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全球芯片巨头加码在美投资 韩企面临补贴减少与战略重压
美国特朗普政府正在着手重新审查对半导体企业发放的补贴,但全球半导体企业依旧纷纷宣布扩大在美投资计划,导致三星电子和SK海力士等韩国半导体企业面临更大压力。如果在缺乏补贴的情况下也需要增加投资,韩国企业则必须全面调整全球生产战略,引发业内担忧。 美国半导体企业美光科技(Micron)当地时间12日宣布,计划扩大美国本土投资至2000亿美元,较去年拜登政府时期公布的1250亿美元计划增加60%。这一声明发表正值特朗普多次公开表示,不依赖政府补贴,仅通过关税施压即可促使全球半导体企业加大在美投资。 今年3月初,中国台湾晶圆代工企业台积电(TSMC)宣布计划追加1000亿美元的在美投资后,全球半导体企业之间逐渐出现一波“亲特朗普”趋势。 美国商务部在美光发布扩张计划后随即宣布提供最高2.75亿美元的补贴,但市场普遍认为这笔资金是对去年12月与拜登政府达成初步协议的最终确认,因此不能看作新增补贴。 有分析指出,特朗普政府可能会以此次美光的投资声明为契机,正式启动对《芯片法案》补贴条款的重新协商。主管《芯片法案》补贴的美国商务部部长霍华德·卢特尼克(Howard Lutnick)本月4日在国会听证会上表示:“部分芯片补贴似乎过于慷慨”,并透露正在与部分企业重新协商补贴条款。 如果特朗普政府在不增加补贴的情况下持续施压企业加大投资,三星电子和SK海力士的负担则会大幅加重,甚至可能需要调整全球生产战略。 三星电子在拜登政府期间宣布,计划投资超过370亿美元,截至2026年在得克萨斯州泰勒市新建半导体代工厂,并在去年12月与美国商务部正式签署协议,获得47.45亿美元补贴。SK海力士则计划截至2028年在印第安纳州西拉斐特建造一座人工智能(AI)存储半导体封装工厂,并在上月与美方签订协议,获得最多4.58亿美元直接补贴和5亿美元贷款。
2025-06-13 19:01:37 -
AI浪潮下三星半导体增长失速 第一季度落后台积电逾10万亿韩元
在全球半导体产业格局持续变动的当下,三星电子半导体部门在营收方面正与主要竞争对手全球晶圆代工龙头台积电(TSMC)不断拉开距离。尤其是在需求迅猛增长的人工智能(AI)半导体市场,台积电业绩表现亮眼,导致两家公司之间的营收差距已超过10万亿韩元(约合人民币517.33亿元)。 据半导体行业11日消息,三星电子负责半导体业务的设备解决方案(DS)部门今年第一季度营收25.1万亿韩元,较上一季度减少17%。原因在于受到半导体出口管制等因素影响,用于AI芯片的高带宽存储器(HBM)销售下滑。作为HBM市场的后来者,三星目前尚未打入主导AI半导体生态系统的英伟达(NVIDIA)供应链,导致HBM业务未能显著提振整体业绩。 相比之下,台积电今年第一季度营收同比大增42%,达到8393.5亿新台币(约合38.82万亿韩元)。考虑近期汇率波动的情况下,两家公司之间的季度营收差距也超过10万亿韩元。近来美国等发达国家的AI需求强劲,加上台积电出于关税考量而进行的芯片库存积累,推动业绩增长远超预期。 三星证券研究员文俊浩(音)指出,台积电在智能手机业务方面进入淡季,营收有所下降,但高性能运算(HPC)业务的增长成功弥补这一影响。三星在2021年一度超越英特尔,登上全球半导体营收榜首,但随着内存市场自2022年第三季度起趋于疲软,台积电开始反超三星。 三星在去年第二季度短暂重夺半导体行业领先地位,但AI半导体市场进入快速增长阶段,第三季度起台积电再次领先,并且差距不断扩大。去年第三季度两者差距约为3万亿韩元,第四季度拉大至8万亿韩元,而今年第一季度已超过10万亿韩元。 三星是涵盖存储器与非存储器的综合型半导体企业,而台积电仅专注晶圆代工业务,两者在业务结构上存在差异,但在全球半导体市场共同具有高度影响力,并且在代工领域进行直接竞争,因此“营收第一”具有重要象征意义。 从目前趋势来看,三星与台积电的差距在短期内恐怕难以缩小。证券行业预测,三星DS部门今年第二季度营收有望回升至28至30万亿韩元,原因主要在于第一季度业绩触底,以及美国关税政策实施前的传统芯片需求回暖等因素。 台积电则已发布第二季度营收预期为284亿至292亿美元,折合韩元约为39至40万亿韩元,较三星预期高出约10万亿韩元。台积电董事长魏哲家表示,今年全年营收以美元计算预计增长20%中段水平,AI相关需求还会持续强劲。 【图片来源 网络】
2025-05-11 23:28:54 -
