在美国持续收紧对华人工智能（AI）芯片出口管制背景下，中国科技企业正加快自主替代步伐。华为近日发布了新一代AI芯片“昇腾920”（Ascend 920），并计划于今年下半年正式投产。与此同时，去年推出的“昇腾910C”也将于下月开始大规模量产。 据业界23日消息，昇腾920将在中国半导体代工企业中芯国际（SMIC）的6纳米工艺上实现量产。该芯片的整体性能比上一代提升超过40%，其性能有望接近美国英伟达（NVIDIA）为中国市场定制的AI芯片“H20”。 分析人士指出，随着美国政府近期叫停H20芯片对华出口，华为新一代AI芯片的推出有望在中国市场上实现对英伟达的全面替代。 此外，华为还计划大规模生产此前推出的“昇腾910C”芯片。虽然性能略低于昇腾920，但凭借较高的性价比，预计将广泛应用于本土AI企业的中低端AI模型训练任务中。 伴随美国对华出口限制的不断升级，中国AI芯片产业的自主研发正在提速。与此同时，韩国半导体企业可能面临对华出口渠道受限的风险。 据了解，三星电子自去年起向英伟达H20芯片供应第四代高带宽内存产品HBM3，最新一批H20芯片则使用了SK海力士生产的第五代HBM3E（8层）产品。若中国市场对英伟达芯片需求持续下滑，韩国企业的HBM出口渠道将受到冲击。 尽管中国企业或可尝试通过第三方渠道绕过出口限制获取韩国HBM，但随着美国监管愈发严密，相关路径的现实可行性较低。 业内也有声音指出，中国本土半导体企业正在加速追赶。长鑫存储（CXMT）去年就比原计划提前两年开始量产第二代HBM2产品，未来或有望推出可用于AI芯片的高性能内存解决方案。 目前业界关注焦点之一，是华为是否会推出能替代英伟达下一代AI芯片“B20”的产品。B20原定于今年第二季度在中国市场推出，整体性能优于H20。 相关人士表示，“目前中国企业正在逐步将英伟达挤出本土AI芯片市场，韩国企业也应加快推进供应链多元化战略，降低对单一客户的依赖。” 【图片来源 韩联社】

在中美关税摩擦持续加剧的背景下，中共中央政治局常委、国务院副总理丁薛祥近日赴陕西调研，并视察了位于西安的三星（中国）半导体有限公司，引发各界广泛关注。分析认为，此举释放出中方希望深化中韩半导体产业合作、共同应对美方出口管制的明确信号。 据悉，丁薛祥于4月14日至16日赴陕西省开展调研工作，其间专程前往三星电子西安半导体工厂并与企业负责人座谈交流。丁薛祥是中共最高领导层成员之一，在党内排名第六，长期担任习近平总书记秘书，被普遍视为“习家军”核心成员之一，政治地位稳固，是未来国家重要领导人选之一。 丁薛祥现任中央科技委员会主任，全面统筹国家科技战略，亦是推动中国“半导体强国”战略的关键人物。在此次视察过程中，丁薛祥不仅考察了生产线运转情况，还就全球贸易形势发表讲话，批评美方对华加征关税及实施技术封锁等措施。 “对外开放是中国的基本国策，”丁薛祥表示，“面对日益抬头的保护主义，中国扩大高水平对外开放的决心更加坚定。关税战、贸易战不得人心，中国愿与各方深化合作、优势互补，实现互利共赢。” 三星电子西安工厂是该公司全球NAND闪存芯片生产的重要基地之一，目前拥有两条生产线，产能占全球总产量的四成以上。工厂目前正加快推进第八代（178层）和第九代（256层）NAND产品的量产布局。 业内人士指出，丁薛祥此行的重要意义，在于向外界释放中国将通过加强与包括三星在内的国际领先企业合作，积极应对美方新一轮半导体出口限制的明确信号。除三星工厂外，丁薛祥还视察了正泰智能电气西北产业园、隆基绿能科技股份有限公司、西北有色金属研究院、西北工业大学、陕西工业职业技术学院及中欧班列西安集结中心等多家重点机构，均为国家当前重点发展和扶持的战略性新兴产业相关单位。 “丁常委此次调研代表了党中央和习近平总书记的工作部署，其所到之处均体现出鲜明的政策导向。”一位业内人士表示，“此行也体现出中方希望加强与韩方产业协作、共同应对外部挑战的战略意图。” 据公开资料显示，自2019年国务院原总理李克强视察三星西安工厂以来，丁薛祥是首位到访该厂的中共中央政治局常委。此前一个月，习近平主席曾在北京出席中国发展高层论坛2025年年会，并会见三星电子会长李在镕，显示中方高层正密集向韩方传递深化合作的积极信号。 业内普遍认为，尽管中国已培育出长江存储（YMTC）、长鑫存储（CXMT）等本土存储芯片企业，但在高带宽存储（HBM）等关键领域，与三星、SK海力士等韩企仍存在一定技术差距。在美方不断加强对AI芯片出口限制的背景下，中方有意通过与韩企开展务实合作，稳固半导体产业链安全。 近期，美国前总统特朗普再度发声，呼吁拜登政府扩大对华技术出口限制措施，继英伟达专为中国市场定制的AI芯片“H20”被列入管控清单后，英特尔、AMD等厂商产品亦被纳入限制范围，中美科技领域竞争进一步升温。 三星半导体西安园区 【图片来源 三星电子中国】

中国半导体企业依靠政府的大力支援，在设备上投入超出营收的支出，尚未掌握尖端技术的情况下在通用半导体领域迅速追赶三星电子和SK海力士。日前，美国半导体产业协会（SIA）向美国贸易代表办公室（USTR）提交的意见书显示，中国纯晶圆代工企业的累计收入与资本支出（CAPEX）比率为112%，远超全球平均值33%。 SIA指出，还有中国企业的收入与资本支出比率高达119%，对此业内普遍认为是中芯国际（SMIC）。2023年中芯国际资本支出74.7亿美元，达到收入的118%。过去三年（2022至2024年），中芯国际的收入与资本支出比率平均为98.1%。相比之下，三星电子和SK海力士则分别仅为41.7%和27.1%。 中国企业能够进行如此大规模投资，主要原因在于政府的直接支援，包括补贴、优待融资和国产零部件优先政策。SIA估计，中国政府的半导体直接支援金额超过1000亿美元。此外，政府还通过国家集成电路产业投资基金推动半导体行业发展。 在政策支持下，中国半导体企业迅速成长。台积电在代工领域占据主导地位，中芯国际的市场份额也持续扩大。2022年第一季度三星电子全球市场份额为16.3%，中芯国际为5.9%，但去年第四季度差距缩小至2.6个百分点。 在存储半导体领域，市场调研机构集邦咨询（TrendForce）预计中国企业的市场份额或从去年的5%增至今年的10%。仅从晶圆产能来看，长鑫存储（CXMT）去年DRAM产能已经达到全球的约10%，目前尖端工艺方面差距尚存，但中国企业在通用半导体领域的市场份额持续提升。 2023年中国通用半导体在全球半导体出货量中占比高达88%，营收占比40%。美国政府正在考虑对中国通用半导体加征额外关税，以应对低价产品干扰市场的行为。SIA指出，中国在钢铁、太阳能、电动汽车等领域也采取类似策略，导致产能过剩、价格倾销和市场混乱。 实际上，美国的对华限制措施早在拜登政府时期就已经开始。去年12月，美国贸易代表办公室（USTR）根据《贸易法》第301条对中国半导体产业展开调查。今年1月，美国举行相关听证会，探讨是否对搭载中国半导体的进口产品征收关税。目前美国政府计划下月2日发表关税政策，中国通用半导体预计会包含在适用对象中。 韩国、美国和日本等半导体强国更加专注尖端技术竞争。三星电子和SK海力士正在减少通用产品比重，转向发展DDR5、LPDDR5等高附加值产品，代工领域竞争则集中在2至3纳米先进工艺上。中国企业正在利用通用半导体市场的收益来推动尖端技术研发，长鑫存储和中芯国际等企业在HBM和DDR5等领域的能力逐渐增强。 SIA认为，中国的最终目标是在通用半导体市场积累资金，进而在尖端领域挑战全球领先企业。祥明大学系统半导体工程系教授李钟焕表示，在中国企业不断追赶的情况下，韩国必须开发出压倒性的尖端技术才能保持竞争优势。 【图片来源 网络】

