当地时间1月8日，据彭博社报道，拜登政府计划推出针对人工智能（AI）开发所需半导体的新出口管制政策。新规将依据国家（地区）关系分级，允许盟友国家（地区）无限制购买，同时严格限制其他国家（地区）的购买数量，意图在全球范围内进一步巩固美国的技术优势。 根据消息人士透露，这项新规将通过分级制度实施出口限制。包括韩国、日本、中国台湾、英国、德国、法国和加拿大等，美国计划对这些盟友国家（地区）维持现有政策，不设置购买限制。而中国、俄罗斯、朝鲜、伊朗、委内瑞拉等被列入第二等级，这些国家（地区）将被全面禁止进口美国半导体。世界大部分国家被归类为第三等级，其进口的AI芯片总算力将受到上限限制，但如果符合美国提出的安全与人权要求，可突破设定额度。 拜登政府计划通过“授权验证最终用户”（VEU）规则推进这一政策。VEU是一种对特定企业预先批准的出口许可机制。此前在2023年，美国通过这一规则限制对中国出口半导体设备的同时，给予三星电子和SK海力士等部分企业例外待遇。新规预计将强化这一机制，仅允许经认证的企业获得AI芯片出口许可。根据规划，这项出口管制最快可能于1月10日正式宣布。 彭博社指出，在AI芯片需求持续高涨的背景下，该政策将显著扩大出口管制的适用范围，影响全球大部分国家（地区）。这一举措旨在形成一个可信赖的国家（地区）与企业联盟，在美国主导的安全环境中发展AI技术，同时确保全球企业遵守美国的技术和人权标准。 然而，美国半导体企业及国际业界对这一新规表达了强烈不满。英伟达表示对“对大多数国家（地区）实施出口限制”的政策方向持严重异议，称其将损害全球经济增长，并威胁美国在AI领域的领导地位。三星电子与SK海力士也通过其所属的美国半导体行业协会（SIA）发表声明，批评拜登政府未充分听取业界意见，称新规复杂性前所未有，或削弱美国半导体产业的全球竞争力。 分析人士认为，美国此举旨在以出口管制强化其技术领导地位，集中技术发展于友好国家（地区），并建立更紧密的技术联盟。但与此同时，过度干预可能导致美国企业在国际市场的份额受损，并引发其他国家（地区）的不满，削弱其技术标准的全球影响力。 英伟达首席执行官黄仁勋于2025年1月6日在内华达州拉斯维加斯举办的消费电子展（CES）的主题演讲中，讲述了面向研究人员和学生的个人AI超级计算机Project DIGITS。【图片来源 AFP/韩联社】

SK海力士韩国工厂 【图片提供 海力士】 全球内存芯片市场正在经历漫长“寒冬”，已连续两个季度创下历史最糟糕业绩的SK海力士面临中美霸权之争等地缘政治风险。美国对华出口管制层层加码，在中国无锡和大连分别建有DRAM和NAND闪存生产基地的SK海力士频频传出“撤资”、“推迟竣工”等消息，令业内人心惶惶。 本月5日，集邦咨询发布的研究报告称，SK海力士准备将位于中国的生产线从第二代10纳米级（1y）升级至第三代（1z），但在美国对中国获取先进芯片设备和技术实施新一轮限制后，SK海力士或将保守选择扩大传统21纳米级产能，专注于生产用于电脑及服务器的DDR3和DDR4规格DRAM芯片，但SK对此进行了否认。 目前SK海力士在服务器领域最尖端的DDR5内存芯片上拥有绝对优势，SK海力士预计今年DDR5大容量模块将同比实现六倍增长，HBM也将实现50%的增长。 业界称，DDR3目前在全球DRAM内存市场中所占份额不足10%，在多家供货商减产的情况下，SK海力士增加无锡工厂21纳米级产能可能性较小。DDR3主要用于机顶盒、路由器等无需高性能芯片的产品中。 SK海力士目前在无锡建有10纳米至20纳米级DRAM生产线，在大连建有96层及144层NAND闪存生产线。无锡工厂生产的DRAM占SK海力士总产量的48%，是位于海外的最大制作基地。 另据《南华早报》日前报道，在美国对华设备出口限制加码下，SK海力士考虑出售从英特尔大连工厂收购的NAND闪存生产线。SK海力士对此进行辟谣，称大连第二工厂建设将按计划完成。业业内认为，SK海力士之所以进行明确否认，或是已经获得美方延长豁免期的批准。 2020年，SK海力士斥资90亿美元收购英特尔NAND闪存业务。去年5月，大连第二工厂举行开工仪式，计划今年3、4月左右竣工开始量产3D NAND闪存，但在美国对华出口限制下，将无法按原计划竣工。业内人士指出，新工厂需要引进大批进口设备，尽管目前美国政府给韩企在华设备进口暂时开了“绿灯”，但长期受限制的趋势已不可避免，风险加大的情况下，SK海力士很难再继续进行大规模投资。 美国对三星电子及SK海力士的一年豁免期将于今年10月结束，但最近传出美国政府或对在华韩企另行采取运入设备标准的消息，原定一年的豁免期预计将延长“相当长的一段时间”，在华业务不确定性有所降低，预计韩国半导体大厂将暂时获得喘息。 SK海力士位于无锡的DRAM第二工厂效果图。【图片提供 SK海力士】

