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有分析称,明年半导体企业的高带宽存储器(HBM)生产力(Capacity)将提高2倍以上。三星电子、SK海力士、美光有望扩大工厂产能。
据中国台湾《工商时报》12日报道,SK海力士、三星、美光三巨头的大力推动下,预计2025年HBM新增产量将达到27.6万个单位,使得年度总产量增至54万个单位,也就是说年增长率将达到105%,实现产能翻倍。
近日,三星电子表示,计划在年内将HBM生产力提高至前年的2.9倍,并在明年将HBM的供应量扩大至今年的两倍以上。美光将与日本政府合作,在广岛建设HBM工厂,同时与马来西亚政府进行交涉,计划在当地建设首家HBM生产工厂。随着HBM成为行业热点,各大企业积极调整生产策略,加大投入,提升DRAM及HBM的产量,力求在AI市场的浪潮中占据更有利的位置。
市场调研机构集邦咨询(TrendForce)在最新报告中预测,DRAM市场的HBM销售比重将从去年的8.4%增加至今年的20.1%,今年HBM市场规模将比去年(6万亿韩元,约合人民币317亿元)增加4倍,达到24万亿韩元。全球HBM市场占有率依次为SK海力士53%、三星电子38%、美光9%。
韩国投资证券研究员蔡敏淑(音)分析称,近期,HBM供不应求,订单动能转热。考虑到AI芯片角逐刚刚开始,HBM需求将进一步增长。业界相关人士表示:“全球半导体企业加强尖端芯片生产,以应对日益增长且多样化的存储需求。”