中国半导体的追赶势头不容小觑。创芯存储（CXMT）预计今年第三季度的收入将比去年同期增长超过六倍，并预告将实现大规模盈利。长江存储（YMTC）则通过自主技术提升了其NAND闪存的竞争力。中国企业在巨额资本和政府支持的推动下，正在同时提升生产能力和技术水平，威胁到韩国半导体的优势地位。 根据中国媒体报道，CXMT预计今年第三季度的收入将达到1147亿至1197亿人民币，约合22900亿至23900亿韩元。与去年同期相比，增幅达到589%至619%。虽然AI产业的扩展导致了内存价格上涨和供应短缺，但生产设施的扩充和工艺改进也显著提高了每片晶圆的产量和设备利用率。CXMT将把获得的资金和收益投入到进一步的投资中，以缩小与韩国企业的差距。 技术追赶的速度也在加快。CXMT正在加速开发下一代DRAM和低功耗内存，目标包括服务器产品。YMTC也在不断发展其独特的堆叠技术“X堆叠”，在高集成三维NAND闪存市场中扩大市场份额。尽管在先进内存的良率、量产稳定性和客户认证等方面仍面临挑战，但我们不能保证当前的技术差距将持续下去。如果中国的资本实力、内需市场和政策支持相结合，追赶的速度可能会进一步加快。 然而，没有理由对未来感到悲观。韩国半导体产业能够达到今天的地位，正是克服了后发者的局限。1980年代，面对主导全球内存市场的日本企业，韩国企业持续进行巨额设备投资和研发。尽管在技术和资本上处于劣势，但在经济低迷时期依然没有停止投资，专注于下一代产品和生产工艺。最终，韩国超越日本，掌握了全球内存市场的主导权。 危机在此后也不断重演。外汇危机、全球金融危机和内存价格暴跌威胁着企业的生存。2019年，日本对半导体材料的出口限制暴露了核心材料和设备供应链的脆弱性。韩国企业和政府通过多元化供应来源、国产化和研发投资进行了应对。虽然所有脆弱性尚未得到解决，但外部压力促使他们重新审视供应链并加强技术自主。SK海力士在高带宽内存（HBM）市场提升了竞争力，三星电子则将力量集中在下一代内存的开发上，这也是不断自我强化的结果。 应该将中国的追赶视为新的飞跃契机。在HBM和下一代DRAM领域保持技术差距的同时，也要维护通用内存的成本竞争力。加强先进封装和设计、制造合作，扩大材料、设备生态系统和半导体人才基础也是当务之急。政府需要扩充电力和水资源等生产基础设施，并支持研发和人才培养。还需减少制度性不确定性，以确保企业的大胆投资能够真正转化为技术创新和生产力提升。 轻视中国的增长是危险的，但仅仅因为竞争对手的崛起就认为韩国的竞争力会崩溃也是过于草率。韩国半导体在经历了无数危机和挑战后，积累了技术实力、生产经验和全球客户基础。韩国半导体之所以能够登上世界巅峰，并不是因为没有竞争对手，而是因为每当强有力的挑战者出现时，他们都能自我锤炼，超越极限。现在，他们仍需证明自己的实力。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

应用材料与东芝将携手开发下一代人工智能（AI）内存技术。双方计划共同研究内存单元结构、多芯片叠层及先进封装，以提升AI内存的集成度和性能。 应用材料于30日宣布，东芝将作为创新合作伙伴加入位于美国硅谷的EPIC中心。双方将共同开发内存单元及结构形成、多芯片叠层架构以及新材料工程技术。 东芝是一家以NAND闪存和固态硬盘（SSD）为主的内存企业。随着AI的普及，对存储设备的容量、速度和能效的需求不断增加，下一代NAND及叠层、封装技术的开发变得愈发重要。 双方将共同研究在有限空间内实现更高内存集成度的芯片叠层技术和多芯片封装。同时，还将开发新材料和工艺技术，以将日益复杂的内存结构与大规模生产相结合。 EPIC中心的创始合作伙伴包括三星电子、SK海力士、美光和台积电，博通、先进测试和屏幕等公司也作为创新合作伙伴加入。东芝的加入使得涵盖DRAM、HBM到NAND的主要内存企业的共同研发生态系统进一步扩大。 EPIC中心是应用材料投资约50亿美元建立的半导体共同研究设施。其目标是从研究初期开始，设备制造商、半导体制造商、设计公司和大学共同开发，以缩短量产所需的时间。三星电子也在今年2月决定参与，共同开发下一代内存结构和三维集成技术。 应用材料董事长兼首席执行官加里·迪克森表示：“AI基础设施需要提供突破性高密度、宽带宽和提升能效的内存解决方案。