随着三星电子和SK海力士专注于人工智能（AI）时代的核心产品——高带宽内存（HBM），中国企业则在通用DRAM和NAND闪存市场中加大了市场份额的扩展。

中国两大内存企业——长鑫存储科技（CXMT）和长江存储科技（YMTC）通过企业公开募股（IPO）筹集资金，预计将全面启动HBM等下一代内存的开发。有观点认为，韩国与中国在高性能内存半导体技术上的差距已缩小至3至5年。

据业内消息，作为中国最大的DRAM企业，CXMT和NAND闪存企业YMTC近期正在推进上市，旨在扩大生产能力和进行下一代内存的研发。

CXMT在上月底已通过中国上海证券交易所的IPO审查，目前仅剩注册批准程序，预计很快将完成上市。该公司计划通过IPO筹集295亿人民币（约合6万5550亿元）。这是自2020年上市的中国代工企业中芯国际以来的第二大规模。

CXMT的市场份额已提升至全球DRAM市场的8%左右，成为威胁三星电子、SK海力士和美光三强格局的第四大企业。该公司第一季度的营收达到508亿人民币（约合11万3000亿元），同比增长719%。中国智能手机制造商的供应链本土化政策与低价策略相结合，推动了其快速增长。

YMTC在NAND市场的存在感也在不断增强。该公司已掌握200层以上的高堆叠NAND闪存技术，正积极进军固态硬盘（SSSD）和移动存储设备市场。尽管面临美国的出口管制，YMTC仍凭借中国市场的巨大需求提升了技术竞争力，并计划在年内上市。

这两家公司预计将在IPO后全面启动HBM的开发。它们计划将通过IPO获得的资金投入到AI基础设施建设所需的高端内存领域的研发中。尤其是最近，中国政府已强烈要求CXMT大幅提升HBM的生产能力。该公司预计将在年内正式开始HBM3的量产。

分析人士认为，中国内存企业最快将在三年内追赶上韩国的HBM技术水平。由于中国在资金和研发方面投入了大量资源，技术差距正在迅速缩小。目前，它们在通用DRAM和NAND市场扩大生产规模并建立盈利基础，进而向高性能内存市场进军的战略正在逐步实现。

安基贤韩国半导体产业协会常务理事表示：“中国内存企业将在3至5年内与三星电子和SK海力士的HBM技术水平相当。”他指出：“韩国与中国的HBM技术差距将逐渐缩小。”他还强调：“中国在没有时间限制的研发环境下进行研究，而韩国受到劳动法的限制，因此韩国也需要创造有利于研发的环境。”