韩美半导体在上海举行的“2026年中国半导体展”上展示了用于AI半导体的新设备，正式进军先进封装市场。韩美半导体宣布在此次展会上首次推出三款新设备：“2.5D TC绑定机40”、“2.5D TC绑定机120”和“宽TC绑定机”。其中，2.5D TC绑定机是将GPU、CPU、HBM等集成到硅中介层上的AI半导体核心设备，标志着公司正式进入高附加值封装市场。“2.5D TC绑定机40”适用于40毫米级芯片和晶圆的绑定，而“2.5D TC绑定机120”则支持大型中介层封装。由于中国和台湾代工厂的需求增加，这些设备即将供应。同时展示的“宽TC绑定机”是下一代HBM生产设备，能够通过增加TSV和I/O数量以及提高微凸块集成度来改善内存容量和带宽，预计将在今年下半年推出。业内人士认为，随着HBM高层化趋势的持续，封装高度标准可能会放宽，现有TC绑定机的需求将暂时保持。JEDEC正在审查HBM封装高度标准的提升，这可能会推迟混合绑定的量产时间。因此，韩美半导体计划在现有TC绑定机市场的基础上，同时开发混合绑定技术。公司在2020年推出相关设备，并计划在2029至2030年实现量产应用。韩美半导体会长郭东信表示：“AI半导体封装需求正在迅速扩大，今年我们预计季度销售额将保持在2500亿韩元以上，全年增长超过40%。”目前，韩美半导体在HBM用TC绑定机市场中占据71.2%的全球市场份额，预计此次展会将进一步扩大其在AI封装设备市场的影响力。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子去年在研发上投入超过37万亿韩元，创下历史新高。这一投资增长7.8%，主要用于应对AI半导体市场的扩张和下一代存储器的竞争。根据三星电子2025年业务报告，去年研发费用总计37.7548万亿韩元。尽管研发占销售额的比例略降至11.3%，但绝对投资规模显著增加。三星电子特别在高带宽存储器（HBM）技术上投入大量研发资源。预计今年6代HBM市场将正式启动，三星自去年起就大力开发相关技术。HBM是AI加速器和高性能计算系统的关键组件，主要客户包括英伟达和AMD等全球科技巨头。确保稳定的供应能力是市场竞争力的关键。三星电子在HBM4产品中应用了领先的10纳米级6代（1c）DRAM工艺，性能比国际半导体标准组织（JEDEC）标准的8Gbps高出约46%，达到11.7Gbps。上月，三星电子率先开始量产HBM4，预计将用于英伟达的下一代AI芯片“Vera Rubin”平台。在非存储领域，三星电子也在加速技术竞争力的提升。其代工部门计划在今年下半年实现2纳米工艺的量产。系统LSI部门则专注于提升移动应用处理器（AP）“Exynos”的竞争力。去年，三星对下一代移动芯片“Exynos 2600”进行了性能改进。Exynos 2600的中央处理器（CPU）计算性能比前代提升了39%，生成型AI处理性能提高了113%。业内认为该芯片的性能接近高通的“骁龙8 Elite 5代”。业内人士表示，随着AI半导体竞争加剧，存储和系统半导体的研发投资迅速增加。三星电子将在HBM、代工和移动AP等主要半导体领域继续扩大技术竞争力的投资。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

【经济日报】SK海力士（代表郭鲁正）完成了采用10纳米级第六代（1c）工艺的16Gb LPDDR6 D램的开发，并计划在今年下半年开始大规模量产。此举旨在抢占设备内AI时代的低功耗内存市场的技术优势，预计与三星电子的量产竞争将更加激烈。此次开发的1c LPDDR6 D램相比上一代LPDDR5X，数据处理速度提高了33%。其运行速度超过10.7Gbps，满足了生成型AI对高带宽的要求。通过应用子通道结构和DVFS（动态电压和频率调节）技术，电力消耗降低了20%以上。SK海力士通过前瞻性地应用1c尖端微细工艺，最大化了电力效率和集成度，使得移动设备用户在执行语音转录、实时翻译等高规格AI功能时，能够在最小化电池消耗的同时享受流畅的性能。此次开发反映了智能手机和笔记本等移动设备AI化加速的市场趋势。根据市场研究机构IDC的数据，配备生成型AI功能的智能手机出货量每年急剧增加，因此对高性能低功耗内存的需求也在扩大。业内人士分析称：“传统的普通DDR产品正迅速被低功耗内存取代。在设备内AI环境中，数据需要在设备内部处理，而不是发送到服务器，因此更快速、更高效的内存将成为‘AI的心脏’。”这也是SK海力士继HBM（高带宽内存）之后，试图在移动D램领域拉开技术差距的背景。◆ 与三星电子的激战，‘市场占领’是关键随着SK海力士基于1c工艺的LPDDR6开发，三星电子的竞争格局更加清晰。