SK海力士正式开始供应下一代AI超高性能DRAM 'HBM4E'样品。这距离三星电子上个月首次出货样品仅一个月时间。由此，两家公司在HBM4E市场展开激烈竞争，进入AI内存霸权的“第二轮”阶段。

SK海力士于18日宣布向主要客户供应第七代高带宽内存（HBM4）12层样品。该产品是目前量产中的第六代HBM（HBM4）的后续型号，旨在最大化AI学习和推理所需的数据处理性能。原本预计在今年下半年供应，但由于自主开发进度顺利，提前了供应时间。

此次新产品在性能和能效方面较前一代有了显著提升。其每引脚最大数据处理速度达到16Gbps（每秒千兆位），并通过电源设计优化，能效提高超过20%。

特别是采用了独特的“先进MR-MUF”工艺，确保了结构稳定性。在12层堆叠的基础上实现了48GB的高容量，同时将热阻降低了约17%。这使得在AI计算环境中产生的热量得以更有效地控制。

SK海力士表示：“我们基于长期积累的HBM前沿开发能力和生产经验，与核心客户紧密合作，确保及时量产，主动实现市场所需的价值。”

与此同时，三星电子的势头也十分强劲。三星电子在5月底首次向全球客户供应HBM4E 12层样品，凭借超越竞争对手的技术，展现了强大的市场竞争力。这一举措是在今年2月宣布HBM4产品全球首次量产出货仅三个月后，便提前推出下一代产品。

三星电子的HBM4E同时应用了经过自我验证的10纳米级第六代（1c）DRAM和4纳米代工工艺，确保了生产效率和工艺稳定性。通过低功耗设计，能效提高了16%，热阻特性提升超过14%。特别是“全方位交钥匙”战略发挥了强大协同效应，旨在在大科技供应链中占据有利地位。

在一个月内，两家公司相继完成样品供应，业内普遍认为，双方已进入争夺下一代AI供应链的激烈“第二轮”竞争。随着HBM4E的订单竞争重新点燃，产品特性决定了通过客户严格的验证和最终批准的公司将占据市场优势。

韩国半导体产业协会常务理事安基贤表示：“两家公司都在比预期更快地推进下一代产品的开发和验证，全球大科技客户的最终质量测试通过时机和实际量产转型速度，将成为未来AI内存市场主导权的分水岭。”