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SK海力士成功开发321层NAND闪存UFS 4.1

陈姗娜 记者 2025-05-22 16:08
据SK海力士22日消息,公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb三阶储存单元(TLC)4D NAND闪存的移动终端解决方案产品UFS 4.1。

SK海力士方面表示,为了在移动设备上实现端侧人工智能(AI)的稳定运行,所搭载的NAND闪存解决方案产品必须兼具高性能与低功耗特性。通过这款对AI工作负载优化的UFS 4.1产品,公司计划进一步巩固在旗舰智能手机市场中的内存技术领导地位。

随着端侧AI的需求持续增长,终端设备的计算性能与电池效率之间的平衡日趋关键,超薄设计和低功耗性已成为移动设备的行业标准。

为顺应这一趋势,SK海力士此次开发的新品较上一代238层NAND闪存产品能效提升7%。与此同时,产品厚度从1mm成功减至0.85mm,能够适配超薄智能手机。

此外,该产品支持第四代UFS产品的顺序读取峰值,数据传输速率高达4300MB/s。决定移动设备多任务处理能力的随机读取和写入速度,相较上一代产品分别提升15%与40%,达到现有UFS 4.1产品中的全球领先水平。

这一方式能够实时提供端侧AI所需的数据,显著提升应用程序的运行效率与响应速度,从而有效增强用户的实际性能体验。UFS 4.1产品提供512GB和1TB两种容量规格,公司计划年内向客户交付样品进行验证流程,并在明年第一季度正式进入量产阶段。

SK海力士开发总管(CDO)安炫社长表示,以此次产品开发为契机,公司计划年内完成全球最高321层4D NAND闪存的消费级和数据中心级固态硬盘(SSD)产品开发工作。通过这一举措,公司计划在NAND闪存领域构建具备AI技术竞争力的产品组合,进一步巩固“AI存储器供应商”地位。
 
【图片来源 SK海力士】
移动终端解决方案产品UFS 4.1【图片来源 SK海力士】

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