三星电子专注于基于1b工艺的LPDDR6产品的产品稳定性和早期量产化，并最近向主要芯片组公司提供了下一代产品LPDDR6X的样品，加速了市场开拓。SK海力士选择了通过1c工艺实现高效率的战略，而三星电子则通过稳定的工艺运营和广泛的产品线进行对抗。专家认为，三星电子选择以性能稳定性为优先的1b工艺，是为了确保初期良率和客户供应的战略选择。未来LPDDR6市场预计将从智能手机扩展到自动驾驶汽车（SDV）、智能家电等领域。业内预计，如果HBM主导服务器AI市场，那么LPDDR6将推动个人AI设备市场的增长，成为内存半导体企业的新收入来源。SK海力士计划通过此次认证完成，确保下半年对全球移动客户的供应不受影响。专家认为，随着两家公司在微细工艺竞争中的激烈程度加剧，最终将加快下一代AI设备的商业化速度。2026年下半年，设备内AI普及化，谁能率先将更具压倒性电力效率和带宽的内存推向市场，将成为胜负的关键。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子率先推出被称为“梦幻存储”的第六代高带宽存储器HBM4，预示着HBM市场格局的变化。提前供货是为了抢占英伟达下一代AI芯片“Vera Rubin”的市场份额，打破SK海力士的垄断地位。据半导体行业消息，三星电子已正式宣布量产出货性能最强的HBM4。该产品速度达到11.7Gbps，比JEDEC标准的8Gbps高出46%，并可扩展至13Gbps，领先于竞争对手。三星能够在HBM4市场占据优势的关键在于“大胆的工艺转换”。与SK海力士和美光使用的10纳米级第五代（1b）DRAM不同，三星采用了技术难度更高的10纳米级第六代（1c）DRAM。此外，三星在HBM的“基底芯片”生产中采用了自家4纳米工艺，与SK海力士使用的台积电12纳米工艺相比，三星通过微细工艺最大化了电力效率和性能。三星电子副总裁黄尚俊表示：“我们打破了传统，采用最先进的工艺，及时满足客户的性能提升需求。”这是为了满足英伟达苛刻规格的战略选择。英伟达的下一代芯片“Vera Rubin”目标是推理性能提升5倍，学习能力提升3.5倍，需要超高速和超大容量的存储支持。三星通过从设计到生产、封装的一体化“Turn-key”解决方案实现了工艺优化，并通过了英伟达的质量测试。◆ “稳定性”SK海力士 vs “性能”三星电子…第二轮对决业内认为，三星电子的HBM4提前亮相标志着HBM市场竞争进入“第二轮”。一直主导市场的SK海力士以“稳定性”和“联盟”为武器进行防守。SK海力士通过验证的1b DRAM和与台积电的合作，在良品率和兼容性方面占据优势。市场研究公司Semianalysis预测，今年HBM4市场份额将为SK海力士70%，三星电子30%，仍然看好SK的优势。然而，三星电子的追赶势头迅猛。三星电子DS部门CTO宋在赫表示：“现在是展示三星电子真正实力的时候了。”业内预计，如果三星成功稳定HBM4的良品率，其在英伟达的市场份额可能提升至40%。尤其是如果英伟达提高规格要求，三星凭借规格优势可能占据有利地位。专家预测，HBM4之后的市场将转向根据客户需求定制芯片的“定制HBM”时代。在此过程中，拥有存储、代工和封装能力的三星电子的“IDM（综合半导体企业）能力”可能成为关键竞争力。如果设计、生产、封装由不同公司执行，工艺优化可能需要时间且成本增加，但三星可以在内部一次性解决这些问题，有利于缩短交货期和降低成本。KB证券研究部部长金东元表示：“采用1c DRAM和4纳米工艺的三星HBM4性能超出预期”，并分析称“未来三星电子的市场份额有望扩大”。2026年半导体市场的胜负取决于三星电子能否快速提升HBM4的量产良品率以确保盈利，以及SK海力士能否通过与台积电的联盟建立坚固的防御。随着英伟达“Vera Rubin”发布在即，两家公司的技术竞争将更加激烈。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子成功量产并出货被誉为“梦幻内存”的第六代高带宽内存（HBM4），成为全球首家。此前在HBM3E市场上失利的三星，凭借其卓越的技术实力，成功抢占第六代市场，重夺半导体王座。据业内消息，三星电子于12日开始量产出货性能最强的HBM4产品，预计将用于英伟达的下一代AI加速器“Vera Rubin”。◆ 宋在赫：“技术领先，展现三星实力”此次量产出货是此前一天信心的体现。三星电子设备解决方案（DS）部门首席技术官（CTO）宋在赫在11日首尔COEX举行的“半导体韩国2026”主题演讲前表示，客户对HBM4的反馈非常满意，并强调“技术上无可匹敌”。宋在赫表示，三星将继续在下一代HBM4E和HBM5中保持行业领先。