主页搜索
搜索
选择时间
搜索范围
全部的
‘韩国化学研究院’新闻 2个
-
KAIST解决三维存储难题，提高AI半导体性能并降低功耗KAIST研究团队开发了一种新型存储器件技术，能够提高AI半导体的性能并降低功耗。该技术解决了三维结构中长期存在的缺陷问题。 KAIST于20日宣布，电气与电子工程系的权志敏教授研究团队与UNIST、延世大学等国内研究人员共同开发了一种新型多层绝缘膜结构，能够减少氧化物垂直通道晶体管（VCT）的缺陷，并显著提高其性能和稳定性。 在过去几十年中，DRAM技术不断缩小器件尺寸，以便在相同面积内存储更多数据并降低功耗。然而，随着半导体在平面上不断缩小，物理极限逐渐逼近，三维结构的集成度受到关注。 VCT是一种将电流通道设置为垂直方向的器件，能够在有限的面积内布置更多的器件，有利于实现高集成度存储。使用氧化物半导体作为通道材料，可以大幅减少电流泄漏现象。 问题在于氧化物半导体内部存在的“氧空位”现象。当这些空位增多时，半导体的电气特性会发生变化，导致器件难以稳定工作。盲目增加氧气供应会导致氧气迁移至金属电极，造成电极氧化，从而降低性能，因此需要精确控制氧气的迁移。 研究团队为了解决这一问题，开发了一种由氮化硅·二氧化硅·氮化硅（SiN·SiO₂·SiN）组成的新型多层绝缘膜。该绝缘膜不仅用于电气隔离，还作为“氧气隧道”调节氧气的迁移，允许氧气向氧化物半导体方向移动，同时抑制其向不应氧化的电极方向的迁移。 最终，研究团队在氧化物VCT领域实现了世界领先的电流流动和数据保持时间。在对器件施加超过1000万次（10⁷）的操作压力后，阈值电压变化保持在50毫伏（mV）以下，验证了高操作稳定性。此外，研究团队还实现了将传统硅基CMOS半导体与新型氧化物半导体结合的技术，以评估系统性能。 该技术预计将突破存储器与处理器分离的传统结构限制，提升在存储器内部或相邻位置进行运算的计算内存（CIM）技术的性能。 权志敏教授表示：“就像建高层建筑不仅要增加楼层数，还要确保建筑的稳定性一样，三维半导体的关键在于在增加层数的同时确保其稳定运行。此次技术有望加速下一代存储半导体的开发，提高AI运算速度并降低功耗。” 本研究的第一作者为KAIST的具煥浩研究员，通讯作者为李永宇·郑学顺博士和权志敏教授。UNIST、延世大学、韩国化学研究院、首尔科技大学和首尔大学的研究团队也参与了共同研究。 研究结果于5月20日发表在材料科学领域的国际学术期刊《先进功能材料》上，并因其学术重要性和独创性被选为封面论文。 ※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-08-20 17:28:00 -
研究员因挪用研究经费被解雇，金额超过一亿韩元科学技术信息通信部下属的政府出资研究机构一名研究员因使用研究经费卡和法人卡约一亿韩元于娱乐场所等私人用途而被审计发现。该研究员已收到解雇通知，研究院方面已启动追缴和处分程序。 根据国家科学技术研究会审计委员会于14日公开的韩国化学研究院特别审计报告，化学研究院的A研究员自去年4月至12月期间，利用研究经费卡和法人卡共141次私用9672万2240韩元。 研究经费不得用于个人用途，且禁止在娱乐场所等清洁卡限制行业消费及购买购物卡。然而，A研究员利用娱乐场所通过支付代理公司处理卡支付的方式，规避了清洁卡的限制。 还发现了利用购物卡购买网站和通信公司小额支付的所谓“卡片洗钱”情况。A研究员购买购物卡后，将其现金化，转账至娱乐场所或用于个人债务偿还，私用研究经费。 化学研究院规定，研究人员使用卡后需在10天内处理支出决议并说明使用用途。但该程序并非强制规定，A研究员被认为在年末之前推迟支出决议，隐瞒使用记录。随后，支出决议的延迟在内部被指出为问题，非法使用的事实被揭露。 审计委员会认为A研究员的行为严重扰乱了会计秩序，已通知其解雇，并请求相关调查。 化学研究院对此审计结果表示认可，并表示将全额追缴使用金额，改善业务处理程序，加强成员培训，以防止再发。A研究员也表示对审计结果没有异议，并愿意全额偿还私用金额。 化学研究院相关人士表示：“随着审计结果的公布，已成立纪律委员会，并向法院申请追缴措施。同时，设立了若在11天内未完成卡片支出决议的制度，将停止使用卡片。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-05-14 18:08:43
