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‘定制内存’新闻 2个
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GTC 2026:韩美AI联盟加速,英伟达、三星、SK海力士展开“内存三国志”在美国硅谷举行的GTC 2026大会上,围绕全球人工智能(AI)霸权的半导体企业战略竞争正式展开。英伟达、三星电子和SK海力士在下一代内存主导权上展开复杂的合作与竞争。此次活动不仅是技术发布会,更是英伟达全球供应链重组战略的试验场。同时,韩国内存企业也从传统的生产角色转变为设计阶段的战略伙伴。最引人注目的是黄仁勋的行动。他访问了SK海力士展台,并在下一代加速器模型上签名,强调合作。同时,他在主题演讲中公开提到三星参与其推理芯片的生产,显示出避免对单一企业依赖的意图。这一举动被解读为应对激增的AI半导体需求的战略选择。单一供应链依赖可能导致交货延迟和价格谈判力减弱。通过将三星电子纳入现有的台积电和SK海力士结构中,意图引导竞争格局。韩国企业也不再被动应对,而是积极争取主导权。崔泰源会长在现场提到高带宽内存(HBM)生产扩大的DRAM供应不平衡可能性,强调内存产业整体供需管理的重要性。三星电子则展示了设计、晶圆代工和封装整合的一站式生产能力,强调减少数据处理瓶颈和缩短交货时间,明确其差异化战略。特别是通过发布下一代HBM产品,展现了在技术主导权竞争中的优势。目前,AI半导体市场正从单一企业中心结构转向高互依性的合作体系。英伟达的GPU设计竞争力需要HBM技术的支持,反过来,三星电子和SK海力士也通过英伟达平台扩大高附加值市场。随着AI产业重心从学习转向推理,定制内存需求迅速增加。因此,不仅生产能力,设计和封装的整合能力也成为核心竞争要素。最终,此次GTC被视为展示全球AI半导体生态系统转向“竞争性合作”结构的舞台。在供应链主导权的微妙平衡中,韩国半导体产业的战略地位预计将进一步加强。
2026-03-18 19:03:47 -
三星电子全球首发量产HBM4,重夺半导体王座三星电子成功量产并出货被誉为“梦幻内存”的第六代高带宽内存(HBM4),成为全球首家。此前在HBM3E市场上失利的三星,凭借其卓越的技术实力,成功抢占第六代市场,重夺半导体王座。据业内消息,三星电子于12日开始量产出货性能最强的HBM4产品,预计将用于英伟达的下一代AI加速器“Vera Rubin”。◆ 宋在赫:“技术领先,展现三星实力”此次量产出货是此前一天信心的体现。三星电子设备解决方案(DS)部门首席技术官(CTO)宋在赫在11日首尔COEX举行的“半导体韩国2026”主题演讲前表示,客户对HBM4的反馈非常满意,并强调“技术上无可匹敌”。宋在赫表示,三星将继续在下一代HBM4E和HBM5中保持行业领先。他指出,三星在内存、代工和封装方面具备综合半导体企业(IDM)的优势,能够满足AI产品的需求。三星电子成功量产的HBM4突破了现有产品的限制,采用10纳米级第六代(1c)DRAM和自有4纳米工艺,数据处理速度达到国际半导体标准组织(JEDEC)标准8Gbps的146%,高达11.7Gbps,比前代HBM3E快22%。单栈带宽提升至3.3TB/s,容量达到36GB,未来计划扩展至48GB。值得注意的是,HBM4的“基底芯片”采用了4纳米工艺,开启了“定制HBM”时代。◆ SK海力士能否追赶?业内认为,三星的早期量产将成为HBM市场的“游戏规则改变者”。在HBM3E市场上,SK海力士占据主导地位,但在HBM4市场,三星凭借“一站式”解决方案取得优势。美国美光在进入英伟达HBM4供应链时遇到困难,而三星抢占了初期供应,未来在价格谈判和市场份额上占据有利地位。专家指出,三星通过HBM4的早期出货证明了其技术领导力,但实际量产的良品率稳定性将决定其能否独占英伟达等大客户的订单。※ 本报道经人工智能(AI)系统翻译与编辑。
