SK海力士的美国子公司索利达姆计划最早于明年在美国证券市场进行首次公开募股（IPO）。上市时预计将筹集最多150亿美元（约20万亿韩元）的新资金。 路透社于25日报道，索利达姆最近与主要全球投资银行召开了关于选择IPO承销商的提案会议。索利达姆的企业价值预计将达到1500亿美元（约204万亿韩元）。如果上市成功，将成为2023年ARM或今年的Cerabras上市以来规模最大的半导体IPO。 索利达姆成立于2021年，当时SK海力士以约90亿美元（约10万3千亿韩元）收购了英特尔的NAND闪存和固态硬盘（SSD）业务部门。收购初期，由于内存市场低迷和整合成本增加，索利达姆曾记录大规模亏损，被视为SK海力士的财务负担。 然而，随着全球大型科技公司对人工智能（AI）数据中心投资的激增，索利达姆成功实现了反弹。AI服务器需要快速处理和存储大量数据，索利达姆拥有的企业级SSD（eSSD）技术成为其核心竞争力。尤其是在超大容量QLC基础的eSSD市场，独特的技术能力加速了业绩改善。 此次上市计划被解读为为了抢占快速增长的AI半导体市场主导权，提前筹集大规模资金的战略。最近，全球AI基础设施竞争加剧，服务器用超大容量NAND供应短缺现象加剧。通过提前投资，大幅提升生产能力，扩展市场份额。 索利达姆计划通过公开募股筹集最多20万亿韩元的资金，进行下一代eSSD技术开发和生产基地的重大投资。它正在考虑在美国纽约州等地新设NAND闪存生产和研究基地。 这对母公司SK海力士也将是一个重大利好。此次上市将为其摆脱收购时所承担的大规模债务和财务负担提供机会。通过上市后新股发行和旧股销售，将有大量现金流入，极大改善SK海力士集团的财务健康。投资能力的显著增强将使其在下一代内存领域的研发（R&D）执行变得更加容易。 这也是巩固AI内存领导地位的契机。SK海力士在高带宽内存（HBM）领域主导DRAM市场，而索利达姆的上市将使其在eSSD领域的竞争力得到外界的正式认可。这证明了在AI半导体的两个主要领域——DRAM和NAND闪存，SK海力士已建立了独占的市场地位。 业内人士表示：“索利达姆在美国上市将证明收购英特尔NAND业务部门是一个‘神来之笔’。如果IPO成功完成，SK海力士将同时在AI半导体的各个领域获得独特的资金实力和技术领导地位。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

中国存储芯片厂商长鑫存储（CXMT）加快追赶步伐。随着第五代（G5）DRAM技术平台进入量产阶段，其在通用及移动DRAM市场的竞争力受到关注。尽管三星电子、SK海力士在高带宽存储器（HBM）等高附加值领域仍保持优势，但随着中国厂商持续推进技术升级和产能扩张，通用及移动DRAM市场竞争或进一步加剧。 韩国半导体业界22日消息显示，长鑫存储日前宣布第五代DRAM技术平台正式进入量产阶段，其G5 DRAM将存储阵列有源区半间距缩小至11.95纳米。 在难以获得最先进极紫外光刻（EUV）设备的情况下，长鑫存储通过四重图形化技术推进制程微缩。以8Gb芯片计算，第五代平台单片晶圆可生产的裸片数量较第四代增加50%以上。不过，制程升级能否最终转化为成本和市场竞争力，仍取决于量产良率、生产规模及制造成本。 长鑫存储同时加快拓展移动DRAM市场。此次公司还发布两款基于第五代平台生产的24Gb LPDDR5X产品。LPDDR5X主要应用于智能手机等移动设备，显示其产品布局正进一步向移动DRAM领域延伸。 韩国厂商则继续向先进制程和高附加值产品集中。三星电子和SK海力士正在扩大10纳米级第六代1c DRAM应用。由于各企业DRAM工艺代际划分标准不同，代际名称并不能完全反映技术差距。目前，韩国企业在先进制程及高端DRAM领域仍保持优势。 尤其在人工智能（AI）需求快速增长的HBM市场，中韩企业之间仍存在明显差距。三星电子和SK海力士正推进新一代HBM4量产及商业化，而长鑫存储目前在这一高端市场的布局仍相对有限。 相比高端市场，长鑫存储在通用及移动DRAM领域的扩张更受韩国业界关注。近年来，三星电子和SK海力士持续将投资重心向HBM、高容量服务器DRAM等高附加值产品倾斜。如果长鑫存储进一步扩大通用及移动DRAM产能，可能对相关市场供需和价格形成影响。 特别是随着中国智能手机和个人电脑厂商扩大国产DRAM采购，中国存储厂商在本土市场的份额可能进一步提升，韩国企业在中国通用DRAM市场面临的竞争也将随之加剧。 韩国业界还关注，DRAM市场是否会出现类似此前液晶显示（LCD）行业的竞争格局变化。随着中国企业持续扩大LCD产能，韩国显示企业逐步退出大型LCD业务，并转向OLED等高附加值领域。不过，与LCD相比，DRAM在制程微缩、良率控制和资本投入方面门槛更高，HBM和服务器DRAM等先进产品还涉及客户认证、先进封装等多个环节，因此目前尚难判断DRAM市场会复制类似路径。 业内认为，短期来看，长鑫存储与韩国厂商在高端DRAM领域仍存在差距，但随着其通用及移动DRAM产能扩大，中国本土市场的竞争可能率先加剧。未来量产良率、制造成本及大规模生产稳定性，将成为观察长鑫存储市场影响力的关键指标。

