应用材料公司发布了两款用于先进逻辑芯片微结构形成的下一代半导体设备系统。
据应用材料公司介绍，这些新设备旨在解决2纳米以下GAA晶体管工艺的复杂性，并支持人工智能基础设施所需的高性能、低功耗半导体的量产。
选择性氮化膜系统采用业界首创的选择性自下而上沉积技术，仅在需要的位置形成氮化膜，以减少晶体管间的寄生电容，并通过低温工艺保持芯片性能。
同时发布的Endura Trillium系统则是在纳米片包围的栅极堆栈上均匀沉积金属，帮助精确调节晶体管的临界电压。
这些设备系统已被全球半导体制造商用于2纳米以下的GAA工艺。
普拉布·拉贾，应用材料公司半导体产品集团总裁表示：“在先进逻辑节点中，性能和效率现在由材料创新决定。我们将通过新系统支持客户实现AI计算路线图的基础——晶体管技术的转变。”
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