制裁反助中国自主技术突围 三星呼吁美方放宽芯片限制
位于首尔瑞草区的三星电子总部大楼。【图片提供 韩联社】 据半导体业界消息,三星电子日前向美国商务部传达意见称,美国对华尖端技术的制裁可能会导致意外结果,反而阻碍创新。尽管美国对华制裁持续升级,但中国在尖端半导体领域屡屡取得突破,三星此举被视为向美国政府进行呼吁放宽管制。 据悉,三星电子于上月13日向美国商务部工业安全局(BIS)提交《尖端半导体及集成电路实地调查措施》的临时最终规则(IFR)的意见报告。三星电子在报告中称,希望该规定能有效保障美国国家安全,同时这项规定可能造成意外后果及阻碍创新,希望能放宽该规定。 三星电子所担忧的这项规定,是美国前总统拜登在其任期结束之际于今年1月16日发布。这项规定要求晶圆代工企业在采用14-16纳米以下制程工艺、晶体管数量超过300亿个时,需要对客户身份进行溯源,并按季度向美方报告。 当时美方表示,希望晶圆代工企业通过此举验证所生产的芯片不会流入被列入“黑名单”的企业。意在防范再次发生如华为去年通过初创企业算能科技(Sophgo)的名义迂回获取台积电芯片的事例。美国商务部通过这一规定将算能科技等可疑企业加入黑名单,并要求三星电子、台积电、英特尔等24家主要晶圆代工及测试企业对客户进行审核验证。 三星电子等芯片厂商对这一规定可能产生的负面效果表示忧虑,若代工企业每季度向美方报告客户信息,可能会失去原有的中国无晶圆厂(Fabless)客户,对三星电子造成打击。 此外,这一规定反而会加快中国半导体的自主程度,由于三星电子、台积电、英特尔等企业均为规定适用对象,中国的无晶圆厂可能将芯片制造业务转托于如中芯国际(SMIC)等中国代工厂商。 半导体业界相关人士称,代工企业需要在为多样化客户寻求解决方案的过程中积累技术实力,美国的这一规定反而是将客户资源转手让于中国本土代工企业,从而助力其技术自主。 以去年第四季度数据为准,连续从台积电“挖人”的中芯国际以5.5%的市场份额位居全球晶圆代工行业第三位,正紧追排名第二位的三星电子(8.1%)。甚至有观点认为,三星电子在代工领域的竞争对手已不是台积电,而是中芯国际。美国半导体协会在提交给商务部的意见报告中也明确表示,出口管制应在不会损害美国制造、就业和核心技术领域的领导地位前提下进行,可见美国国内也已认识到,从长期来看管制措施可能反而助推中国实现半导体自主。
2025-04-25 19:48:45 -
美国推迟半导体关税政策公布时间至下周 全球芯片巨头加速应对措施
11日,美国总统特朗在飞往佛罗里达州的总统专机上与记者交谈。【图片来源 韩联社AP】 特朗普政府近日宣布将推迟公布导体关税政策至下周。尽管目前仍将半导体设备列入关税豁免清单,但业界普遍预测,部分关键品目或将面临高达25%以上的关税上调。 据15日消息,为最大限度降低潜在关税冲击,全球半导体巨头正积极采取应对措施。据悉,三星电子正加速推进位于德克萨斯州泰勒市在建工厂的设备运输工作。该工厂目前已完成99.6%的建设工程,目前进入竣工验收阶段。同时,中国台湾台积电(TSMC)已率先采取行动,要求在本月内完成亚利桑那州工厂关键设备的清关运输。 特朗普总统近日在记者会上表示:“我们将在短期内实施新的半导体关税政策,旨在重振美国本土半导体制造业。”白宫此前表示,半导体行业涉及国家安全,因此在该领域的贸易政策将坚持强硬立场,部分品目可能面临至少25%的关税。 尽管美国政府此前将智能手机和半导体设备列入关税豁免清单,但近期政策风向的变化引发行业担忧。若新关税落地,在美建厂的半导体企业将面临显著成本上升,尤其是依赖进口高端设备的晶圆厂。 三星泰勒工厂计划生产4纳米及以下的先进制程芯片,所需的核心设备来自荷兰阿斯麦(ASML)和日本东京电子(刻蚀、沉积设备)等国际供应商。由于这些设备均在海外生产,难以规避美国关税政策的影响。特别是,阿斯麦的极紫外光刻机(EUV)每台售价高达5000亿韩元(约合人民币25.6亿元),若适用25%关税,单台设备的关税成本可能超过数百亿韩元。高昂的额外成本将直接影响三星、台积电等企业的在美投资回报率。 面对即将出台的关税政策,三星电子正在评估包括提前完成设备采购、调整运输时间、与美国政府协商部分豁免等多元方案。分析认为,若关税政策最终落地,可能加速半导体供应链的本地化趋势,促使更多厂商在美国建立配套设备生产线,以减少对进口的依赖。 业内相关人士表示:“特朗普政府的这一举措不仅影响三星、台积电等芯片制造巨头,还将波及关键材料及设备等供应。未来几周,随着关税细则的公布,行业可能迎来新一轮战略调整,全球半导体产业格局或将重塑。”
