消息人士透露,目前主要运用于人工智能(AI)用图形处理器(GPU)的第4代产品HBM3,以及第5代产品HBM3E存在发热及电力消耗等问题。
为向英伟达供货,三星电子从去年起接受英伟达对HBM3和HBM3E的测试。今年3月,英伟达CEO黄仁勋出席GTC 2024大会时,到访三星电子展台,在HBM3E 12层芯片上亲笔签下“JENSEN APPROVED”,引发外界对于三星电子HBM芯片通过测试的期待,但结果令人意外。
被指出的问题是否能够被轻易修改尚不可知,但消息人士称投资者们担心,三星电子在HBM领域可能会进一步落后于竞争对手SK海力士和美光科技。
三星电子目前虽然在DRAM芯片市场中全球领先,但HBM市场主导权从10年前开始便被SK海力士牢牢握在手中。SK海力士向英伟达独家供应HBM3,今年3月全球首次实现HBM3E 8层量产,并开始交付英伟达。
就路透社的相关报道,三星电子当天发布立场称,正与全球多家合作伙伴顺利推进有关供应HBM芯片产品产品和性能的测试。三星电子努力持续改善全体产品质量,提高客户信任度,计划通过这些产品为顾客提供最佳解决方案。
业界相关人士称,从HBM特性上来看,为客户提供定制化产品十分重要,因此需分阶段满足客户需求的过程。质量测试仅是过程中出现的问题,并不能就此断言(质量测试)失败。
受路透社报道的影响,三星电子股价当天开盘震荡,下跌超过2%,最终以7.59韩元的价格收盘,较前一交易日下跌3.07%,波及SK海力士股价较前一交易日下跌0.7%。