三星电子与SK海力士加强全球合作以保持内存技术领先
三星电子与SK海力士正在加强与全球半导体企业的合作，以保持下一代内存技术的主导地位。他们不仅仅是抢先获得最新设备，而是积极参与技术开发和标准制定。这意味着，保持内存技术的领先竞争舞台已从单个企业的制造能力扩展到整个全球半导体生态系统。 三星电子参与了ASML主导的大型掩模财团，开始将已成为微细工艺标准的6英寸光掩模（在晶圆上刻画电路图案的模具）扩大到12英寸。同时，三星电子正在推动在2028年量产的先进DRAM中首次应用高-NA EUV技术。SK海力士也设定了在2028年DRAM量产中应用高-NA EUV的目标，并正在考虑参与12英寸掩模相关财团。 高-NA EUV是一种能够实现比现有EUV更细电路的下一代光刻技术。结合大型掩模后，可以提高生产效率并降低制造成本。ASML与台积电计划在2031年前建立12英寸掩模的试生产线，并在2033年前完成正式量产的准备。三星电子与SK海力士的早期参与不仅仅意味着设备的引入，更是希望在未来半导体制造的标准和规范制定过程中发挥主导作用。 韩国半导体在全球制造竞争力方面无疑处于最高水平。DRAM和HBM等内存领域积累的工艺技术和量产经验是其他国家难以追赶的。然而，考虑到中国的追赶势头，我们不能掉以轻心。CXMT和YMTC等中国内存企业在巨额政府支持的基础上，迅速提升生产能力和技术水平。尽管目前与韩国之间仍存在技术差距，但中国凭借庞大的内需市场正在积累竞争力，这一点需要警惕。 更重要的是，半导体竞争的性质正在发生变化。在人工智能时代，仅仅做好内存已无法维持竞争力。先进的光刻设备、材料与部件、设计、代工、先进封装、软件与人工智能企业需要形成一个完整的生态系统。尤其是与开发AI半导体的大型科技公司合作，已不再是选择，而是必需。 未来，我们不仅要满足大型科技公司对HBM和下一代内存的供应需求，还需从产品开发初期就共同设计，合作开发新的内存和封装技术。我们必须超越客户与供应商的关系，成为共同创造技术的合作伙伴。 政府也应积极支持我们的企业在全球合作网络中占据中心地位，推动研发和人才培养。同时，尽快整顿法规，以确保国内投资不被拖延。虽然政府无法替企业创造竞争力，但营造一个可以竞争的环境是政府的责任。 内存技术的领先地位并非永恒的权利。技术变化迅速，竞争者不断追赶。现在，保持技术差距的方法也需要改变。三星电子与SK海力士必须在保持全球最佳制造竞争力的同时，与ASML、台积电及大型科技公司等全球领先企业紧密连接技术生态。与其单独领先，不如共同塑造技术方向的企业更能长久生存。
2026-09-10 00:04:20