2025-04-15 19:07:50 -
台积电2纳米工艺芯片量产在即 三星电子面临技术挑战
【图片来源 韩联社】 一项调查显示,中国台湾半导体代工巨头台积电(TSMC)的2纳米工艺芯片已达到批量生产的成熟阶段,这一突破性进展预示着整个半导体产业链即将迎来深刻变革。 据业界26日消息,台积电在2纳米工艺芯片的生产上取得了显著成就,良率达60%。不仅彰显了台积电在高端芯片制造领域的卓越实力,更为其从今年年末启动批量生产奠定了坚实基础。良率作为衡量芯片生产质量的关键指标,直接影响芯片的成本控制与供应稳定性。反之,三星电子仍处于克服良率不佳问题,虽然整体工程速度较台积电缓慢,但趋于向好态势。 台积电相关负责人表示,公司当前良率已超出市场预期,2纳米工艺芯片的合计产能预计将达到月产量5万片,若能顺利过渡到第二阶段,台积电有望在2025年末提前实现月产量8万片的目标,这一时间点较原先预计的2026年大幅提前。而公司的长远目标是实现月产量超过10万片,以持续为客户提供最先进的芯片制造服务。 从技术层面来看,2纳米工艺相较于3纳米工艺实现了显著提升。在相同功耗下,2纳米工艺芯片的速度可提高10至15%;而在相同速度下,其功耗则可降低25至30%。这一技术上的飞跃使得台积电在高端芯片制造领域保持独占鳌头的地位。 同时,三星电子也计划于今年年末批量生产2纳米工艺芯片,但其生产良率目前仅为20至30%,远低于台积电。尽管如此,三星电子在2纳米工艺初期的良率相较于3纳米初期已有了显著改善,且正全力以赴以提高良率。三星电子半导体(DS)部门代工事业部长韩振万(音)强调:“为了大幅提升工艺良品率并优化耗电量、性能、面积(PPA),必须仔细探寻所有可能的优化条件。”这一努力已初见成效,近期三星电子4纳米工艺良率已从去年的70%大幅提升至80%。 业界正密切关注三星电子能否在2纳米工艺上采用全新的GAA(Gate-All-Around)晶体管架构。这一技术不同于传统的FinFET架构,这种技术能够在性能和功耗上实现显著提升。尽管此前三星电子在3纳米工艺上尝试使用GAA技术,但由于结构复杂性较大,投入巨额资金后良率仍不尽如人意。而台积电首次将GAA应用于2纳米工艺,并取得了超出预期的良率表现。若三星电子在今年内未能有效改善其2纳米工艺的良品率,预计将在客户争夺中处于不利地位。
2025-02-26 19:50:08 -
LG电子家电事业展翅高飞 芯片研发未来可期
23日,首尔一家大型家电卖场中出售的LG电视机。【图片来源 韩联社】 KB证券于24日预测称,今年LG电子家电事业(H&A)销售额和营业利润有望创历史新高,并将股市目标价从原先的11万韩元(约合人民币555元)上调至12万韩元,并维持了持续收购的投资意见。 KB证券分析称,LG电子家电事业在今年预计实现销售额35万亿韩元,营业利润2.3万亿韩元,较去年分别增长5%和10%。这一显著增长主要得益于暖通空调(HVAC)业务的稳定表现,其销售比重占据家电总销售额的三分之一。此外,KB证券还预测,随着下半年物流费用的逐步减少,LG电子全球生产工厂对美国追加征税担忧将有所缓解,其家电事业的盈利能力将得到进一步提升。报告进一步指出,得益于家电事业的转好,LG电子在第一季度实现销售额22.3万亿韩元,同比增长6%,尽管营业利润为1.17万亿韩元,同比略有下降12%,但KB证券仍预测其全年营业利润有望突破12%的增长率。 尽管LG集团已出售子公司LG半导体,但LG电子仍在持续运营其系统级芯片(SoC)研究中心,该中心确保了600名研发(R&D)人员的稳定配置,致力于提升半导体芯片技术。该研究中心在人工智能(AI)、机器人、电子电器等领域,采用台积电(TSMC)等代工企业的先端工程,自行采购高性能半导体,并积极推动外部供应。 此外,LG电子正与米尔科技(ARM)、新思科技(SNPS)、博世、宝马等知名企业共同开发半导体性能和先进封装核心芯粒(Chiplet)技术。随着今年新兴的高速互联技术(CXL)市场的逐步开化,LG电子期待与这些企业在芯片技术上产生协同效应,共同提供高速、低延迟的通信解决方案。KB证券强调,LG电子正与微软、IBM等国际巨头积极探索量子计算机芯片相关的潜在合作机会。从长远来看,LG电子的系统级芯片研究中心有望在这些新兴领域发挥主导作用,引领公司开启全新的事业篇章。
2025-02-24 19:29:42 -
SK海力士携手台积电加速HBM4量产 继续引领AI芯片市场
