SK海力士宣布将在下一代高带宽存储器HBM4E中应用1c纳米工艺，以增强性能竞争力。

公司在23日的第一季度财报发布后的电话会议中表示：“HBM4E正在与客户密切合作开发，计划在下半年提供样品，并在2027年实现量产。”公司还表示，将在核心芯片上应用1c纳米工艺以满足客户性能需求。

SK海力士强调了该工艺的成熟度。公司指出：“1c纳米工艺自2025年底开始量产，已在市场上证明了其性能，且产量和量产能力已达到稳定水平。”公司补充道：“通过进一步的技术内化和客户验证，将确保及时开发、稳定量产和高质量，以保持技术领先地位。”



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