三星电子日前已向中国客户通报，未来将不再供应7纳米及以下制程的半导体产品。市场研究机构集邦咨询（TrendForce）于12日披露了这一消息。此举被视为美国在特朗普政府第二任期即将开启之际，进一步推动供应链重组战略的具体措施。 据《金融时报》（Financial Times）和《电子时报》（DigiTimes）等外媒报道，不仅三星电子，中国台湾半导体巨头台积电（TSMC）也已向中国客户发出类似通知。 路透社报道称，美国商务部于本月10日向台积电发出公文，要求限制向中国出口用于人工智能（AI）加速器或图形处理单元（GPU）的7纳米及以下先进制程的半导体芯片。 业内人士分析指出，随着制裁升级，中国对本土代工企业中芯国际（SMIC）的依赖度或将加大。此前，中芯国际通过深紫外光刻（DUV）设备成功量产了7纳米制程的移动处理器。但由于采用老旧设备制造先进芯片，生产成本较高，且效率相对较低。 数据显示，2023年第三季度，中芯国际实现营收21.71亿美元，同比增长34%，这是公司历史上首次季度营收突破20亿美元。 专家预计，随着美国对中国的半导体制裁措施进一步收紧，中国在全球电子产业链中的竞争力或将面临更大挑战。根据集邦咨询的数据，自2019年美国对中国启动半导体制裁以来，截至2023年底，已有约2.2万家中国企业因受制裁影响而倒闭。 【图片来源 网络】

2024年全球DRAM产业营收排行【图片提供 集邦咨询】 今年第二季度，全球动态随机存取内存（DRAM）产业营收大幅增加。随着需求旺盛，出货量激增，预计第三季度三星电子、SK海力士等内存芯片企业增长势头持续强劲。 近日，市场研究机构集邦咨询（Trend Force）的数据显示，第二季度全球DRAM销售额达229.01亿美元，较上季度（183.47亿美元）增加24.8%。 集邦咨询表示，观察三星电子、SK海力士和美光科技第二季度出货表现，均较上季度有所增加，平均销售单价方面，三大厂延续第一季合约价上涨情势，加上台湾地区四月初地震影响，以及HBM（高带宽内存）供不应求、推动DRAM买方转为积极采购，第二季合约价最终调涨13%至18%。 具体来看，三星电子销售额位居首位，SK海力士紧随其后，位居第二位。三星电子第二季度销售额较第一季度增加22%，达98.2亿美元，但市场占有率从今年第一季度的43.9%减少至42.9%，减少1个百分点。同期，SK海力士销售额增加38.7%，达79.11亿美元，市场占有率从今年第一季度的31.1%增加至34.5%，增加3.4个百分点，两大企业差距进一步缩小。 从营业利润率来看，SK海力士领先三星电子。以第二季度为基准，三星电子DRAM营业利润为37%，而SK海力士则达到了45%。同期，业界排名第三的美光科技销售额达到45亿美元，较上季度增加14.1%，但市场占有率从21.5%减少至19.6%，减少1.9个百分点。 集邦咨询分析称，今年第三季因国际形势等因素，预估Conventional DRAM（一般型内存）合约价涨幅将高于先前预期。因此，将增长预期提高5个百分点，上调至8%至13%。美国大选临近，中美关系不确定性大增，中国企业担心美国持续加码芯片制裁，急于采取确保芯片供应的战略举措，中国大陆客户加大DRAM产品订单规模，若订单量保持目前趋势，预计第三季度也将超过预期值。