SK海力士去年第四季度营业利润超过8万亿韩元(约合人民币406.42亿元),刷新季度及年度最高纪录。凭借在HBM3E(第五代高带宽存储器)技术上的领先优势,SK海力士宣布与台积电(TSMC)组成联合团队,并计划在今年下半年量产HBM4(第六代)。 SK海力士在23日的业绩发布中表示,今年的HBM营收预计同比增长超过100%。随着ASIC(专用集成电路)芯片的客户需求显著增加,公司客户基础也会进一步扩大。也就是说,SK海力士有意拓宽HBM客户群体,从此前以英伟达为中心的合作关系延伸至更多客户。 为了应对不断增长的人工智能(AI)需求,SK海力士正在把用于HBM的DRAM生产能力从目前的10万片提升到今年年底的17万片。AI技术趋势逐渐从训练转向推理阶段,但对HBM的需求依旧保持强劲。对于AI趋势变化是否会减缓HBM需求的质疑,SK海力士回应称,AI技术的演进会推动高性能HBM的需求增长,“物理AI”领域的拓展预计会成为HBM需求的增长动力。 SK海力士还强调计划与台积电组成联合团队,以提升HBM4的性能和功耗表现。与此前的HBM3E不同,HBM4的核心组件“基底芯片”需要交由代工生产。SK海力士计划在今年下半年量产12层堆叠HBM4产品,并在客户需要时提供16层堆叠版本。 HBM的出色表现助力SK海力士去年达成历史最佳业绩。2024年营收66.193万亿韩元,营业利润达23.4673万亿韩元,同时创下新高。其中,HBM全年营收同比增长4.5倍以上,第四季度HBM营收占DRAM整体营收的40%以上。去年9月,全球首款12层堆叠HBM3E量产产品顺利投产,预计今年上半年HBM3E出货量的一半以上由12层堆叠产品贡献。 SK海力士首席财务官(CFO)金祐贤表示:“通过大幅提高高附加值产品的销售占比,公司在市场调整期间也实现稳定的收入和利润。我们会继续坚持以确保收益为核心的投资原则,并根据市场变化灵活调整策略。” 【图片来源 韩联社】
2025-01-24 20:36:42 -
三星电子获美国47亿美元补贴 较初步计划削减26%
三星电子位于首尔瑞草区的总部大楼。【图片提供 韩联社】 当地时间20日,美国商务部宣布根据《芯片与科学法案》将向三星电子支付47.45亿美元的补贴,这一金额较今年4月签署初步交易意向书(PMT)时宣布的初步补贴金额(64亿美元)削减了约26%。 三星电子所获补贴占投资金额比重约为13%,虽仍高于台积电、英特尔、美光等,但仅从削减补贴幅度来看,远高于其他企业。台积电和美光所获补贴分别为66亿美元和61.65亿美元,两家企业与初步补贴金额所差无几。 另一家美国芯片大厂英特尔获补贴78.6亿美元,略低于此前宣布的初步资助金额(85亿美元),但英特尔9月已获得美国国防部30亿美元的资助。 三星电子投资规模缩水对补贴减少产生影响,美国商务部表示,支付补贴将用于三星电子位于得克萨斯州泰勒市新建的两家尖端半导体制造工厂引进研发设施,以及扩建奥斯汀市现有生产设备,此前三星电子曾宣布将投资370亿美元,较签署初步交易意向书时减少了约16%。 今年4月签署初步交易意向书时,三星电子原计划在2030年之前总投资440亿美元用于在美新项目。美国商务部发言人就削减对三星电子补贴的原因表示,这是为适应市场环境和企业投资范围而做出的改变。 但所获补贴减幅(26%)远高于投资规模缩水幅度(16%)的背景仍存疑。美方专家认为,在达成初步交易意向时被视为补贴支付对象的内容,经商务部审查后最终可能被剔除在支付对象之列。 目前较为关注的是,特朗普于下月20日就任美国总统后,是否会严格按照拜登执政时通过的《芯片与科学法案》执行支付补贴。两年前制定的《芯片与科学法案》目的是为吸引英特尔、美光、台积电和三星电子等全球知名半导体生产商在美国建立尖端芯片生产基地,当时这一法案在美国获得跨党派广泛支持。 法案中明示在2030年之前,全球五分之一的最先进处理器将在美国进行制造,但目前这一比例还约等于零。 特朗普在积极吸引半导体企业赴美投资的必要性上与拜登达成共识,但在方式上特朗普更倾向于“关税”这张王牌。 特朗普在10月出演一档电视节目时曾“炮轰”《芯片与科学法案》,他表示:“那个协议糟糕透顶,我们不应该给那些企业投入巨额资金,根本不需要出一分钱,只需把关税提高到足够高的水平,他们就会自动来美国建厂。” 即使政权更迭,单方面废除前政府制定的法案可能性较小,但根据此次决定,大部分补贴实际执行支付时期正是在特朗普执政期间(2025年1月至2029年1月),因此仍需进一步观察今后进展。 三星电子正在美国泰勒市兴建的晶圆代工厂用地。【图片提供 三星电子】
2024-12-21 19:33:20
