美国特朗普政府正在着手重新审查对半导体企业发放的补贴，但全球半导体企业依旧纷纷宣布扩大在美投资计划，导致三星电子和SK海力士等韩国半导体企业面临更大压力。如果在缺乏补贴的情况下也需要增加投资，韩国企业则必须全面调整全球生产战略，引发业内担忧。 美国半导体企业美光科技（Micron）当地时间12日宣布，计划扩大美国本土投资至2000亿美元，较去年拜登政府时期公布的1250亿美元计划增加60%。这一声明发表正值特朗普多次公开表示，不依赖政府补贴，仅通过关税施压即可促使全球半导体企业加大在美投资。 今年3月初，中国台湾晶圆代工企业台积电（TSMC）宣布计划追加1000亿美元的在美投资后，全球半导体企业之间逐渐出现一波“亲特朗普”趋势。 美国商务部在美光发布扩张计划后随即宣布提供最高2.75亿美元的补贴，但市场普遍认为这笔资金是对去年12月与拜登政府达成初步协议的最终确认，因此不能看作新增补贴。 有分析指出，特朗普政府可能会以此次美光的投资声明为契机，正式启动对《芯片法案》补贴条款的重新协商。主管《芯片法案》补贴的美国商务部部长霍华德·卢特尼克（Howard Lutnick）本月4日在国会听证会上表示：“部分芯片补贴似乎过于慷慨”，并透露正在与部分企业重新协商补贴条款。 如果特朗普政府在不增加补贴的情况下持续施压企业加大投资，三星电子和SK海力士的负担则会大幅加重，甚至可能需要调整全球生产战略。 三星电子在拜登政府期间宣布，计划投资超过370亿美元，截至2026年在得克萨斯州泰勒市新建半导体代工厂，并在去年12月与美国商务部正式签署协议，获得47.45亿美元补贴。SK海力士则计划截至2028年在印第安纳州西拉斐特建造一座人工智能（AI）存储半导体封装工厂，并在上月与美方签订协议，获得最多4.58亿美元直接补贴和5亿美元贷款。 美国总统唐纳德·特朗普【图片来源 韩联社】

三星电子去年对于半导体良率不佳采取的更换部门总管这一“强硬手段”初见成效，在最近的下一代DRAM良率测试中取得令人满意的成果。DRAM的性能直接关系到高带宽存储器（HBM）的市场竞争能力，因此外界对于三星半导体实现超越并恢复领先的期待也随之升温。 据电子行业30日消息，三星电子本月在10纳米级第六代DRAM晶圆的性能实验中实现50%以上良率。也就是说，从一片晶圆中生产出的1000多颗DRAM芯片中，一半以上达到性能标准。业内普遍认为，40%左右的良率即可满足量产要求，而三星此次的成果远超这一标准。考虑到去年相同产品的良率未达30%，此次提升可谓显著。 三星实现突破的关键在于芯片设计。为了提高芯片运行效率，研发团队试图采用多种新型结构。实际上，设计变更并非易事，不仅需要承认过去设计的不足，还可能在此过程中与竞争对手拉开技术差距，同时需要投入大量资金。三星原计划去年底量产10纳米级第六代DRAM，但如果改变设计，计划可能延后一年以上，因此风险极高。 去年5月回归设备解决方案（DS）部门的副会长全永铉判断，唯有修改设计才能恢复核心竞争能力。一年之后，当初的决定正在逐步显现成效。三星电子目前以年内量产为目标，继续推进第六代DRAM的后续测试。业内人士表示，为确认是否已经具备可以立即销售的稳定性能，还需要通过更加严格的测试。 随着下一代DRAM开发进展顺利，市场对HBM的期待也在升温。HBM芯片由多层DRAM堆叠而成。三星此前在第五代HBM（HBM3E）上遭SK海力士超越，因此正在计划以全球首款10纳米级第六代DRAM为基础，在年内实现第六代HBM（HBM4）量产，力争逆转颓势。要想按照计划推出产品，10纳米级第六代DRAM的技术水平至关重要。 为了配合下一代DRAM与HBM4的生产，三星还计划下半年起以平泽四厂为主扩充最先进的半导体生产设备。此外，三星还正在推进华城工厂DRAM 17产线工艺转换，旨在通过大幅设备投资来提升成本竞争能力。 为弥补在第六代产品上败给竞争对手的失误，三星还在同步推进10纳米级第七代DRAM的开发。据悉，三星已在平泽二厂建立第七代DRAM试验产线，并在研发阶段成功制出运作样品（working sample）。三星的策略是通过调整DRAM元件长度降低开发难度并加快量产进度。 SK海力士已经领先完成10纳米级第六代DRAM的开发，但如果三星能在第七代DRAM开发中实现反超，则有望摆脱“半导体危机论”，以此重新夺回DRAM市场份额第一的宝座。业内人士透露，三星的目标是最早在明年下半年开始第七代DRAM的量产。 三星电子平泽工厂全景【图片来源 三星电子】