近日，业内分析认为，三星电子在存储半导体领域的技术领先优势正在迅速缩小。中国长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）正在加快技术追赶步伐，三星曾占据主导地位的NAND闪存市场也面临竞争压力。与此同时，三星在下一代存储产品的研发进展缓慢，部分业内人士认为其研发（R&D）和产品开发战略调整已迫在眉睫。 据业界27日消息，三星电子半导体（DS）部门在下一代产品及工艺开发方面面临困难。三星在400层级NAND闪存的量产过程中，决定采用长江存储的“混合键合（Hybrid Bonding）”技术专利。混合键合是一种不使用凸点（Bump），直接连接晶圆与晶圆的先进封装工艺。在尖端DRAM领域，三星正对10nm级第六代（1c）DRAM进行重新设计，而下一代10nm级第七代（1d）DRAM的研发进展也不顺利。 三星电子决定在400层级NAND闪存生产中采用长江存储的混合键合专利，这被视为长江存储在关键技术上已经占据上风。此前，长江存储在NAND市场的影响力较小。数据显示，截至2024年第三季度，三星电子在全球NAND市场的份额为35.2%，排名第一，SK海力士以20.6%排名第二，而长江存储的市场份额则低于5%。 然而，长江存储凭借混合键合技术迎头赶上。与三星和SK海力士主要改进现有堆叠工艺不同，长江存储过去几年专注于3D NAND的混合键合技术，并成功实现商业化。长江存储将这一技术命名为“Xtacking”，随着NAND堆叠层数进入400层级，传统工艺遇到了瓶颈，混合键合技术成为突破关键。相比之下，三星和SK海力士目前的量产NAND分别为286层和321层。 除了NAND市场，三星在DRAM领域的竞争力也受到冲击。三星最近决定对最先进的1c DRAM芯片进行重新设计，这一决定可能会导致市场布局延迟。 DRAM技术每提升一代，都会进一步缩小电路尺寸，提高性能并降低功耗。目前，三星、SK海力士和美光的市场竞争主要围绕1a和1b DRAM展开，而1c DRAM的研发被视为下一个关键战场。然而，由于重新设计1c DRAM需要耗费大量时间，包括重新绘制电路图、调整生产所需的光罩（Mask）等，市场竞争格局可能受到影响。美光公司已于本月25日（当地时间）宣布向客户提供1c DRAM样品，这意味着其在技术推进上已经领先于三星。 如果1c DRAM开发受阻，三星的第六代高带宽存储（HBM4）业务也将受到严重影响。三星在第五代HBM（HBM3E）市场中已被SK海力士超越，导致在AI半导体时代落后。为了扭转局势，三星计划在HBM4产品中采用1c DRAM技术，而SK海力士则计划在其HBM产品中采用1b DRAM。 此外，三星下一代1d DRAM的研发进展也不及预期。业内人士透露：“三星最初计划将1d DRAM的电路线宽缩小到10.3至10.4nm，但目前的技术条件下难以实现这一目标。” 随着中国存储芯片厂商的快速崛起，三星电子在NAND和DRAM领域都面临着巨大的挑战。未来，三星是否能够通过战略调整，重新夺回技术优势，仍需拭目以待。 【图片来源 韩联社】