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全球芯片巨头加码在美投资 韩企面临补贴减少与战略重压
美国特朗普政府正在着手重新审查对半导体企业发放的补贴,但全球半导体企业依旧纷纷宣布扩大在美投资计划,导致三星电子和SK海力士等韩国半导体企业面临更大压力。如果在缺乏补贴的情况下也需要增加投资,韩国企业则必须全面调整全球生产战略,引发业内担忧。 美国半导体企业美光科技(Micron)当地时间12日宣布,计划扩大美国本土投资至2000亿美元,较去年拜登政府时期公布的1250亿美元计划增加60%。这一声明发表正值特朗普多次公开表示,不依赖政府补贴,仅通过关税施压即可促使全球半导体企业加大在美投资。 今年3月初,中国台湾晶圆代工企业台积电(TSMC)宣布计划追加1000亿美元的在美投资后,全球半导体企业之间逐渐出现一波“亲特朗普”趋势。 美国商务部在美光发布扩张计划后随即宣布提供最高2.75亿美元的补贴,但市场普遍认为这笔资金是对去年12月与拜登政府达成初步协议的最终确认,因此不能看作新增补贴。 有分析指出,特朗普政府可能会以此次美光的投资声明为契机,正式启动对《芯片法案》补贴条款的重新协商。主管《芯片法案》补贴的美国商务部部长霍华德·卢特尼克(Howard Lutnick)本月4日在国会听证会上表示:“部分芯片补贴似乎过于慷慨”,并透露正在与部分企业重新协商补贴条款。 如果特朗普政府在不增加补贴的情况下持续施压企业加大投资,三星电子和SK海力士的负担则会大幅加重,甚至可能需要调整全球生产战略。 三星电子在拜登政府期间宣布,计划投资超过370亿美元,截至2026年在得克萨斯州泰勒市新建半导体代工厂,并在去年12月与美国商务部正式签署协议,获得47.45亿美元补贴。SK海力士则计划截至2028年在印第安纳州西拉斐特建造一座人工智能(AI)存储半导体封装工厂,并在上月与美方签订协议,获得最多4.58亿美元直接补贴和5亿美元贷款。
2025-06-13 19:01:37 -
AI浪潮下三星半导体增长失速 第一季度落后台积电逾10万亿韩元
在全球半导体产业格局持续变动的当下,三星电子半导体部门在营收方面正与主要竞争对手全球晶圆代工龙头台积电(TSMC)不断拉开距离。尤其是在需求迅猛增长的人工智能(AI)半导体市场,台积电业绩表现亮眼,导致两家公司之间的营收差距已超过10万亿韩元(约合人民币517.33亿元)。 据半导体行业11日消息,三星电子负责半导体业务的设备解决方案(DS)部门今年第一季度营收25.1万亿韩元,较上一季度减少17%。原因在于受到半导体出口管制等因素影响,用于AI芯片的高带宽存储器(HBM)销售下滑。作为HBM市场的后来者,三星目前尚未打入主导AI半导体生态系统的英伟达(NVIDIA)供应链,导致HBM业务未能显著提振整体业绩。 相比之下,台积电今年第一季度营收同比大增42%,达到8393.5亿新台币(约合38.82万亿韩元)。考虑近期汇率波动的情况下,两家公司之间的季度营收差距也超过10万亿韩元。近来美国等发达国家的AI需求强劲,加上台积电出于关税考量而进行的芯片库存积累,推动业绩增长远超预期。 三星证券研究员文俊浩(音)指出,台积电在智能手机业务方面进入淡季,营收有所下降,但高性能运算(HPC)业务的增长成功弥补这一影响。三星在2021年一度超越英特尔,登上全球半导体营收榜首,但随着内存市场自2022年第三季度起趋于疲软,台积电开始反超三星。 三星在去年第二季度短暂重夺半导体行业领先地位,但AI半导体市场进入快速增长阶段,第三季度起台积电再次领先,并且差距不断扩大。去年第三季度两者差距约为3万亿韩元,第四季度拉大至8万亿韩元,而今年第一季度已超过10万亿韩元。 三星是涵盖存储器与非存储器的综合型半导体企业,而台积电仅专注晶圆代工业务,两者在业务结构上存在差异,但在全球半导体市场共同具有高度影响力,并且在代工领域进行直接竞争,因此“营收第一”具有重要象征意义。 从目前趋势来看,三星与台积电的差距在短期内恐怕难以缩小。证券行业预测,三星DS部门今年第二季度营收有望回升至28至30万亿韩元,原因主要在于第一季度业绩触底,以及美国关税政策实施前的传统芯片需求回暖等因素。 台积电则已发布第二季度营收预期为284亿至292亿美元,折合韩元约为39至40万亿韩元,较三星预期高出约10万亿韩元。台积电董事长魏哲家表示,今年全年营收以美元计算预计增长20%中段水平,AI相关需求还会持续强劲。 【图片来源 网络】
2025-05-11 23:28:54 -