因美国政府限制英伟达H20芯片对华出口，作为其高带宽存储器（HBM）主要供应商的韩国半导体企业三星电子和SK海力士面临外溢影响。 英伟达当地时间15日表示，公司已于本月9日收到美方通知，今后H20芯片出口至中国需获得美国政府批准。公司还透露，14日又接到进一步通知称相关限制将无限期适用。 H20芯片是英伟达在美国对华出口限制升级后，专为中国市场开发的一款高性能图形处理单元（GPU），是目前美企在法律允许范围内对华提供的最高等级人工智能（AI）芯片之一。 该款芯片最初搭载第四代高带宽存储器（HBM3），近期完成性能升级后，据悉已应用由SK海力士等部分厂商提供的第五代产品——HBM3E八层封装。 三星电子去年曾向H20芯片供应HBM3产品，但因存在质量问题，目前已暂停供货，正通过提升产品品质以期重新进入供应链体系。 据IT专业媒体《The Information》报道，阿里巴巴、腾讯、字节跳动等中国大型科技企业在今年第一季度已下达总额超过160亿美元的H20芯片订单。 业内普遍预测，英伟达目前正在研发的下一代对华AI芯片“B20”也将难以逃脱类似出口管制命运。据称B20将搭载SK海力士提供的HBM3E产品，若三星电子顺利通过相关质量测试，亦有望成为供货方。 有业内人士指出，尽管中国AI芯片市场对HBM需求日益增长，曾令韩国半导体企业前景被广泛看好，但此次出口限制措施将基本堵死对华出货渠道。 不过，市场也有分析认为，该限制短期内对韩国企业影响有限。SK海力士在英伟达HBM供应链中占据事实上的主导地位，其主力产品HBM3E十二层封装主要面向除中国以外的市场。目前英伟达及其他客户对HBM的需求已超出SK海力士的供应能力，因此此次出口限制对其经营影响有限。 韩国投资证券研究员蔡敏淑（音）表示：“三星电子尚未就H20项目销售任何HBM产品，而SK海力士在3月已完成相关出货，不会产生类似英伟达库存损失的成本。”她指出，“H20原本为新增项目，其受限并不会改变企业全年HBM销售计划和业绩预估。” 实际上，自2024年1月1日起，美国对华出口管制已禁止2至6代所有HBM产品直接出口至中国。 【图片来源 路透社/韩联社】

11日，美国总统特朗在飞往佛罗里达州的总统专机上与记者交谈。【图片来源 韩联社AP】 特朗普政府近日宣布将推迟公布导体关税政策至下周。尽管目前仍将半导体设备列入关税豁免清单，但业界普遍预测，部分关键品目或将面临高达25%以上的关税上调。 据15日消息，为最大限度降低潜在关税冲击，全球半导体巨头正积极采取应对措施。据悉，三星电子正加速推进位于德克萨斯州泰勒市在建工厂的设备运输工作。该工厂目前已完成99.6%的建设工程，目前进入竣工验收阶段。同时，中国台湾台积电（TSMC）已率先采取行动，要求在本月内完成亚利桑那州工厂关键设备的清关运输。 特朗普总统近日在记者会上表示：“我们将在短期内实施新的半导体关税政策，旨在重振美国本土半导体制造业。”白宫此前表示，半导体行业涉及国家安全，因此在该领域的贸易政策将坚持强硬立场，部分品目可能面临至少25%的关税。 尽管美国政府此前将智能手机和半导体设备列入关税豁免清单，但近期政策风向的变化引发行业担忧。若新关税落地，在美建厂的半导体企业将面临显著成本上升，尤其是依赖进口高端设备的晶圆厂。 三星泰勒工厂计划生产4纳米及以下的先进制程芯片，所需的核心设备来自荷兰阿斯麦（ASML）和日本东京电子（刻蚀、沉积设备）等国际供应商。由于这些设备均在海外生产，难以规避美国关税政策的影响。特别是，阿斯麦的极紫外光刻机（EUV）每台售价高达5000亿韩元（约合人民币25.6亿元），若适用25%关税，单台设备的关税成本可能超过数百亿韩元。高昂的额外成本将直接影响三星、台积电等企业的在美投资回报率。 面对即将出台的关税政策，三星电子正在评估包括提前完成设备采购、调整运输时间、与美国政府协商部分豁免等多元方案。分析认为，若关税政策最终落地，可能加速半导体供应链的本地化趋势，促使更多厂商在美国建立配套设备生产线，以减少对进口的依赖。 业内相关人士表示：“特朗普政府的这一举措不仅影响三星、台积电等芯片制造巨头，还将波及关键材料及设备等供应。未来几周，随着关税细则的公布，行业可能迎来新一轮战略调整，全球半导体产业格局或将重塑。”