中国凭借三轮高达6869亿元人民币的政府补贴，以及强劲的半导体内需，正在以惊人速度追赶韩国和美国等半导体强国。与韩国专注存储芯片不同，中国正在构建涵盖整个半导体生态系统的产业链。美国对7纳米以下制程所需的极紫外光（EUV）光刻机以及人工智能（AI）加速器所需的高带宽存储器（HBM）实施出口管制后，中国加快自主研发GPU和半导体设备，以减少对外依赖。 中国第一大DRAM企业长鑫存储（CXMT）快速扩大产能，导致韩国半导体产业遭到威胁。长鑫存储已量产17-18纳米制程的DDR4、LPDDR4X等主流DRAM，并成功投产12纳米级别的DDR5、LPDDR5X（低功耗存储）。2020年长鑫存储的晶圆月产量仅为4万片，但去年已增至20万片。相比之下，韩国的总月产量约为114万片（三星电子68万片，SK海力士46万片），由此可见长鑫存储正在迅速追赶。 此外，中国企业还通过低价策略引发存储芯片价格战。目前，中国制造的DDR4价格仅为韩国产品的一半，甚至比二手产品价格还低约5%。去年7月，通用PC DRAM产品（DDR4 8Gb 1Gx8）的固定交易均价为2.1美元，今年1月已降至1.35美元，跌幅高达35.7%。长鑫存储的DDR5早期良率仅为20%，但经过持续优化，目前已提升至80%。 NAND闪存领域的技术差距也正在迅速缩小。长江存储（YMTC）本月已开始量产294层NAND闪存，而SK海力士和三星电子分别量产321层和286层产品。存储芯片的层数决定存储容量和密度，是关键竞争指标，中国企业已逼近韩国。长江存储受美国制裁无法获得荷兰ASML的EUV设备，导致产品在质量和稳定方面落后，但业内普遍认为，韩国企业仅能依靠在高端NAND市场的差异化竞争力来保持领先地位。 与韩国高度依赖出口不同，中国国内IT企业大规模采购本土芯片。华为早在2004年成立海思半导体，并成功研发自主应用处理器（AP）麒麟9000s，该芯片由中国晶圆代工厂中芯国际（SMIC）采用7纳米制程代工，最终用于华为Mate 60 Pro智能手机。华为在过去十年间已投入约1.2万亿元人民币进行半导体研发。 目前，业界对中国半导体技术水平评价不一。汉阳大学融合电子工程学系教授朴在勤表示，中国持续扩展DRAM和NAND市场份额，在主流市场凭借政府补贴的低价策略占据优势，韩国企业必须向高端市场转型，以确保竞争力。韩国产业研究院专家金杨澎（音）则认为，中国在主流市场的低价竞争扰乱半导体市场秩序，但韩国企业的整体竞争力尚未受到致命威胁。 实际上，中国针对韩国的高端芯片也已经发起挑战。目前，韩国企业在HBM市场占据主导地位，成为英伟达、超威等AI芯片巨头的主要供应商。中国则集中力量研究HBM带宽优化技术，以提升数据传输速率。汉阳大学教授白瑞仁（音）指出，韩国的研发侧重硬件制造，而中国则更加注重系统级应用，未来中国提升HBM领域的研发能力后，全球HBM市场格局可能发生变化。 面对美国的半导体设备出口管制，中国加快推进设备国产化。上海微电子已实现90-28纳米级别光刻机量产，并启动7纳米以下EUV光刻机研发。北方华创（NAURA）主攻刻蚀与沉积设备，中微半导体则研发等离子刻蚀设备。去年中国半导体设备国产化率目标为40%，多数研发资金来自国家集成电路产业投资基金。相比之下，韩国尚无光刻机制造能力。 【图片来源 GettyImagesBank】

继DRAM之后，中国存储芯片企业长鑫存储（CXMT）有望进军技术门槛更高的高带宽存储器（HBM）市场，这一动向让韩国存储芯片双雄三星电子与 SK海力士倍感压力。 尽管美国对华制裁仍在持续，但长鑫存储仍在快速提升技术实力。业内担忧，如果长鑫存储不仅继续扩大传统DRAM生产，还加速量产先进HBM产品，未来数年内，韩国存储半导体产业或将受到严重冲击。 据相关业界12日消息，长鑫存储正在为第二代HBM产品——HBM2进行设备投资。