制裁反助中国自主技术突围 三星呼吁美方放宽芯片限制
位于首尔瑞草区的三星电子总部大楼。【图片提供 韩联社】 据半导体业界消息,三星电子日前向美国商务部传达意见称,美国对华尖端技术的制裁可能会导致意外结果,反而阻碍创新。尽管美国对华制裁持续升级,但中国在尖端半导体领域屡屡取得突破,三星此举被视为向美国政府进行呼吁放宽管制。 据悉,三星电子于上月13日向美国商务部工业安全局(BIS)提交《尖端半导体及集成电路实地调查措施》的临时最终规则(IFR)的意见报告。三星电子在报告中称,希望该规定能有效保障美国国家安全,同时这项规定可能造成意外后果及阻碍创新,希望能放宽该规定。 三星电子所担忧的这项规定,是美国前总统拜登在其任期结束之际于今年1月16日发布。这项规定要求晶圆代工企业在采用14-16纳米以下制程工艺、晶体管数量超过300亿个时,需要对客户身份进行溯源,并按季度向美方报告。 当时美方表示,希望晶圆代工企业通过此举验证所生产的芯片不会流入被列入“黑名单”的企业。意在防范再次发生如华为去年通过初创企业算能科技(Sophgo)的名义迂回获取台积电芯片的事例。美国商务部通过这一规定将算能科技等可疑企业加入黑名单,并要求三星电子、台积电、英特尔等24家主要晶圆代工及测试企业对客户进行审核验证。 三星电子等芯片厂商对这一规定可能产生的负面效果表示忧虑,若代工企业每季度向美方报告客户信息,可能会失去原有的中国无晶圆厂(Fabless)客户,对三星电子造成打击。 此外,这一规定反而会加快中国半导体的自主程度,由于三星电子、台积电、英特尔等企业均为规定适用对象,中国的无晶圆厂可能将芯片制造业务转托于如中芯国际(SMIC)等中国代工厂商。 半导体业界相关人士称,代工企业需要在为多样化客户寻求解决方案的过程中积累技术实力,美国的这一规定反而是将客户资源转手让于中国本土代工企业,从而助力其技术自主。 以去年第四季度数据为准,连续从台积电“挖人”的中芯国际以5.5%的市场份额位居全球晶圆代工行业第三位,正紧追排名第二位的三星电子(8.1%)。甚至有观点认为,三星电子在代工领域的竞争对手已不是台积电,而是中芯国际。美国半导体协会在提交给商务部的意见报告中也明确表示,出口管制应在不会损害美国制造、就业和核心技术领域的领导地位前提下进行,可见美国国内也已认识到,从长期来看管制措施可能反而助推中国实现半导体自主。
2025-04-25 19:48:45 -
美国推迟半导体关税政策公布时间至下周 全球芯片巨头加速应对措施
11日,美国总统特朗在飞往佛罗里达州的总统专机上与记者交谈。【图片来源 韩联社AP】 特朗普政府近日宣布将推迟公布导体关税政策至下周。尽管目前仍将半导体设备列入关税豁免清单,但业界普遍预测,部分关键品目或将面临高达25%以上的关税上调。 据15日消息,为最大限度降低潜在关税冲击,全球半导体巨头正积极采取应对措施。据悉,三星电子正加速推进位于德克萨斯州泰勒市在建工厂的设备运输工作。该工厂目前已完成99.6%的建设工程,目前进入竣工验收阶段。同时,中国台湾台积电(TSMC)已率先采取行动,要求在本月内完成亚利桑那州工厂关键设备的清关运输。 特朗普总统近日在记者会上表示:“我们将在短期内实施新的半导体关税政策,旨在重振美国本土半导体制造业。”白宫此前表示,半导体行业涉及国家安全,因此在该领域的贸易政策将坚持强硬立场,部分品目可能面临至少25%的关税。 尽管美国政府此前将智能手机和半导体设备列入关税豁免清单,但近期政策风向的变化引发行业担忧。若新关税落地,在美建厂的半导体企业将面临显著成本上升,尤其是依赖进口高端设备的晶圆厂。 三星泰勒工厂计划生产4纳米及以下的先进制程芯片,所需的核心设备来自荷兰阿斯麦(ASML)和日本东京电子(刻蚀、沉积设备)等国际供应商。由于这些设备均在海外生产,难以规避美国关税政策的影响。特别是,阿斯麦的极紫外光刻机(EUV)每台售价高达5000亿韩元(约合人民币25.6亿元),若适用25%关税,单台设备的关税成本可能超过数百亿韩元。高昂的额外成本将直接影响三星、台积电等企业的在美投资回报率。 面对即将出台的关税政策,三星电子正在评估包括提前完成设备采购、调整运输时间、与美国政府协商部分豁免等多元方案。分析认为,若关税政策最终落地,可能加速半导体供应链的本地化趋势,促使更多厂商在美国建立配套设备生产线,以减少对进口的依赖。 业内相关人士表示:“特朗普政府的这一举措不仅影响三星、台积电等芯片制造巨头,还将波及关键材料及设备等供应。未来几周,随着关税细则的公布,行业可能迎来新一轮战略调整,全球半导体产业格局或将重塑。”
