“三星是全球最佳。”
英伟达CEO黄仁勋于16日在美国加州圣何塞的“GTC 2026”上访问三星电子展台，现场一片欢呼。他在三星的6代高带宽内存（HBM4）样品上签名并给予高度评价。
业内认为，这不仅仅是一次活动，而是三星电子在AI半导体竞争中作为综合半导体企业（IDM）重新扩大其在英伟达生态系统中影响力的信号。
三星在此次GTC上强调同时供应内存核心芯片和代工基底芯片的结构。HBM核心的DRAM核心芯片采用1c（10纳米级6代）工艺，基底芯片则由三星代工4纳米工艺制造，体现了内存、逻辑、封装的IDM整合技术。
三星首次展示了下一代HBM“HBM4E（7代）”实物芯片和核心芯片晶圆，目标是每针16Gbps速度和最大4TB/s带宽。
三星特别强调结合内存设计、代工和先进封装的“全方位解决方案”能力，展示了热阻改善超过20%并支持16层以上堆叠的下一代封装技术HCB（混合铜键合）。
这一策略反映了在AI基础设施时代，内存竞争力已从单纯的DRAM性能扩展到系统整合能力。业内评价认为，三星电子正在重新提升其在HBM市场的竞争力。
三星在展区设立了“HBM4英雄墙”，展示HBM4芯片和4纳米基底芯片晶圆，展示将应用于下一代英伟达平台“Vera Rubin”的内存结构。
三星还强调其为Vera Rubin平台提供内存和存储设备的“全方位内存解决方案”能力，展示了用于Rubin GPU的HBM4、Vera CPU的SOCAMM2和服务器用SSD PM1763，展示了AI数据中心内存生态系统。
SOCAMM2是基于LPDDR的服务器内存模块，已开始量产，基于PCIe 6代的SSD PM1763将作为Vera Rubin平台的主要存储设备。三星在展会上通过搭载该存储设备的服务器进行了AI工作负载演示。
当天，黄仁勋CEO在现场亲自确认三星技术力后，连连称赞。他进入展台时表示：“这是我亲近的人们，做得很好，是伟大的合作伙伴。”他即兴在HBM4样品、晶圆和英伟达芯片上用金色笔签名。
黄仁勋离开会场时说：“加油，三星！我为三星感到自豪。”并表示：“未来即将到来，还有更多的创意。”
业内认为，此次活动标志着三星电子在HBM竞争力恢复的转折点。IDM结构在AI半导体时代再次成为竞争力，特别是在英伟达下一代平台为中心的AI基础设施竞争扩大之际，三星电子通过内存、代工和封装的“全方位AI内存”战略强化了其存在感。
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
