应用材料与东芝将携手开发下一代人工智能（AI）内存技术。双方计划共同研究内存单元结构、多芯片叠层及先进封装，以提升AI内存的集成度和性能。
应用材料于30日宣布，东芝将作为创新合作伙伴加入位于美国硅谷的EPIC中心。双方将共同开发内存单元及结构形成、多芯片叠层架构以及新材料工程技术。
双方将共同研究在有限空间内实现更高内存集成度的芯片叠层技术和多芯片封装。同时，还将开发新材料和工艺技术，以将日益复杂的内存结构与大规模生产相结合。
EPIC中心的创始合作伙伴包括三星电子、SK海力士、美光和台积电，博通、先进测试和屏幕等公司也作为创新合作伙伴加入。东芝的加入使得涵盖DRAM、HBM到NAND的主要内存企业的共同研发生态系统进一步扩大。
EPIC中心是应用材料投资约50亿美元建立的半导体共同研究设施。其目标是从研究初期开始，设备制造商、半导体制造商、设计公司和大学共同开发，以缩短量产所需的时间。三星电子也在今年2月决定参与，共同开发下一代内存结构和三维集成技术。
应用材料董事长兼首席执行官加里·迪克森表示：“AI基础设施需要提供突破性高密度、宽带宽和提升能效的内存解决方案。我们将结合东芝的内存专业知识与应用材料的材料工程创新，重新定义下一代内存的可能性。”
东芝先进内存开发负责人梶本实则表示：“通过与应用材料在EPIC中心的合作，我们拥有了解决下一代内存领域最棘手难题的独特环境，旨在加速下一代内存及封装技术创新的商业化进程。”
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