2025-04-15 19:07:50 -
台积电2纳米工艺芯片量产在即 三星电子面临技术挑战
【图片来源 韩联社】 一项调查显示,中国台湾半导体代工巨头台积电(TSMC)的2纳米工艺芯片已达到批量生产的成熟阶段,这一突破性进展预示着整个半导体产业链即将迎来深刻变革。 据业界26日消息,台积电在2纳米工艺芯片的生产上取得了显著成就,良率达60%。不仅彰显了台积电在高端芯片制造领域的卓越实力,更为其从今年年末启动批量生产奠定了坚实基础。良率作为衡量芯片生产质量的关键指标,直接影响芯片的成本控制与供应稳定性。反之,三星电子仍处于克服良率不佳问题,虽然整体工程速度较台积电缓慢,但趋于向好态势。 台积电相关负责人表示,公司当前良率已超出市场预期,2纳米工艺芯片的合计产能预计将达到月产量5万片,若能顺利过渡到第二阶段,台积电有望在2025年末提前实现月产量8万片的目标,这一时间点较原先预计的2026年大幅提前。而公司的长远目标是实现月产量超过10万片,以持续为客户提供最先进的芯片制造服务。 从技术层面来看,2纳米工艺相较于3纳米工艺实现了显著提升。在相同功耗下,2纳米工艺芯片的速度可提高10至15%;而在相同速度下,其功耗则可降低25至30%。这一技术上的飞跃使得台积电在高端芯片制造领域保持独占鳌头的地位。 同时,三星电子也计划于今年年末批量生产2纳米工艺芯片,但其生产良率目前仅为20至30%,远低于台积电。尽管如此,三星电子在2纳米工艺初期的良率相较于3纳米初期已有了显著改善,且正全力以赴以提高良率。三星电子半导体(DS)部门代工事业部长韩振万(音)强调:“为了大幅提升工艺良品率并优化耗电量、性能、面积(PPA),必须仔细探寻所有可能的优化条件。”这一努力已初见成效,近期三星电子4纳米工艺良率已从去年的70%大幅提升至80%。 业界正密切关注三星电子能否在2纳米工艺上采用全新的GAA(Gate-All-Around)晶体管架构。这一技术不同于传统的FinFET架构,这种技术能够在性能和功耗上实现显著提升。尽管此前三星电子在3纳米工艺上尝试使用GAA技术,但由于结构复杂性较大,投入巨额资金后良率仍不尽如人意。而台积电首次将GAA应用于2纳米工艺,并取得了超出预期的良率表现。若三星电子在今年内未能有效改善其2纳米工艺的良品率,预计将在客户争夺中处于不利地位。
2025-02-26 19:50:08 -
LG电子家电事业展翅高飞 芯片研发未来可期
23日,首尔一家大型家电卖场中出售的LG电视机。【图片来源 韩联社】 KB证券于24日预测称,今年LG电子家电事业(H&A)销售额和营业利润有望创历史新高,并将股市目标价从原先的11万韩元(约合人民币555元)上调至12万韩元,并维持了持续收购的投资意见。 KB证券分析称,LG电子家电事业在今年预计实现销售额35万亿韩元,营业利润2.3万亿韩元,较去年分别增长5%和10%。这一显著增长主要得益于暖通空调(HVAC)业务的稳定表现,其销售比重占据家电总销售额的三分之一。此外,KB证券还预测,随着下半年物流费用的逐步减少,LG电子全球生产工厂对美国追加征税担忧将有所缓解,其家电事业的盈利能力将得到进一步提升。报告进一步指出,得益于家电事业的转好,LG电子在第一季度实现销售额22.3万亿韩元,同比增长6%,尽管营业利润为1.17万亿韩元,同比略有下降12%,但KB证券仍预测其全年营业利润有望突破12%的增长率。 尽管LG集团已出售子公司LG半导体,但LG电子仍在持续运营其系统级芯片(SoC)研究中心,该中心确保了600名研发(R&D)人员的稳定配置,致力于提升半导体芯片技术。该研究中心在人工智能(AI)、机器人、电子电器等领域,采用台积电(TSMC)等代工企业的先端工程,自行采购高性能半导体,并积极推动外部供应。 此外,LG电子正与米尔科技(ARM)、新思科技(SNPS)、博世、宝马等知名企业共同开发半导体性能和先进封装核心芯粒(Chiplet)技术。随着今年新兴的高速互联技术(CXL)市场的逐步开化,LG电子期待与这些企业在芯片技术上产生协同效应,共同提供高速、低延迟的通信解决方案。KB证券强调,LG电子正与微软、IBM等国际巨头积极探索量子计算机芯片相关的潜在合作机会。从长远来看,LG电子的系统级芯片研究中心有望在这些新兴领域发挥主导作用,引领公司开启全新的事业篇章。
2025-02-24 19:29:42 -
SK海力士携手台积电加速HBM4量产 继续引领AI芯片市场
