三星电子与台积电加速引进ASML下一代EUV设备
随着人工智能（AI）半导体需求的激增，三星电子和台湾的台积电等全球主要半导体企业纷纷引进荷兰半导体设备制造商ASML的先进设备。能够绘制更细微电路的“高数值孔径（High NA）极紫外光（EUV）”技术正成为下一代半导体生产的核心。 根据8日彭博社的报道，三星电子和台积电计划分别于2028年和2030年开始大规模生产ASML的高NA EUV设备。 高NA EUV设备被认为是最先进半导体制造的关键设备。由于其光的数值孔径（NA）高于现有EUV设备，能够在更广的角度收集光线，从而在晶圆上实现更细微的电路图案。这将减少现有EUV设备在某些工艺中需要多次曝光的步骤，提高半导体的微型化和生产效率。设备的价格约为4亿美元（约合5375亿韩元）。 包括已经引进该设备的美国英特尔在内，全球主要半导体企业开始正式利用下一代EUV技术。 此外，三星电子、台积电、英特尔和ASML还共同推动将用于半导体制造的“光刻掩模”尺寸从现有的6英寸扩大到12英寸的技术开发。 光刻掩模是一种用于在半导体晶圆上反复刻画电路图案的设计板。半导体行业使用6英寸光刻掩模已有数十年，但随着电路越来越微型化，以及对像AI半导体这样的大型复杂芯片的需求增加，现有光刻掩模尺寸的局限性也日益显现。 ASML表示，采用新技术后，高NA EUV设备的生产处理能力可提高最多40%，同时简化设计工艺。ASML首席技术官马尔科·彼得斯（Marco Peters）表示：“高NA EUV技术在半导体大规模生产中的应用是一个重要进展，客户们也认可高NA EUV设备相较于现有技术的优势。” 实际上，将光刻掩模转换为12英寸的工作在技术上复杂且成本高，因此过去难以推进。然而，随着AI半导体需求的快速增长，三星电子、台积电、英特尔等ASML的主要客户正在共同努力开发12英寸光刻掩模技术，以提高生产效率并降低成本。 尤其是台积电，过去因成本与生产效率问题对高NA EUV设备的引进持谨慎态度，但随着AI半导体需求的激增，开始积极获取下一代生产技术。台积电计划在2030年引入使用现有6英寸光刻掩模的高NA EUV设备，并逐步开发12英寸光刻掩模技术以应用于生产。 台积电首席执行官魏哲家表示：“我们一直在合作解决半导体行业的技术问题，克服技术壁垒在成本问题之前是至关重要的。” 彭博社评估，台积电作为ASML整体营收约16%的主要客户，其引入高NA EUV设备对ASML具有重要意义。 ASML是全球唯一能够生产EUV光刻设备的公司。EUV设备是生产全球最先进的AI加速器和半导体的必备设备。ASML预计，随着半导体工艺技术的进步，高NA EUV设备的需求也将不断增加。
2026-09-09 02:04:00