2026-02-13 00:21:00
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GTC 2026:韩美AI联盟加速,英伟达、三星、SK海力士展开“内存三国志”在美国硅谷举行的GTC 2026大会上,围绕全球人工智能(AI)霸权的半导体企业战略竞争正式展开。英伟达、三星电子和SK海力士在下一代内存主导权上展开复杂的合作与竞争。此次活动不仅是技术发布会,更是英伟达全球供应链重组战略的试验场。同时,韩国内存企业也从传统的生产角色转变为设计阶段的战略伙伴。最引人注目的是黄仁勋的行动。他访问了SK海力士展台,并在下一代加速器模型上签名,强调合作。同时,他在主题演讲中公开提到三星参与其推理芯片的生产,显示出避免对单一企业依赖的意图。这一举动被解读为应对激增的AI半导体需求的战略选择。单一供应链依赖可能导致交货延迟和价格谈判力减弱。通过将三星电子纳入现有的台积电和SK海力士结构中,意图引导竞争格局。韩国企业也不再被动应对,而是积极争取主导权。崔泰源会长在现场提到高带宽内存(HBM)生产扩大的DRAM供应不平衡可能性,强调内存产业整体供需管理的重要性。三星电子则展示了设计、晶圆代工和封装整合的一站式生产能力,强调减少数据处理瓶颈和缩短交货时间,明确其差异化战略。特别是通过发布下一代HBM产品,展现了在技术主导权竞争中的优势。目前,AI半导体市场正从单一企业中心结构转向高互依性的合作体系。英伟达的GPU设计竞争力需要HBM技术的支持,反过来,三星电子和SK海力士也通过英伟达平台扩大高附加值市场。随着AI产业重心从学习转向推理,定制内存需求迅速增加。因此,不仅生产能力,设计和封装的整合能力也成为核心竞争要素。最终,此次GTC被视为展示全球AI半导体生态系统转向“竞争性合作”结构的舞台。在供应链主导权的微妙平衡中,韩国半导体产业的战略地位预计将进一步加强。
2026-03-18 19:03:47 -
三星电子全球首发量产HBM4,重夺半导体王座三星电子成功量产并出货被誉为“梦幻内存”的第六代高带宽内存(HBM4),成为全球首家。此前在HBM3E市场上失利的三星,凭借其卓越的技术实力,成功抢占第六代市场,重夺半导体王座。据业内消息,三星电子于12日开始量产出货性能最强的HBM4产品,预计将用于英伟达的下一代AI加速器“Vera Rubin”。◆ 宋在赫:“技术领先,展现三星实力”此次量产出货是此前一天信心的体现。三星电子设备解决方案(DS)部门首席技术官(CTO)宋在赫在11日首尔COEX举行的“半导体韩国2026”主题演讲前表示,客户对HBM4的反馈非常满意,并强调“技术上无可匹敌”。宋在赫表示,三星将继续在下一代HBM4E和HBM5中保持行业领先。他指出,三星在内存、代工和封装方面具备综合半导体企业(IDM)的优势,能够满足AI产品的需求。三星电子成功量产的HBM4突破了现有产品的限制,采用10纳米级第六代(1c)DRAM和自有4纳米工艺,数据处理速度达到国际半导体标准组织(JEDEC)标准8Gbps的146%,高达11.7Gbps,比前代HBM3E快22%。单栈带宽提升至3.3TB/s,容量达到36GB,未来计划扩展至48GB。值得注意的是,HBM4的“基底芯片”采用了4纳米工艺,开启了“定制HBM”时代。◆ SK海力士能否追赶?业内认为,三星的早期量产将成为HBM市场的“游戏规则改变者”。在HBM3E市场上,SK海力士占据主导地位,但在HBM4市场,三星凭借“一站式”解决方案取得优势。美国美光在进入英伟达HBM4供应链时遇到困难,而三星抢占了初期供应,未来在价格谈判和市场份额上占据有利地位。专家指出,三星通过HBM4的早期出货证明了其技术领导力,但实际量产的良品率稳定性将决定其能否独占英伟达等大客户的订单。※ 本报道经人工智能(AI)系统翻译与编辑。
2026-02-13 00:21:00