SK海力士去年第四季度营业利润超过8万亿韩元(约合人民币406.42亿元),刷新季度及年度最高纪录。凭借在HBM3E(第五代高带宽存储器)技术上的领先优势,SK海力士宣布与台积电(TSMC)组成联合团队,并计划在今年下半年量产HBM4(第六代)。 SK海力士在23日的业绩发布中表示,今年的HBM营收预计同比增长超过100%。随着ASIC(专用集成电路)芯片的客户需求显著增加,公司客户基础也会进一步扩大。也就是说,SK海力士有意拓宽HBM客户群体,从此前以英伟达为中心的合作关系延伸至更多客户。 为了应对不断增长的人工智能(AI)需求,SK海力士正在把用于HBM的DRAM生产能力从目前的10万片提升到今年年底的17万片。AI技术趋势逐渐从训练转向推理阶段,但对HBM的需求依旧保持强劲。对于AI趋势变化是否会减缓HBM需求的质疑,SK海力士回应称,AI技术的演进会推动高性能HBM的需求增长,“物理AI”领域的拓展预计会成为HBM需求的增长动力。 SK海力士还强调计划与台积电组成联合团队,以提升HBM4的性能和功耗表现。与此前的HBM3E不同,HBM4的核心组件“基底芯片”需要交由代工生产。SK海力士计划在今年下半年量产12层堆叠HBM4产品,并在客户需要时提供16层堆叠版本。 HBM的出色表现助力SK海力士去年达成历史最佳业绩。2024年营收66.193万亿韩元,营业利润达23.4673万亿韩元,同时创下新高。其中,HBM全年营收同比增长4.5倍以上,第四季度HBM营收占DRAM整体营收的40%以上。去年9月,全球首款12层堆叠HBM3E量产产品顺利投产,预计今年上半年HBM3E出货量的一半以上由12层堆叠产品贡献。 SK海力士首席财务官(CFO)金祐贤表示:“通过大幅提高高附加值产品的销售占比,公司在市场调整期间也实现稳定的收入和利润。我们会继续坚持以确保收益为核心的投资原则,并根据市场变化灵活调整策略。” 【图片来源 韩联社】
2025-01-24 20:36:42 -
三星电子获美国47亿美元补贴 较初步计划削减26%
三星电子位于首尔瑞草区的总部大楼。【图片提供 韩联社】 当地时间20日,美国商务部宣布根据《芯片与科学法案》将向三星电子支付47.45亿美元的补贴,这一金额较今年4月签署初步交易意向书(PMT)时宣布的初步补贴金额(64亿美元)削减了约26%。 三星电子所获补贴占投资金额比重约为13%,虽仍高于台积电、英特尔、美光等,但仅从削减补贴幅度来看,远高于其他企业。台积电和美光所获补贴分别为66亿美元和61.65亿美元,两家企业与初步补贴金额所差无几。 另一家美国芯片大厂英特尔获补贴78.6亿美元,略低于此前宣布的初步资助金额(85亿美元),但英特尔9月已获得美国国防部30亿美元的资助。 三星电子投资规模缩水对补贴减少产生影响,美国商务部表示,支付补贴将用于三星电子位于得克萨斯州泰勒市新建的两家尖端半导体制造工厂引进研发设施,以及扩建奥斯汀市现有生产设备,此前三星电子曾宣布将投资370亿美元,较签署初步交易意向书时减少了约16%。 今年4月签署初步交易意向书时,三星电子原计划在2030年之前总投资440亿美元用于在美新项目。美国商务部发言人就削减对三星电子补贴的原因表示,这是为适应市场环境和企业投资范围而做出的改变。 但所获补贴减幅(26%)远高于投资规模缩水幅度(16%)的背景仍存疑。美方专家认为,在达成初步交易意向时被视为补贴支付对象的内容,经商务部审查后最终可能被剔除在支付对象之列。 目前较为关注的是,特朗普于下月20日就任美国总统后,是否会严格按照拜登执政时通过的《芯片与科学法案》执行支付补贴。两年前制定的《芯片与科学法案》目的是为吸引英特尔、美光、台积电和三星电子等全球知名半导体生产商在美国建立尖端芯片生产基地,当时这一法案在美国获得跨党派广泛支持。 法案中明示在2030年之前,全球五分之一的最先进处理器将在美国进行制造,但目前这一比例还约等于零。 特朗普在积极吸引半导体企业赴美投资的必要性上与拜登达成共识,但在方式上特朗普更倾向于“关税”这张王牌。 特朗普在10月出演一档电视节目时曾“炮轰”《芯片与科学法案》,他表示:“那个协议糟糕透顶,我们不应该给那些企业投入巨额资金,根本不需要出一分钱,只需把关税提高到足够高的水平,他们就会自动来美国建厂。” 即使政权更迭,单方面废除前政府制定的法案可能性较小,但根据此次决定,大部分补贴实际执行支付时期正是在特朗普执政期间(2025年1月至2029年1月),因此仍需进一步观察今后进展。 三星电子正在美国泰勒市兴建的晶圆代工厂用地。【图片提供 三星电子】
2024-12-21 19:33:20