SK海力士已正式开始供应下一代超高性能DRAM'HBM4E'样品。这距离三星电子上个月全球首发样品仅一个月时间。两家公司在HBM4E市场上展开激烈竞争，进入了围绕人工智能（AI）内存霸权的“二次战”阶段。

SK海力士于18日宣布，已向主要客户供应7代高带宽内存（HBM4）12层样品。这款产品是目前量产中的6代HBM（HBM4）的后续型号，旨在最大化AI学习和推理所需的数据处理性能。原本预计在今年下半年供应，但由于自主开发进展顺利，提前了供应时间。

与前一代产品相比，该产品在性能和能效上都有了进一步提升。每引脚最大可实现16Gbps（每秒千兆位）的数据处理速度，并通过电力设计优化，能效提高了20%以上。

特别是采用了独特的“先进MR-MUF”工艺，确保了结构稳定性。在12层堆叠的基础上实现了48GB的高容量，同时热阻比前一代降低了约17%。这使得在AI计算环境中产生的热量能够得到更有效的控制。

SK海力士表示：“我们基于长期积累的HBM前沿开发能力和生产经验，与核心客户紧密合作，确保及时量产，主动实现市场所需的价值。”

与之相对，三星电子的势头也十分强劲。三星在5月底全球首发HBM4E 12层样品，展示了其技术实力。这一举措是在今年2月宣布HBM4产品全球首批量产出货仅三个月后，便提前供应下一代产品。

三星的HBM4E同时应用了自主验证的10纳米级6代（1c）DRAM和4纳米代工工艺，确保了生产效率和工艺稳定性。通过低功耗设计，能效提高了16%，热阻特性也提升了14%以上。特别是“单站交钥匙”战略产生了强大的协同效应，旨在在大科技供应链中占据有利地位。

两家公司已进入为争夺下一代AI供应链而展开的激烈二次战。在HBM4和HBM4E的订单竞争重新点燃的背景下，产品特性决定了通过客户严格验证和最终批准的公司将占据优势。

韩国半导体产业协会常务理事安基贤表示：“两家公司都在比预期更快地推进下一代产品的开发和验证。全球大科技客户的最终质量测试通过时机和实际量产转型速度，将决定未来AI内存市场的主导权。”