-
KAIST解决三维存储难题，提高AI半导体性能并降低功耗
KAIST研究团队开发了一种新型存储器件技术，能够提高AI半导体的性能并降低功耗。该技术解决了三维结构中长期存在的缺陷问题。 KAIST于20日宣布，电气与电子工程系的权志敏教授研究团队与UNIST、延世大学等国内研究人员共同开发了一种新型多层绝缘膜结构，能够减少氧化物垂直通道晶体管（VCT）的缺陷，并显著提高其性能和稳定性。 在过去几十年中，DRAM技术不断缩小器件尺寸，以便在相同面积内存储更多数据并降低功耗。然而，随着半导体在平面上不断缩小，物理极限逐渐逼近，三维结构的集成度受到关注。 VCT是一种将电流通道设置为垂直方向的器件，能够在有限的面积内布置更多的器件，有利于实现高集成度存储。使用氧化物半导体作为通道材料，可以大幅减少电流泄漏现象。 问题在于氧化物半导体内部存在的“氧空位”现象。当这些空位增多时，半导体的电气特性会发生变化，导致器件难以稳定工作。盲目增加氧气供应会导致氧气迁移至金属电极，造成电极氧化，从而降低性能，因此需要精确控制氧气的迁移。 研究团队为了解决这一问题，开发了一种由氮化硅·二氧化硅·氮化硅（SiN·SiO₂·SiN）组成的新型多层绝缘膜。该绝缘膜不仅用于电气隔离，还作为“氧气隧道”调节氧气的迁移，允许氧气向氧化物半导体方向移动，同时抑制其向不应氧化的电极方向的迁移。 最终，研究团队在氧化物VCT领域实现了世界领先的电流流动和数据保持时间。在对器件施加超过1000万次（10⁷）的操作压力后，阈值电压变化保持在50毫伏（mV）以下，验证了高操作稳定性。此外，研究团队还实现了将传统硅基CMOS半导体与新型氧化物半导体结合的技术，以评估系统性能。 该技术预计将突破存储器与处理器分离的传统结构限制，提升在存储器内部或相邻位置进行运算的计算内存（CIM）技术的性能。 权志敏教授表示：“就像建高层建筑不仅要增加楼层数，还要确保建筑的稳定性一样，三维半导体的关键在于在增加层数的同时确保其稳定运行。此次技术有望加速下一代存储半导体的开发，提高AI运算速度并降低功耗。” 本研究的第一作者为KAIST的具煥浩研究员，通讯作者为李永宇·郑学顺博士和权志敏教授。UNIST、延世大学、韩国化学研究院、首尔科技大学和首尔大学的研究团队也参与了共同研究。 研究结果于5月20日发表在材料科学领域的国际学术期刊《先进功能材料》上，并因其学术重要性和独创性被选为封面论文。 ※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-08-20 17:28:00 -
研究员因挪用研究经费被解雇，金额超过一亿韩元
科学技术信息通信部下属的政府出资研究机构一名研究员因使用研究经费卡和法人卡约一亿韩元于娱乐场所等私人用途而被审计发现。该研究员已收到解雇通知，研究院方面已启动追缴和处分程序。 根据国家科学技术研究会审计委员会于14日公开的韩国化学研究院特别审计报告，化学研究院的A研究员自去年4月至12月期间，利用研究经费卡和法人卡共141次私用9672万2240韩元。 研究经费不得用于个人用途，且禁止在娱乐场所等清洁卡限制行业消费及购买购物卡。然而，A研究员利用娱乐场所通过支付代理公司处理卡支付的方式，规避了清洁卡的限制。 还发现了利用购物卡购买网站和通信公司小额支付的所谓“卡片洗钱”情况。A研究员购买购物卡后，将其现金化，转账至娱乐场所或用于个人债务偿还，私用研究经费。 化学研究院规定，研究人员使用卡后需在10天内处理支出决议并说明使用用途。但该程序并非强制规定，A研究员被认为在年末之前推迟支出决议，隐瞒使用记录。随后，支出决议的延迟在内部被指出为问题，非法使用的事实被揭露。 审计委员会认为A研究员的行为严重扰乱了会计秩序，已通知其解雇，并请求相关调查。 化学研究院对此审计结果表示认可，并表示将全额追缴使用金额，改善业务处理程序，加强成员培训，以防止再发。A研究员也表示对审计结果没有异议，并愿意全额偿还私用金额。 化学研究院相关人士表示：“随着审计结果的公布，已成立纪律委员会，并向法院申请追缴措施。同时，设立了若在11天内未完成卡片支出决议的制度，将停止使用卡片。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-05-14 18:08:43
