一项调查显示，中国台湾半导体代工巨头台积电（TSMC）的2纳米工艺芯片已达到批量生产的成熟阶段，这一突破性进展预示着整个半导体产业链即将迎来深刻变革‌。

据业界26日消息，台积电在2纳米工艺芯片的生产上取得了显著成就，良率达60%。不仅彰显了台积电在高端芯片制造领域的卓越实力，更为其从今年年末启动批量生产奠定了坚实基础。良率作为衡量芯片生产质量的关键指标，直接影响芯片的成本控制与供应稳定性。反之，三星电子仍处于克服良率不佳问题，虽然整体工程速度较台积电缓慢，但趋于向好态势。

台积电相关负责人表示，公司当前良率已超出市场预期，2纳米工艺芯片的合计产能预计将达到月产量5万片，若能顺利过渡到第二阶段，台积电有望在2025年末提前实现月产量8万片的目标，这一时间点较原先预计的2026年大幅提前。而公司的长远目标是实现月产量超过10万片，以持续为客户提供最先进的芯片制造服务。

从技术层面来看，2纳米工艺相较于3纳米工艺实现了显著提升。在相同功耗下，2纳米工艺芯片的速度可提高10至15%；而在相同速度下，其功耗则可降低25至30%。这一技术上的飞跃使得台积电在高端芯片制造领域保持独占鳌头的地位。

同时，三星电子也计划于今年年末批量生产2纳米工艺芯片，但其生产良率目前仅为20至30%，远低于台积电。尽管如此，三星电子在2纳米工艺初期的良率相较于3纳米初期已有了显著改善，且正全力以赴以提高良率。三星电子半导体（DS）部门代工事业部长韩振万（音）强调：“为了大幅提升工艺良品率并优化耗电量、性能、面积（PPA），必须仔细探寻所有可能的优化条件。”这一努力已初见成效，近期三星电子4纳米工艺良率已从去年的70%大幅提升至80%。

业界正密切关注三星电子能否在2纳米工艺上采用全新的GAA（Gate-All-Around）晶体管架构。这一技术不同于传统的FinFET架构，这种技术能够在性能和功耗上实现显著提升。尽管此前三星电子在3纳米工艺上尝试使用GAA技术，但由于结构复杂性较大，投入巨额资金后良率仍不尽如人意。而台积电首次将GAA应用于2纳米工艺，并取得了超出预期的良率表现。若三星电子在今年内未能有效改善其2纳米工艺的良品率，预计将在客户争夺中处于不利地位。
 

• #工艺
• #半导体
• #三星