中国凭借三轮高达6869亿元人民币的政府补贴，以及强劲的半导体内需，正在以惊人速度追赶韩国和美国等半导体强国。与韩国专注存储芯片不同，中国正在构建涵盖整个半导体生态系统的产业链。美国对7纳米以下制程所需的极紫外光（EUV）光刻机以及人工智能（AI）加速器所需的高带宽存储器（HBM）实施出口管制后，中国加快自主研发GPU和半导体设备，以减少对外依赖。 中国第一大DRAM企业长鑫存储（CXMT）快速扩大产能，导致韩国半导体产业遭到威胁。长鑫存储已量产17-18纳米制程的DDR4、LPDDR4X等主流DRAM，并成功投产12纳米级别的DDR5、LPDDR5X（低功耗存储）。2020年长鑫存储的晶圆月产量仅为4万片，但去年已增至20万片。相比之下，韩国的总月产量约为114万片（三星电子68万片，SK海力士46万片），由此可见长鑫存储正在迅速追赶。 此外，中国企业还通过低价策略引发存储芯片价格战。目前，中国制造的DDR4价格仅为韩国产品的一半，甚至比二手产品价格还低约5%。去年7月，通用PC DRAM产品（DDR4 8Gb 1Gx8）的固定交易均价为2.1美元，今年1月已降至1.35美元，跌幅高达35.7%。长鑫存储的DDR5早期良率仅为20%，但经过持续优化，目前已提升至80%。 NAND闪存领域的技术差距也正在迅速缩小。长江存储（YMTC）本月已开始量产294层NAND闪存，而SK海力士和三星电子分别量产321层和286层产品。存储芯片的层数决定存储容量和密度，是关键竞争指标，中国企业已逼近韩国。长江存储受美国制裁无法获得荷兰ASML的EUV设备，导致产品在质量和稳定方面落后，但业内普遍认为，韩国企业仅能依靠在高端NAND市场的差异化竞争力来保持领先地位。 与韩国高度依赖出口不同，中国国内IT企业大规模采购本土芯片。华为早在2004年成立海思半导体，并成功研发自主应用处理器（AP）麒麟9000s，该芯片由中国晶圆代工厂中芯国际（SMIC）采用7纳米制程代工，最终用于华为Mate 60 Pro智能手机。华为在过去十年间已投入约1.2万亿元人民币进行半导体研发。 目前，业界对中国半导体技术水平评价不一。汉阳大学融合电子工程学系教授朴在勤表示，中国持续扩展DRAM和NAND市场份额，在主流市场凭借政府补贴的低价策略占据优势，韩国企业必须向高端市场转型，以确保竞争力。韩国产业研究院专家金杨澎（音）则认为，中国在主流市场的低价竞争扰乱半导体市场秩序，但韩国企业的整体竞争力尚未受到致命威胁。 实际上，中国针对韩国的高端芯片也已经发起挑战。目前，韩国企业在HBM市场占据主导地位，成为英伟达、超威等AI芯片巨头的主要供应商。中国则集中力量研究HBM带宽优化技术，以提升数据传输速率。汉阳大学教授白瑞仁（音）指出，韩国的研发侧重硬件制造，而中国则更加注重系统级应用，未来中国提升HBM领域的研发能力后，全球HBM市场格局可能发生变化。 面对美国的半导体设备出口管制，中国加快推进设备国产化。上海微电子已实现90-28纳米级别光刻机量产，并启动7纳米以下EUV光刻机研发。北方华创（NAURA）主攻刻蚀与沉积设备，中微半导体则研发等离子刻蚀设备。去年中国半导体设备国产化率目标为40%，多数研发资金来自国家集成电路产业投资基金。相比之下，韩国尚无光刻机制造能力。 【图片来源 GettyImagesBank】

SK海力士去年第四季度营业利润超过8万亿韩元（约合人民币406.42亿元），刷新季度及年度最高纪录。凭借在HBM3E（第五代高带宽存储器）技术上的领先优势，SK海力士宣布与台积电（TSMC）组成联合团队，并计划在今年下半年量产HBM4（第六代）。 SK海力士在23日的业绩发布中表示，今年的HBM营收预计同比增长超过100%。随着ASIC（专用集成电路）芯片的客户需求显著增加，公司客户基础也会进一步扩大。也就是说，SK海力士有意拓宽HBM客户群体，从此前以英伟达为中心的合作关系延伸至更多客户。 为了应对不断增长的人工智能（AI）需求，SK海力士正在把用于HBM的DRAM生产能力从目前的10万片提升到今年年底的17万片。AI技术趋势逐渐从训练转向推理阶段，但对HBM的需求依旧保持强劲。对于AI趋势变化是否会减缓HBM需求的质疑，SK海力士回应称，AI技术的演进会推动高性能HBM的需求增长，“物理AI”领域的拓展预计会成为HBM需求的增长动力。 SK海力士还强调计划与台积电组成联合团队，以提升HBM4的性能和功耗表现。与此前的HBM3E不同，HBM4的核心组件“基底芯片”需要交由代工生产。SK海力士计划在今年下半年量产12层堆叠HBM4产品，并在客户需要时提供16层堆叠版本。 HBM的出色表现助力SK海力士去年达成历史最佳业绩。2024年营收66.193万亿韩元，营业利润达23.4673万亿韩元，同时创下新高。其中，HBM全年营收同比增长4.5倍以上，第四季度HBM营收占DRAM整体营收的40%以上。去年9月，全球首款12层堆叠HBM3E量产产品顺利投产，预计今年上半年HBM3E出货量的一半以上由12层堆叠产品贡献。 SK海力士首席财务官（CFO）金祐贤表示：“通过大幅提高高附加值产品的销售占比，公司在市场调整期间也实现稳定的收入和利润。我们会继续坚持以确保收益为核心的投资原则，并根据市场变化灵活调整策略。” 【图片来源 韩联社】