早在2016年，三星电子和SK海力士就已开始量产HBM2，尽管长鑫存储在时间上落后近10年，但由于HBM2规格已趋于标准化，业内专家认为中国厂商在该领域的研发进程可能会大幅加快。 半导体行业相关人士表示：“从技术研发速度来看，中国企业正迅速追赶韩国企业，这已经是不争的事实。与DRAM和NAND闪存相似，较旧的HBM由于设计已标准化，开发周期大幅缩短。但关键仍在于能否在1至2年内掌握稳定的量产技术。” 值得关注的是，长鑫存储在2020年后技术进步明显加快。根据中国市场研究机构前瞻产业研究院的数据，2020年中国国产DRAM在全球市场的占有率仍为0%，但截至2024年已上升至 5%。过去，韩国半导体业内普遍认为中国企业要实现DRAM量产至少需要10年以上，但现实发展速度已远超预期。 长鑫存储近期不仅在DDR4 DRAM领域站稳脚跟，还在DDR5研发上取得突破，引发市场对其未来大规模量产的担忧。市场调查机构TechInsights指出，长鑫存储生产的DDR5 DRAM关键制程线宽已接近三星电子和SK海力士，表明中韩两国企业在技术层面的差距正迅速缩小。 面对中国企业的快速崛起，三星电子和SK海力士正处于重要的战略决策节点。两家公司在DDR4 DRAM市场已受到中国企业低价竞争的冲击，而对未来 5 年的市场走势同样感到不安。 韩国KAIST（韩国科学技术院）电气电子工程系特聘教授柳会峻表示：“中国企业已经具备在三星、SK海力士推出新产品1年左右就能开发出样品的能力，但在大规模量产方面仍可能面临技术障碍。” 柳会峻指出，在标准化存储芯片市场，中国企业凭借成本和产能优势，韩国企业很难与之展开价格战，因此必须转变业务模式，拓展产品组合，以保持竞争力。他建议三星和SK海力士应聚焦于内存内处理（PIM）、计算快速链接（CXL）等定制化存储技术，以此寻找突破口。 他进一步解释道：“PIM本质上是‘定制化DRAM’，需要与客户建立紧密的合作伙伴关系，同时与工艺技术深度结合，而这正是韩国企业的优势所在。目前全球半导体市场正掀起人工智能（AI）热潮，韩国存储厂商可以通过PIM等定制化存储产品，在AI终端设备市场开拓新的增长机会。” 【图片来源 长鑫存储】

近日，在三星集团旗下第一毛织与三星物产两家公司合并案及非法继承案的二审中，法院宣判三星电子会长李在镕无罪。耗时长达十年，李在镕终于成功摆脱司法纠葛，可以全身心投入企业经营。然而，从产业竞争的角度来看，李在镕目前依旧面临诸多亟待解决的难题，高带宽存储器（HBM）、10纳米级第六代（1c）DRAM、传统产品减产以及晶圆代工等领域任务繁重。 3日下午，在首尔高等法院，三星电子会长李在镕在不当合并与会计造假案二审中接受无罪宣判后走出法院。【图片来源 韩联社】 早在去年10月三星电子发布第三季度财报当天，《首尔经济》就报道称，三星HBM已经用于英伟达的A100等低端人工智能（AI）GPU。当时，三星HBM处于“风险量产（Risk Production）”阶段，但已经满足准量产供应标准。后续由于未能完全满足英伟达的要求，供应未能进一步扩大。 业内普遍认为，一旦进入风险量产阶段，就可以看作通过质量认证。因此，在去年第三季度业绩发表中，三星电子暗示HBM3E认证取得重要进展，并预计第四季度HBM3E销量还会扩大。目前来看，三星HBM3E 8层产品依旧面临技术和市场挑战，而SK海力士的HBM3E 12层产品已经通过认证，也难以打入英伟达供应链。 在今年1月的去年第四季度业绩发表中，三星表示即将推出“改进版HBM3E”以实现突破。三星电子副社长金宰俊表示，计划今年第一季度末向部分客户供应HBM3E改进产品，并在第二季度开始大规模供应。由此可见，三星正在重新设计HBM架构，并改进生产工艺中的关键材料和设备。