韩美半导体宣布将在今年内推出用于下一代高带宽存储器（HBM）的“第二代混合键合”原型。这是为了应对2029年混合键合需求的战略举措。
2020年，韩美半导体推出了第一代HBM生产用混合键合设备，积累了核心技术和验证经验。第二代设备将结合第一代的开发经验和核心技术，提升纳米级精度、工艺稳定性和良率。
混合键合技术通过直接连接芯片和晶圆的铜（Cu）布线，去除传统焊料凸点，减少封装厚度，同时提高散热性能和数据传输速度，适用于20层以上的高堆叠HBM。
韩美半导体正在加快基础设施建设，计划在仁川市西区的朱安国家产业园区投资1000亿韩元，建设总面积14595平方米、地上两层的混合键合工厂，预计明年上半年完工。
因此，混合键合的全面量产预计在2029至2030年间开始。
今年下半年，计划推出扩大HBM芯片面积的“宽TC键合设备”。该设备可稳定增加硅通孔（TSV）数量和输入输出接口（I/O）数量，扩展内存容量和带宽。
韩美半导体相关人士表示：“我们将HBM用TC键合的第一位经验应用于HBM用混合键合技术，确保在客户启动下一代HBM量产时，及时提供高质量设备。”
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