他指出，三星在内存、代工和封装方面具备综合半导体企业（IDM）的优势，能够满足AI产品的需求。三星电子成功量产的HBM4突破了现有产品的限制，采用10纳米级第六代（1c）DRAM和自有4纳米工艺，数据处理速度达到国际半导体标准组织（JEDEC）标准8Gbps的146%，高达11.7Gbps，比前代HBM3E快22%。单栈带宽提升至3.3TB/s，容量达到36GB，未来计划扩展至48GB。值得注意的是，HBM4的“基底芯片”采用了4纳米工艺，开启了“定制HBM”时代。◆ SK海力士能否追赶？业内认为，三星的早期量产将成为HBM市场的“游戏规则改变者”。在HBM3E市场上，SK海力士占据主导地位，但在HBM4市场，三星凭借“一站式”解决方案取得优势。美国美光在进入英伟达HBM4供应链时遇到困难，而三星抢占了初期供应，未来在价格谈判和市场份额上占据有利地位。专家指出，三星通过HBM4的早期出货证明了其技术领导力，但实际量产的良品率稳定性将决定其能否独占英伟达等大客户的订单。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子设备解决方案(DS)部门CTO宋在赫表示，HBM4的量产将展示三星的技术实力。春节后，三星将首次向英伟达供应HBM4，重夺半导体市场主导地位。宋在赫在首尔的“半导体韩国2026”会议上表示，客户对HBM4的反馈非常满意。作为唯一同时拥有存储、代工和封装的公司，三星具备生产AI所需最佳产品的条件。HBM4采用10纳米6代(1c)DRAM和4纳米代工工艺，数据处理速度达到11.7Gbps，比国际标准(JEDEC)高37%。其内存带宽提升至3TB/s，12层堆叠技术提供36GB容量。宋在赫称，HBM4技术已达顶尖水平，良品率也很高，显示出三星在HBM市场的技术优势。他对市场前景持乐观态度，预计AI需求将导致今年和明年内存供应紧张，进入半导体“超级周期”。三星计划在HBM4E和HBM5技术上继续保持领先地位，提前布局未来技术。春节后第三周，三星将开始向英伟达量产出货HBM4，争取市场主导权。

据三星电子31日消息，三星即将通过与英伟达的战略合作，构建引领半导体制造新模式的“半导体AI工厂”。 作为横跨内存、系统半导体、晶圆代工的综合半导体企业，三星电子拥有业界最大规模的半导体制造基础设施。此次通过整合自身综合半导体能力与英伟达基于GPU的AI技术，双方联手打造业界顶尖水平的“半导体AI工厂”，引领全球制造产业的模式转变。 为实现这一目标，三星电子计划在未来数年内引进5万块以上英伟达GPU，扩充AI工厂基础设施，并加速基于英伟达Omniverse平台构建数字孪生制造环境。 三星推进的AI工厂是一个智能制造创新平台，能够实时收集半导体制造过程中产生的所有数据，并进行自主学习和判断。该系统把AI应用于设计、工艺、运营、设备、质量管理等半导体设计与生产的全流程，实现自主分析、预测和控制的“会思考”的智能工厂。 在构建AI工厂的同时，三星还向英伟达供应HBM3E、HBM4、GDDR7等下一代存储器及晶圆代工服务。其中，HBM4采用1c DRAM和4纳米逻辑工艺，实现超过11Gbps的性能，远超JEDEC标准的8Gbps，显著提升AI模型训练和推理速度。 目前三星已向全球客户供应HBM3E，并完成HBM4样品交付，正在准备量产出货。为应对快速增长的需求，三星计划先行进行设备投资。 三星已在部分工艺中应用英伟达平台。通过引入cuLitho和CUDA-X等AI计算技术，工艺模拟速度提升20倍，AI可实时预测和修正微细工艺中的电路失真，同时提高设计精度和开发速度。 此外，三星还构建设备实时分析、异常检测和自动修正的综合控制体系，并通过数字孪生技术在虚拟空间实现设备异常检测、故障预测和生产优化。未来以上技术将扩展至美国泰勒等海外生产基地。 三星的AI工厂建设将引领半导体生态系统质量增长，成为制造业AI转型的催化剂。三星计划与韩国芯片设计、设备、材料企业全方位合作，将AI工厂发展为推动中小企业AI能力提升的平台，并与合作伙伴共同开发下一代半导体设计工具，引领AI制造标准。 三星还将深化AI模型和人形机器人技术合作。三星AI模型基于英伟达GPU和Megatron框架构建，在实时翻译、多语言对话等方面表现出色。在机器人领域，三星利用英伟达RTX PRO 6000 Blackwell平台和Jetson Thor平台推进智能机器人商用化。 同时，双方还签署下一代智能基站（AI-RAN）技术合作备忘录，该技术将支持AI机器人等物理AI应用的实现。从最初为英伟达显卡供应DRAM到扩展至晶圆代工，三星与英伟达的合作持续深化。此次项目是双方25年技术合作的结晶，标志着半导体AI制造新时代的到来。