코인정보

三星电子宣布HBM4技术领先,重返巅峰

宣在官 기자 2026-02-11 14:30
三星突破英伟达,宣布以HBM4重夺王座 春节后HBM4量产,首次供货英伟达
三星电子CTO宋在赫在首尔COEX回答记者提问
三星电子CTO宋在赫在首尔COEX回答记者提问。

三星电子设备解决方案(DS)部门CTO宋在赫表示,HBM4的量产将展示三星的技术实力。春节后,三星将首次向英伟达供应HBM4,重夺半导体市场主导地位。

宋在赫在首尔的“半导体韩国2026”会议上表示,客户对HBM4的反馈非常满意。作为唯一同时拥有存储、代工和封装的公司,三星具备生产AI所需最佳产品的条件。

HBM4采用10纳米6代(1c)DRAM和4纳米代工工艺,数据处理速度达到11.7Gbps,比国际标准(JEDEC)高37%。其内存带宽提升至3TB/s,12层堆叠技术提供36GB容量。

宋在赫称,HBM4技术已达顶尖水平,良品率也很高,显示出三星在HBM市场的技术优势。

他对市场前景持乐观态度,预计AI需求将导致今年和明年内存供应紧张,进入半导体“超级周期”。

三星计划在HBM4E和HBM5技术上继续保持领先地位,提前布局未来技术。春节后第三周,三星将开始向英伟达量产出货HBM4,争取市场主导权。



※ 本报道经人工智能(AI)系统翻译与编辑。

《 亚洲日报 》 所有作品受版权保护,未经授权,禁止转载。