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中国成功实现DUV光刻机国产化,半导体行业迎来重大突破

趙容晟 기자 2026-08-06 12:44
华为关联公司预计今年将交付7纳米工艺DUV设备 中国半导体行业的追赶令三星电子和SK海力士股价大幅下跌
中国主要半导体企业现状图
中国主要半导体企业现状 [图源:中国媒体综合]
中国成功实现了半导体制造关键设备——深紫外(DUV)光刻机的国产化。继中国最大DRAM制造商CXMT(长鑫科技)成功上市后,中国半导体行业的好消息不断传来。这一成就对韩国半导体企业的股价产生了重大负面影响,28日,三星电子股价下跌了13.4%,SK海力士下跌了14.7%。

据美国IT专业媒体《信息时报》28日报道,中国半导体设备企业已开始生产自主研发的浸没式DUV设备,并计划今年交付5台给客户。报道指出,这些设备将供应给中芯国际、华虹半导体、CXMT等中国主要半导体企业。这是中国企业首次制造浸没式DUV设备。《信息时报》还表示,预计明年将交付20台。
美国制裁七年后DUV国产化成果显现
自2019年起,美国禁止向中国出口最先进的极紫外(EUV)光刻机,并从2023年起也禁止向中国出口浸没式DUV设备。中国自2019年起便致力于光刻机的国产化,经过七年努力,终于实现了DUV的国产化。

浸没式DUV光刻机能够通过一次曝光制造28纳米工艺的半导体。如果经过多次电路曝光的多重图案化工艺,则可以覆盖到7纳米工艺。然而,多重图案化工艺的良率较低,制造成本较高。

浸没式DUV光刻机由荷兰光刻机制造商ASML于2006年推出。中国企业制造的设备预计与ASML2008年的版本性能相似。根据计算,ASML与中国光刻机技术的差距约为18年。
EUV设备预计2030年将见成效
尽管中国在七年内实现DUV国产化被认为是相当大的成就,但这标志着中国在28纳米半导体工艺国产化方面的成功。此外,预计中国将以此为基础,加速EUV光刻机的开发。

中国政府将2026-2030年五年规划的核心目标设定为“技术自立”,其中最重要的任务无疑是EUV光刻机的开发。虽然中国政府并未具体提及开发时间,但当地半导体行业普遍预计,2030年将开始看到EUV设备开发的成果。
华为关联公司被指为DUV开发企业
中国DUV设备制造商的名称尚未公开,但在中国业内普遍推测,华为关联公司宇量昇可能是该企业。去年9月,《金融时报》曾报道,中芯国际正在测试宇量昇制造的浸没式DUV,初步测试结果显示出积极的指标。

宇量昇50%的股份由上海市政府旗下的风险投资公司持有,其余50%由中国半导体设备公司新凯来持有。新凯来的主要团队成员为华为精密设备开发团队的成员,因此业内普遍将新凯来视为华为的关联公司。新凯来正在开发EUV设备,但是否与宇量昇共同开发尚未公开。新凯来的EUV开发项目名为“珠穆朗玛”。
CXMT在HBM领域的追赶也在加速
另一方面,27日上市的中国DRAM企业CXMT在首日股价暴涨476%,成为中国股市市值第一的公司。CXMT通过此次上市预计筹集最多666亿人民币,且CXMT今年上半年的净利润预计为570亿人民币,因此CXMT将获得总计1236亿人民币的现金,这相当于约27万亿韩元,其中大部分预计将投资于AI用DRAM和HBM。CXMT被认为在追赶三星电子和SK海力士方面获得了重要的资金支持。

目前,CXMT与SK海力士的技术差距约为4年。中国证券公司分析师认为,凭借巨额投资资金的获得,加上中国政府的支持和中国AI企业的爆发性需求,CXMT的技术有望实现飞跃性发展。尤其是未来CXMT与SK海力士的技术差距可能缩小至2年。



※ 本报道经人工智能(AI)系统翻译与编辑。

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