SK海力士在TSMC主办的技术活动中，展示了其在下一代高带宽内存（HBM）市场的具体路线图。
 
SK海力士于22日在美国加州圣何塞的“TSMC 2026技术研讨会”上，展示了第六代HBM的开发进展和下一代封装技术。
 

在此次研讨会上，SK海力士重点介绍了AI时代的核心组件HBM4，强调了从HBM4开始采用TSMC的先进逻辑工艺生产“基底芯片”的变化。
 
基底芯片是连接GPU并控制整个内存的关键组件，采用超微细工艺后可集成客户定制功能。
 
两家公司不仅是部件供应合作，还在定制HBM市场展开战略合作。SK海力士计划结合TSMC的“CoWoS”技术和自身HBM技术，提供符合全球大科技公司需求的解决方案。

 
当天，SK海力士还展示了256GB 3DS RDIMM和GDDR7等AI基础设施所需的最新产品，彰显技术领导力。
 
SK海力士计划在2026年量产HBM4，建立紧密的客户-代工厂-内存合作生态系统，巩固其作为AI内存提供商的地位。
 
安贤 SK海力士开发总裁表示：“目前AI技术的瓶颈在于内存带宽限制，无法快速处理不断增长的数据。我们将超越标准HBM，提供满足客户特定需求的‘定制HBM’，并扩展到包括DRAM和NAND闪存的全套解决方案。”