霍南半导体园区建设项目的定居条件蓝图将于29日公布。
该半导体园区建设项目由三星电子和SK海力士投资800万亿韩元，在光州军机场用地建设4座半导体制造厂（Fab）。
青瓦台于28日宣布，李在明总统将于29日下午3时在青瓦台召开“重大项目第三次公私合营检查会议”。
此次会议是李总统每月主持的第三次会议。同时也是国家战略投资顾问室成立后召开的首次会议。
在第三次会议上，将重点讨论优秀专业人才及其家庭的永久定居核心条件的建设方案。
主要的定居条件包括高端人才定制的居住基础设施、30分钟的区域交通网络扩展、优质教育和配偶就业机会。
此外，高端医疗和生活福利社会基础设施、与半导体产业基础设施的联动支持也是核心任务。
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