中国半导体企业的首次公开募股（IPO）正在不断增加。自6月以来，已有6家公司完成或正在推进上市。这是因为中国政府根据人工智能（AI）和半导体自主战略，显著加强了对资本市场的支持。市场普遍认为这是“半导体崛起第二季”的开始。第一季主要集中在缩小技术差距，而第二季则旨在通过大规模融资来扩大生产能力。证券界认为，如果中国企业通过IPO获得的资金用于扩大生产能力和研发（R&D），那么从中长期来看，国内半导体行业的竞争环境可能会发生变化。 根据金融投资行业的消息，中国主要的DRAM企业长鑫存储（CXMT）计划于27日在上海证券交易所科创板上市。预计发行价的市值约为6450亿元人民币（约合142万亿韩元）。实际募资规模预计将超过最初计划的295亿元人民币（约合6.7万亿韩元），达到约650亿元人民币（约合14.7万亿韩元），这将创下科创板历史上最大的IPO规模，超过2020年中芯国际的记录。 CXMT的业绩增长迅猛。去年，CXMT的营业收入达到618亿元人民币，同比增长156%，净利润为19亿元人民币，实现了扭亏为盈。今年第一季度，CXMT的营业收入为508亿元人民币，净利润为248亿元人民币，分别同比增长719%和1688%。 另一家NAND闪存企业长江存储（YMTC）也在准备科创板上市。这样，中国在DRAM和NAND领域的代表性存储企业都将进入资本市场。此外，硅光半导体企业西禾科技（XPHOR）于本月1日提交了上市预审申请，而SSD控制器企业盈润科技（InnoGrit）则在上个月30日提交了申请。此前，AI芯片开发公司随源科技（EnFlame）和12英寸晶圆制造商韦信半导体（CanSemi）于上个月15日通过了IPO审查。 此次IPO潮与中国政府的政策支持密切相关。中国证券监督管理委员会去年设立了科创板创新成长轨道，允许具备技术实力的亏损企业上市，并在今年6月进一步扩大了AI企业的上市标准。这一政策旨在积极支持AI和半导体企业的融资，加快技术自主的步伐，即所谓的“半导体崛起第二季”战略。 市场关注的不仅是此次IPO本身，更是通过IPO获得的大规模资金将如何用于未来的生产能力扩张和研发投资。特别是中国占全球DRAM需求的20%至25%，因此国内企业的生产扩张可能会从中长期改变存储市场的供应结构。 根据市场研究机构TrendForce的数据，CXMT在全球DRAM市场的份额从2025年第一季度的4.1%上升至今年第一季度的7.6%。市场研究机构Semiconductor Analysis预测，到2028年，CXMT的市场份额将达到17%。 BNK投资证券的研究员李敏熙表示：“CXMT目前每月的DRAM晶圆生产能力达到30万片，国内市场份额在一年内从13%扩大到26%。”他分析称：“随着DDR5的量产，全球PC和智能手机制造商的供应链也开始进入。”他进一步指出：“借助AI的特殊机遇，中国存储企业可能会正式进入全球IT市场，而在未来的行业下行阶段，这可能会对国内企业造成压力。” 尤其是在全球存储企业将生产能力集中在HBM的同时，CXMT正在迅速侵占移动和服务器用DRAM市场。信胜雄的研究员表示：“2026年至2027年将持续供应不足，因此影响不大，但2028年后行业放缓时，中国企业的扩张可能会导致通用DRAM价格下跌和全球企业的议价能力减弱。” 然而，由于CXMT的竞争力主要集中在DDR5和LPDDR5X等通用DRAM，因此在AI存储的核心HBM市场，短期内的影响预计将有限。 信研究员指出：“尽管CXMT提出了HBM3和HBM3E的开发路线图，但考虑到缺乏EUV设备和良率问题，与三星电子、SK海力士、美光之间的技术差距预计将保持在3年以上。”他还表示：“初期供应可能主要集中在华为等中国AI客户。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。