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中国长鑫存储冲击HBM市场 三星与SK海力士进入关键时刻

崔锦宁 记者 2025-02-12 11:17

继DRAM之后,中国存储芯片企业长鑫存储(CXMT)有望进军技术门槛更高的高带宽存储器(HBM)市场,这一动向让韩国存储芯片双雄三星电子与 SK海力士倍感压力。

尽管美国对华制裁仍在持续,但长鑫存储仍在快速提升技术实力。业内担忧,如果长鑫存储不仅继续扩大传统DRAM生产,还加速量产先进HBM产品,未来数年内,韩国存储半导体产业或将受到严重冲击。

据相关业界12日消息,长鑫存储正在为第二代HBM产品——HBM2进行设备投资。早在2016年,三星电子和SK海力士就已开始量产HBM2,尽管长鑫存储在时间上落后近10年,但由于HBM2规格已趋于标准化,业内专家认为中国厂商在该领域的研发进程可能会大幅加快。


半导体行业相关人士表示:“从技术研发速度来看,中国企业正迅速追赶韩国企业,这已经是不争的事实。与DRAM和NAND闪存相似,较旧的HBM由于设计已标准化,开发周期大幅缩短。但关键仍在于能否在1至2年内掌握稳定的量产技术。”

值得关注的是,长鑫存储在2020年后技术进步明显加快。根据中国市场研究机构前瞻产业研究院的数据,2020年中国国产DRAM在全球市场的占有率仍为0%,但截至2024年已上升至 5%。过去,韩国半导体业内普遍认为中国企业要实现DRAM量产至少需要10年以上,但现实发展速度已远超预期。

长鑫存储近期不仅在DDR4 DRAM领域站稳脚跟,还在DDR5研发上取得突破,引发市场对其未来大规模量产的担忧。市场调查机构TechInsights指出,长鑫存储生产的DDR5 DRAM关键制程线宽已接近三星电子和SK海力士,表明中韩两国企业在技术层面的差距正迅速缩小。

面对中国企业的快速崛起,三星电子和SK海力士正处于重要的战略决策节点。两家公司在DDR4 DRAM市场已受到中国企业低价竞争的冲击,而对未来 5 年的市场走势同样感到不安。

韩国KAIST(韩国科学技术院)电气电子工程系特聘教授柳会峻表示:“中国企业已经具备在三星、SK海力士推出新产品1年左右就能开发出样品的能力,但在大规模量产方面仍可能面临技术障碍。”

柳会峻指出,在标准化存储芯片市场,中国企业凭借成本和产能优势,韩国企业很难与之展开价格战,因此必须转变业务模式,拓展产品组合,以保持竞争力。他建议三星和SK海力士应聚焦于内存内处理(PIM)、计算快速链接(CXL)等定制化存储技术,以此寻找突破口。

他进一步解释道:“PIM本质上是‘定制化DRAM’,需要与客户建立紧密的合作伙伴关系,同时与工艺技术深度结合,而这正是韩国企业的优势所在。目前全球半导体市场正掀起人工智能(AI)热潮,韩国存储厂商可以通过PIM等定制化存储产品,在AI终端设备市场开拓新的增长机会。”

 

【图片来源 长鑫存储】
【图片来源 长鑫存储】

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