今年行业趋势聚焦12层HBM，因此三星也有可能把更多资源集中在该产品上。 三星电子平泽工厂全景【图片来源 三星电子】 三星电子正在开发的1c DRAM原计划于今年5月获得量产批准，但最新消息显示，开发过程中进行大幅架构调整导致进度有所放缓，该目标或推迟至今年下半年。1c DRAM对于三星来说意义重大，竞争对手SK海力士已在去年完成1c DRAM开发并启动量产，而作为全球DRAM市场龙头的三星，产品推进速度稍显落后。 此外，DRAM芯片的开发进度与HBM业务息息相关。预计年底量产的HBM4计划首次采用1c DRAM。因此，相较封装方式，HBM的核心性能更取决于单颗DRAM芯片的质量。1c DRAM性能必须达到预期，才能确保封装后的整体芯片表现。 目前，IT设备需求复苏缓慢，存储芯片市场依旧低迷。三星在业绩发表中表示，标准产品价格出现下滑，今年第一季度DRAM销量预计会减少5%以上。与此同时，长鑫存储（CXMT）等中国存储芯片企业正在加大低价产品攻势。部分证券机构预测，HBM和通用存储业务面临困境，三星设备解决方案（DS）部门第一季度可能出现亏损。 为应对挑战，三星计划提高高端DRAM的生产比例，以避开低价竞争并提高利润。据市场调研机构集邦咨询（TrendForce）去年12月发布的报告，三星正在加快先进制程转换，今年第一季度DRAM晶圆投片量预计从去年第四季度的68万片减少到66万片，10纳米级第五代（1b）DRAM的生产比例预计从去年年底的7%提升至今年的31%。 与此同时，传统DRAM产品比例即将大幅下降。去年占比最高的10纳米级第三代（1z）产品逐渐退出市场主导地位，而第二代（1y）产品的市场份额也会降至个位数。在NAND闪存领域，三星计划减少传统产品产量，第一季度加速转向V8（236层）、V9（286层）NAND产品，并扩大大容量QLC产品销售。 晶圆代工业务方面客户订单减少，三星今年的投资策略则更为保守。三星去年在晶圆代工业务上的资本支出约为10万亿韩元（约合人民币503亿元），而今年预计大幅缩减至5万亿韩元。三星计划在今年上半年完成2纳米制程投资，但在3纳米及以下制程上并无产能扩张计划。去年第四季度业绩发表中，三星更新2纳米制程规划，第一代2纳米计划在2025年量产，第二代在2026年量产，目前已经启动客户芯片设计。 从左至右依次为三星电子会长李在镕、OpenAI首席执行官（CEO）萨姆·奥尔特曼（Sam Altman）和软银集团总裁孙正义。【图片来源 韩联社】 整体来看，三星半导体业务面临严峻挑战，但李在镕的司法风险解除，得以全面推进经营战略。二审宣判无罪的次日，李在镕立刻在三星瑞草总部接待OpenAI首席执行官（CEO）萨姆·奥尔特曼（Sam Altman）和软银集团总裁孙正义，展现掌门人的影响力。 这场会晤不仅暗示三星可能参与投资总额高达5000亿美元的AI项目“星际之门”，同时在HBM、高端DRAM和晶圆代工领域可能迎来扭转颓势的契机。在与全球顶级科技企业建立紧密合作的同时，李在镕能否通过稳健的组织管理，解决三星半导体当前面临的技术与订单挑战，值得持续关注。

中国半导体代工企业中芯国际（SMIC）在今年第三季度实现季度历史最高业绩，营收同比增长34%，达到21.7119亿美元，营业利润同比飙升94%，达1.6989亿美元，展现了中国半导体产业的迅速崛起。 与此同时，DRAM制造商长鑫存储（CXMT）和福建晋华通过大幅下调DDR4产品价格，在国际市场上展开激烈竞争。据行业分析，其产品价格比三星电子和SK海力士便宜50%，甚至低于二手半导体价格。 ▲中国企业在高端半导体领域快速追赶 10年前，中国几乎没有值得注意的半导体企业，但如今，凭借庞大的国内市场和政府强有力的政策支持，包括中芯国际、长江存储（YMTC）、长鑫存储、海思（HiSilicon）以及紫光展锐（Unisoc）在内的中国企业正在迅速崛起，对韩国、中国台湾以及美国主导的全球半导体市场格局发起冲击。 特别值得注意的是，这些企业正在积极吸引来自韩国和中国台湾的半导体高端人才。据悉，中芯国际近年来已成功挖掘多名台积电（TSMC）的核心研发人员和工艺工程师，并通过这一方式克服了美国出口限制，去年成功开发了7纳米工艺。业内人士指出，这一工艺与台积电在2018年至2019年推出的第一代7纳米工艺非常相似。 尽管中芯国际在良率和尖端工艺方面仍存在差距，但相较于成立初期，它已大幅缩小技术落差。数据显示，2013年三星电子向20纳米工艺转型时，中芯国际仍停留在40纳米工艺。 ▲未来10年或成为全球重要竞争者 专家预测，在未来10年内，中国代工企业有望在10纳米以上中端工艺领域，将市场份额扩大至目前的2至3倍。若能通过持续盈利和政府支持进行大规模投资，中芯国际可能在10年内缩小与台积电的差距，甚至在2030年代中期具备直接竞争能力。 此外，中芯国际正在效仿三星电子的业务模式，从代工扩展至内存业务，目标成为IDM（垂直整合半导体制造）企业。2018年，中芯国际通过政策资金成立了内存子公司SGS半导体，并大批吸纳三星电子和SK海力士的工程师，积极研发DRAM产品。 ▲中国企业在内存市场发力 根据集邦咨询（TrendForce）数据，今年第二季度全球代工市场份额中，台积电占62.3%，三星电子占11.5%，中芯国际占5.7%。在内存领域，长鑫存储和其他中国企业通过价格战逐步占据DDR4市场，并着力推进DDR5量产。 数据显示，2020年长鑫存储的月晶圆产量仅为4万片，而目前已提升至20万片，跃居全球第四。摩根士丹利预计，长鑫存储今年的DRAM市场份额将首次突破10%。 业内人士认为，中国DRAM企业与国际巨头的技术差距正迅速缩小。目前，长鑫存储与三星电子的技术差距已缩短至1.5年以内，而长江存储在NAND领域与领先企业的差距也压缩至1年以内。 ▲市场担忧中国低价策略冲击全球格局 集邦咨询预计，由于中国的扩产，明年DRAM产量将比今年增长25%。 尽管技术进步显著，中国企业在全球市场上的低价策略引发担忧。特别是在28纳米以上的成熟工艺领域，中国企业凭借价格优势逐渐扩大市场份额，这些产品广泛应用于家电、汽车及工业设备领域，占全球半导体总需求的75%。 业内人士表示：“为了节约成本，越来越多企业选择中国半导体产品。这种趋势如果持续下去，可能会彻底改变现有的市场格局。” 【图片来源 网络】

特朗普第二任期即将开启，美国对华制裁政策预计会进一步加强。中国存储芯片企业开始掀起低价供应攻势，并大幅提升旧型内存芯片产量。市场分析认为，中国DRAM代表企业长鑫存储（CXMT）或在两年内赶上三星电子和SK海力士，跻身全球第三大存储芯片企业。 据台媒DIGITIMES18日报道，目前市场上中国内存厂商的消费级DDR4产品价格仅为三星、SK海力士和美光全球三大DRAM企业的一半左右，甚至比二手产品还低约5%。中国内存企业在政府补贴的支持下，加速推进大规模低价供应战略，旨在特朗普新政府上任前大力开拓海外市场。 相关预测显示，中国DRAM龙头企业长鑫存储的生产能力（以晶圆计算）或从两年前的每月7万片激增至今年底的20万片。北京和合肥扩建工厂完工后，长鑫存储每月产能预计达到30万片。摩根士丹利近日发布报告称，2026年长鑫存储或超越美光，占据全球DRAM市场第三的位置。此外，2018年受到美国制裁的福建晋华（JHICC）也正在量产DDR4，并计划提升每月产能至10万片以上。 