围绕高带宽存储器（HBM）第四代市场的扩建竞争已经开始。SK海力士宣布将在龙仁集群1号工厂投资31万亿韩元，计划提前启动生产。同时，三星电子也在平泽P4建立新的HBM4用DRAM生产线。
据业内消息，SK海力士和三星电子正在加快投资，以扩大HBM4的生产能力。随着AI服务器的扩建，存储器需求激增，抢占生产能力成为市场主导权的关键。
SK海力士决定在2030年底前完成龙仁半导体集群1号工厂的建设，总投资31万亿韩元。此前已投入9.4万亿韩元用于1区建设和初期基础设施，这次又追加21.6万亿韩元用于2至6区的建设。设备引进费用另计。
1号工厂的首次运行时间从2027年5月提前至同年2月，以更快响应大科技客户的AI半导体需求。工厂将生产包括HBM在内的次世代DRAM，并根据市场情况灵活调整产品组合。
三星电子在平泽P4新建HBM4用DRAM生产线，计划在明年第一季度投入使用，月产能可达10万至12万片晶圆。1c DRAM是HBM4的核心产品，每个HBM4包含12个1c DRAM。新生产线的启动将使三星的DRAM晶圆总产能增加约18%。
三星计划今年向全球AI半导体公司供应HBM4，并将在本月开始量产和出货。通过提前投资设备，三星希望在存储器价格上涨的“超级周期”中增强市场控制力。
两家公司将HBM4视为次世代的关键战场，并加速扩建生产线。随着AI服务器扩建竞争的持续，高性能存储器成为必备基础设施。
业内人士表示：“HBM4不仅是产品的代际更替，更是AI生态系统的核心部件，需求增长迅速，难以预测。这次投资竞争将成为未来2至3年市场格局的分水岭。”
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
