI基础设施项目“Stargate”，单月HBM需求量就接近全球总产能的两倍，约为90万片。 数据显示，HBM供应短缺率从今年的30%预计将上升至明年的35%，并在2027年超过40%。此外，随着三星电子与SK海力士集中供应HBM，通用DRAM与NAND闪存的供应短缺也可能进一步加剧。 面对供需紧张局面，两家企业近期频繁释放扩产信号。业内人士指出，三星电子与SK海力士的扩产速度将成为未来全球存储市场竞争的关键变量。当前存储价格因供应紧张持续上涨，谁能率先提升产能，谁就能抢占市场先机。