美国总统拜登在即将卸任之际，出台人工智能（AI）开发所需芯片管制新规，引发全球半导体产业高度关注。 当地时间13日，美国商务部宣布，将向包括韩国在内的20个关键盟友与合作伙伴不设限销售开发AI所需芯片，除此之外的大多数国家将面临总算力限制。继续维持对中国、俄罗斯和朝鲜等国的出口禁令。 韩国基本不受新规限制，三星电子和SK海力士虽然在华设厂，但由于总部实体位于韩国国内可获高度信任的“通用验证最终用户”（UVEU）身份。 有意见认为，本次出台的新规若令全球半导体产业萎缩，在产业链中占据较大比重的韩国半导体产业也无法“全身而退”。尤其是从韩国立场来看，美方升级对华制裁力度，从长期来看可能会受到影响。 美国政府发布新规后，中国商务部新闻发言人立即回应称，拜登政府对第三方与中国开展正常贸易设置障碍、横加干涉。严重阻碍各国正常经贸往来，严重破坏市场规则和国际经贸秩序，严重影响全球科技创新，严重损害包括美国企业在内的全球各国企业利益。中方将采取必要措施，坚决维护自身正当权益。 韩国芯片业界人士表示，从中长期来看，中国是仅次于美国的第二大AI加速器采购市场，这或令零部件供应头部韩企失去潜在的中国客户。 产业研究院分析称，短期来看，韩国企业对被列入禁售名单国家的直接出口规模有限，但若对华制裁层层加码，收益性必将大幅被削弱，将成为限制韩国企业发展的因素。 美国国内也对本次出台的新政存在反对之声，美国半导体行业协会（SIA）总裁JohnNeuffer表示，政策出台过于仓促，未听取行业意见，可能会将战略市场拱手让与竞争对手，从而打击美国经济及半导体和AI的竞争力。 英伟达和甲骨文两大科技巨头同样表示了反对，英伟达在声明中称，这一规定“全面越权”，将对主流游戏PC和消费硬件中已有的技术进行钳制。甲骨文则表示，这项新规可能成为美国科技行业历史上最具破坏性的政策之一，直接将美国企业在全球芯片市场所占比重缩小80%。 本月9日（当地时间），在美国拉斯维加斯举行的CES展会上，一位参展者正在体验SK推出的AI相机技术。【图片提供 韩联社】

随着唐纳德·特朗普美国大选获胜后即将开启第二任期，美国针对中国的半导体制裁正在加速推进，力度较预期更为强硬。美国近期要求中国台湾晶圆代工龙头企业台积电（TSMC）停止向中国本土供应先进半导体，并向全球半导体设备公司发函，要求限制对华设备出口。 美国政界在特朗普胜选后对华制裁的呼声进一步高涨，各大企业也迅速顺应特朗普政府的政策立场，参与对华制裁。对于这种形势下中国工厂引进先进设备受限，以及可能造成的通用存储器收入下降等问题，三星电子和SK海力士等韩国企业也不得不制定应对策略来适应对华制裁政策。 据相关业界12日消息，美国国会两党议员近日向ASML、应用材料、东京电子等全球半导体设备制造商发送函件，要求提供中国业务相关信息，包括主要客户、设备销售等关键数据。议员们在函中表示，中国本土采购的半导体设备数量超过美国、韩国和台湾的总和，这一情况导致美国对华制裁效果减弱，对邻国构成潜在威胁。 美国此举不仅为收集本国企业相关信息，还把施压范围扩大至盟国的设备供应商。此前，美国商务部也向台积电发出通知，要求限制对中国本土出售用于人工智能（AI）加速器和图形处理器（GPU）制造的7纳米以下半导体。台积电也迅速响应，决定暂停向中国本土企业供应AI芯片，加入制裁行列。 业内分析认为，特朗普就任后会迅速推进经济政策，美国政界和相关部门正在为特朗普就职后的对华制裁政策奠定基础。美国彼得森国际经济研究所高级研究员吕翰九表示，特朗普可能在上任100天内全力推进选举时提出的政策想法。此前半导体设备制造商的对华销售收入大幅增加，导致制裁效果受限，因此特朗普在第二任期会严格限制先进半导体及相关设备流入中国。 对于三星电子和SK海力士等在中国市场拥有较大份额的企业而言，也难免收到来自美国政界的制裁参与要求。三星电子在中国西安工厂生产的NAND闪存占据全球产量的40%，而SK海力士在中国无锡和大连工厂生产的DRAM和NAND分别在全球产量中占比40%和20%。市场研究机构集邦咨询（TrendForce）最新消息显示，三星电子日前也已向中国客户通报不再供应7纳米以下制程的半导体产品。 在2019年6月举行的二十国集团（G20）领导人峰会期间，特朗普和习近平正在进行双边会晤。 【图片来源 韩联社】