面对中国的低价攻势，三星电子和SK海力士选择减少旧型工艺DRAM的生产，专注高附加值产品的先进工艺。三星电子在近期的海外企业说明会上表示，计划减少DDR4和LPDDR4的市场暴露，优先考虑利润而非市场份额。 SK海力士同样以技术优势应对中国的价格竞争。SK海力士在上月发表的第三季度财报中指出，随着中国厂商供货的增加，DDR4和LPDDR4等旧型产品市场竞争愈发激烈，对此计划快速缩减旧型产品，集中力量开发高性能的DDR5和LPDDR5等高端产品。 市场普遍认为，如果特朗普新政府上台后中国全力推动半导体发展，传统内存巨头的竞争优势可能受到威胁。市场调研机构TechInsights数据显示，中国半导体自给率已经从2014年的约14%提高到去年的23%，预计2027年达到27%。为扶持半导体行业，中国国家集成电路产业投资基金在今年5月扩张至3440亿元人民币。 业内人士表示，中国半导体企业有政府支援，因此亏本销售也无所顾虑。以长鑫存储为代表的企业正在筹备DDR5量产，如果中国内存企业继续扩大供应规模和技术实力，与传统巨头企业的差距可能会比预期更快缩小。 韩国对外经济政策研究院研究员金赫中（音）则分析称，对华出口尖端设备的管制可能会在一定程度上延缓中国内存企业的追赶速度，但特朗普政府上台后，中国政府对长鑫存储等企业的资金支持会大幅增加，半导体竞争力或进一步提升。 【图片来源 GettyImagesBank】

自2016年成立以来，中国半导体企业长鑫存储（CXMT）在全球内存DRAM市场上的影响力持续扩大，业内对其未来占据更大市场份额的期待不断提升。 据市场调研机构集邦咨询（TrendForce）预计，2024年全球DRAM生产量（按比特计算）将同比增长25%，其中长鑫存储快速扩张的供应量成为主要推动力之一。 自2020年以来，长鑫存储月产能从4万片晶圆迅速提升至16万片，跻身全球DRAM产能排名第四。预计到2024年，中国企业在全球DRAM生产增幅中的贡献将达4个百分点。业内分析指出，长鑫存储的快速崛起在内存行业内属于罕见现象，因为在技术壁垒较高的市场中，后来者通常难以迅速缩小差距。 野村证券预计，长鑫存储的月产能在2024年有望进一步提高至30万片。而摩根士丹利分析认为，今年长鑫存储的DRAM产量将占全球总量的10%以上，并有可能在2026年超越美光科技（Micron），跻身全球第三大内存芯片制造商。 目前，中国生产的DRAM主要集中在DDR4和LPDDR4等旧款产品上。然而，由于中国制造的DRAM大量涌入市场，旧款产品的价格竞争力正逐步下滑，导致市场价格持续走低。全球DRAM市场的领军企业三星电子罕见地发出声明，称其业绩受到中国内存企业大量供应旧款产品的影响。 与此同时，市场担忧中国DRAM的过剩供应可能波及到DDR5、LPDDR5X等高端产品市场。业内人士分析，PC和服务器市场上，DDR5与DDR4的需求比例已达到6:4，新一代产品的替代速度正在加快。这主要归因于三星电子和SK海力士等韩国企业集中生产和销售DDR5，试图避开中国旧款DRAM的低价竞争。作为高端产品，DDR5的价格约比DDR4高出30%。 尽管业内普遍认为，长鑫存储与韩国企业在技术上存在5年以上的差距，但随着中国内存企业的强势进军，市场对长鑫存储未来量产DDR5的前景保持高度关注。有观点认为，随着三星电子、SK海力士和美光等全球三大内存巨头将产能集中于DDR5领域，原本供需紧张的DDR5市场也可能面临新的挑战。 集邦咨询分析称，预计旧款DRAM的供应将以中国企业为主，持续增加。由于供给量的扩大，2024年DRAM市场将承受较大的价格下行压力，行业分析认为，在供过于求的情况下，DRAM价格或将进一步下滑。 【图片来源 长鑫存储】