三星电子19日公布的季度报告显示，今年第一季度的研发投入高达9.0348万亿韩元（约合人民币467.79亿元），资本支出为11.9983万亿韩元，分别同比增长15.5%和6.1%。其中，研发支出创下历年第一季度的最高纪录。
值得关注的是，DS部门的资本支出创下历史新高，占总投资的91.2%，达到10.948万亿韩元。这是三星电子首次第一季度在半导体设施上投资超过10万亿韩元，也是该部门投资占比首次超过90%。
回顾过去十年，2015至2019年间第一季度的半导体投资额大多维持在2万亿至6万亿韩元之间，2020年代进入6万亿至9万亿韩元区间，2018年繁荣时期也仅投资7.2181万亿韩元，占比83.5%，可见今年投资力度之大。
三星电子表示，今年第一季度的资本支出主要用于DS部门和显示（SDC）部门的先进工艺扩产与基础设施投资，同时继续推进强化下一代内存技术竞争力并应对中长期需求的准备。系统半导体方面也正在致力确保先进工艺的生产能力。
半导体设计专家出身的全永铉成立高带宽存储器（HBM）开发团队，弥补设计能力短板；并在去年11月密集召开五次DS部门全体高管参与的讨论会，重启三星企业文化中的C.O.R.E(沟通（Communicate）、开放讨论（Openly Discuss）、揭露问题（Reveal）和执行（Execute）)文化。
实际上，三星面临的挑战依旧严峻。今年第一季度DS部门实现1.1万亿韩元营业利润，成功守住阵地，但主要在于服务器用DRAM和NAND需求的回暖，背后是美国关税政策担忧带来的提前备货效应。去年第二季度全永铉也指出，业绩改善主要受市况影响而非根本性竞争力的恢复。
尤其是在HBM领域，三星尚未成功打入英伟达供应链。市场调研机构Counterpoint Research的今年第一季度数据显示，SK海力士在HBM市场表现强劲，不仅抢占先机，还一举夺得全球DRAM市场第一的宝座。三星与台积电（TSMC）的半导体营收差距也已超过10万亿韩元。
三星方面对此回应称“今年不一样”，宣誓夺回半导体主导权。据悉，三星晶圆代工业务计划上半年实现3纳米工艺量产，下半年推进2纳米工艺投产，在加快节奏的同时确保良率，提高整体制程完成度。尤其是在HBM4方面，三星计划赶在明年市场全面启动之前实现量产。
全永铉在3月举行的股东大会上表示：“最快第二季度，最迟下半年，第五代HBM3E的12层堆叠产品会在市场上发挥主导作用。”他还补充称：“对于HBM4和定制型HBM等新兴市场，我们会吸取去年的教训，确保按照计划推进开发与量产，不再出现差池。”
3月19日，在京畿道水原市水原会议中心举行的三星电子第56届定期股东大会上，副会长全永铉正在向股东说明设备解决方案（DS）部门今年的事业计划。【图片来源 三星电子】
