中国半导体追赶加剧，韩国需全力维护竞争优势
中国半导体的追赶势头不容小觑。创芯存储（CXMT）预计今年第三季度的收入将比去年同期增长超过六倍，并预告将实现大规模盈利。长江存储（YMTC）则通过自主技术提升了其NAND闪存的竞争力。中国企业在巨额资本和政府支持的推动下，正在同时提升生产能力和技术水平，威胁到韩国半导体的优势地位。 根据中国媒体报道，CXMT预计今年第三季度的收入将达到1147亿至1197亿人民币，约合22900亿至23900亿韩元。与去年同期相比，增幅达到589%至619%。虽然AI产业的扩展导致了内存价格上涨和供应短缺，但生产设施的扩充和工艺改进也显著提高了每片晶圆的产量和设备利用率。CXMT将把获得的资金和收益投入到进一步的投资中，以缩小与韩国企业的差距。 技术追赶的速度也在加快。CXMT正在加速开发下一代DRAM和低功耗内存，目标包括服务器产品。YMTC也在不断发展其独特的堆叠技术“X堆叠”，在高集成三维NAND闪存市场中扩大市场份额。尽管在先进内存的良率、量产稳定性和客户认证等方面仍面临挑战，但我们不能保证当前的技术差距将持续下去。如果中国的资本实力、内需市场和政策支持相结合，追赶的速度可能会进一步加快。 然而，没有理由对未来感到悲观。韩国半导体产业能够达到今天的地位，正是克服了后发者的局限。1980年代，面对主导全球内存市场的日本企业，韩国企业持续进行巨额设备投资和研发。尽管在技术和资本上处于劣势，但在经济低迷时期依然没有停止投资，专注于下一代产品和生产工艺。最终，韩国超越日本，掌握了全球内存市场的主导权。 危机在此后也不断重演。外汇危机、全球金融危机和内存价格暴跌威胁着企业的生存。2019年，日本对半导体材料的出口限制暴露了核心材料和设备供应链的脆弱性。韩国企业和政府通过多元化供应来源、国产化和研发投资进行了应对。虽然所有脆弱性尚未得到解决，但外部压力促使他们重新审视供应链并加强技术自主。SK海力士在高带宽内存（HBM）市场提升了竞争力，三星电子则将力量集中在下一代内存的开发上，这也是不断自我强化的结果。 应该将中国的追赶视为新的飞跃契机。在HBM和下一代DRAM领域保持技术差距的同时，也要维护通用内存的成本竞争力。加强先进封装和设计、制造合作，扩大材料、设备生态系统和半导体人才基础也是当务之急。政府需要扩充电力和水资源等生产基础设施，并支持研发和人才培养。还需减少制度性不确定性，以确保企业的大胆投资能够真正转化为技术创新和生产力提升。 轻视中国的增长是危险的，但仅仅因为竞争对手的崛起就认为韩国的竞争力会崩溃也是过于草率。韩国半导体在经历了无数危机和挑战后，积累了技术实力、生产经验和全球客户基础。韩国半导体之所以能够登上世界巅峰，并不是因为没有竞争对手，而是因为每当强有力的挑战者出现时，他们都能自我锤炼，超越极限。现在，他们仍需证明自己的实力。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-10-19 02:28:00
