三星电子正在考虑从韩美半导体等多家厂商引进高带宽存储器（HBM）制造设备“TC本德”，引发关注。
为了克服第六代HBM4的高难度绑定问题，并应对HBM需求的爆炸性增长，三星计划引进外部优质设备。根据业内消息，三星已开始与技术先进的外部半导体设备公司接触。目前，三星从子公司SEMES获取TC本德，但自去年7月起，已与韩美半导体展开相关讨论，并与新加坡ASMPT、荷兰Besi等海外设备公司进行协商。
三星是否会使用韩美半导体的HBM用TC本德，预计下月将见分晓。对此，三星电子表示“尚未确定”。
三星与外部设备公司讨论TC本德供应方案，是为了同时提升HBM的质量竞争力和供应能力。为了保持高质量竞争力，三星需要引进外部优质TC本德。尽管有子公司SEMES，但通过外部引进可以提升竞争力。
2月12日，三星首次量产并出货了性能最高的HBM4。随着性能提升，芯片堆叠数量增加，微细对准精度提高，绑定难度也大幅上升。绑定工艺的良率和生产速度至关重要。
特别是，三星在HBM4中应用的1c DRAM进一步提高了绑定难度。电路线宽极度微细化，I/O密度显著提高，芯片间的间距变窄，短路风险增加。数据处理速度加快，集成度提高，发热量也增加。为克服这些问题，三星将传统的“非导电膜（TC-NCF）”工艺升级为适合1c DRAM特性的“高级TC-NCF”技术。
三星不希望重蹈HBM3E良率管理失败的覆辙，当时未能通过英伟达的质量测试，而美光使用韩美半导体的TC-NCF方式TC本德，率先确定了对英伟达的供应，这也引发了对外部设备的关注。
为了应对快速增长的HBM4需求，三星可能会考虑在整体工艺扩展方面引进更多TC本德。
美国银行和高盛预计，今年全球HBM市场规模将同比增长58%，达到546亿美元（约73万亿韩元）。随着下一代HBM4E和HBM5的推出，需求将进一步增加。
三星计划在HBM4之后继续保持下一代HBM的行业领先地位，因此必须确保未来稳定获得性能最佳的TC本德。
然而，由于三星采用“TC-NCF”方式绑定，难以引进SK海力士使用“MR-MUF”方式的韩华半导体TC本德。
随着下一代HBM的发展，宽TC本德、混合TC本德等绑定设备也在不断进步，合作伙伴关系预计将多样化。HBM的发展提高了后工艺精度，抢占外部优质设备的存储器公司将提升竞争力。
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