我们将结合东芝的内存专业知识与应用材料的材料工程创新，重新定义下一代内存的可能性。” 东芝先进内存开发负责人梶本实则表示：“通过与应用材料在EPIC中心的合作，我们拥有了解决下一代内存领域最棘手难题的独特环境，旨在加速下一代内存及封装技术创新的商业化进程。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子与SK海力士在高带宽内存（HBM）之后的市场布局上出现了明显分歧。三星电子采取了针对客户人工智能（AI）芯片的“定制化”策略，而SK海力士则致力于占领多个客户可共同使用的“开放标准”。 根据5日的半导体行业消息，三星电子与SK海力士在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的“FMS 2026”上展示了下一代AI内存技术，技术方向明显分化以争夺HBM之后的市场主导权。 三星电子推出的技术是zHBM。与传统HBM将内存贴近AI加速器不同，zHBM将内存垂直叠加在AI加速器上。这样可以缩短处理器与内存之间的距离，从而加快数据传输速度并降低功耗。 三星电子表示，zHBM的性能可比HBM5高出最多8倍，功率与性能比最高可提高3倍，热阻可降低50%以上。随着AI模型的增大，数据传输瓶颈也随之加剧，因此采用将内存更靠近的方式来解决这一问题。 定制化设计也是关键。三星电子表示，可以在内存与AI加速器之间的中介层中加入客户特定的IP。这意味着可以根据客户的需求调整内存容量、加速器性能和功率条件。 在NAND方面，三星电子也强调了3D策略，展示了400层以上的第10代V NAND，即V10 BV-NAND。通过应用晶圆粘合技术，集成度比上一代提高了约58%。同时还展示了用于设备内AI的zNAND-O。 SK海力士的方向则是标准化。与闪迪合作，公开了高带宽闪存（HBF）的首个标准规格。HBF是一种新一代存储技术，能够像HBM一样快速传输数据，同时基于NAND扩大容量。 HBF是位于HBM与固态硬盘（SSD）之间的新层。随着AI推理的普及，数据量将增加并需要更频繁地调用。仅靠HBM会增加容量负担，而仅靠SSD则速度不足。SK海力士计划通过HBF填补这一空白。 此次标准的容量设定为最大512GB，带宽分为每秒约0.4TB至3.0TB的三个等级。与处理器的连接采用开放芯片接口UCIe，确保与GPU和CPU等不同芯片的连接。 SK海力士在FMS上首次展示了第10代375层4D NAND，产品的功率与性能比比上一代提高了2.5倍。公司计划在明年初基于此推出高性能、高容量的eSSD量产。 半导体行业人士表示：“后HBM竞争不仅是单一产品规格的较量，更是AI系统架构谁先掌控的斗争。”他指出：“三星通过客户定制化优化，SK海力士则通过开放生态系统，针对AI内存瓶颈采取了不同的策略。”

SK海力士在全球IT基础设施企业HPE的大型年度活动中展示了其下一代AI内存技术。 根据SK海力士新闻室的消息，HPED 2026于6月15日（当地时间）在美国拉斯维加斯的威尼斯人会议中心举行，为期四天。这是HPE每年与全球客户和合作伙伴分享最新技术路线图和商业战略的大型年度会议。 SK海力士在HPED 2026中展示了其高带宽内存（HBM）系列，吸引了众多参观者的目光。公司展示了超高速、高容量服务器用的DRAM模块、能够稳定处理海量数据的高性能企业级固态硬盘（eSSD），以及能够显著扩展主内存容量的下一代基于CXL的DRAM模块（CMM-DDR5），展现了其作为“全栈AI内存创作者”的实力。 展会现场，搭载SK海力士高性能产品的HPE服务器系统的实物认证产品大量运作，直观地证明了双方的紧密合作关系。 展位吸引了全球千兆级数据中心和云企业的相关人员，关于高性能计算环境中内存性能和效率的技术咨询和讨论不断进行。 SK海力士相关人士表示：“此次参展巩固了与全球合作伙伴HPE的战略合作关系，并证明了在快速增长的AI服务器市场中的技术领先地位。我们将基于高性能、高效率的解决方案，与全球企业共同引领未来AI基础设施生态系统。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。