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‘浸没式DUV’新闻 4个
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中国成功实现DUV光刻机国产化,半导体行业迎来重大突破中国成功实现了半导体工艺核心设备——深紫外(DUV)光刻机的国产化。继前一天中国最大DRAM厂商CXMT(长鑫科技)成功上市后,中国半导体行业的好消息接连而至。这一成就对韩国半导体企业的股价造成了重大冲击,28日,三星电子股价下跌了13.4%,SK海力士则下跌了14.7%。 中国的半导体设备企业开始生产自主研发的浸没式DUV设备,预计今年将生产5台并交付给客户。美国IT专业媒体《信息时报》在28日报道称,生产的设备将供应给中芯国际、华虹半导体、长鑫科技等中国主要半导体企业。这是中国企业首次制造浸没式DUV设备。《信息时报》还指出,预计明年将交付20台设备。美国制裁7年后DUV国产化成果显现自2019年起,美国禁止向中国出口最先进的极紫外(EUV)光刻机,并从2023年开始禁止向中国出口浸没式DUV设备。中国自2019年起便致力于光刻机的国产化,经过7年的努力,终于实现了DUV的国产化。 浸没式DUV设备能够通过一次曝光工艺(图案化)制造28纳米(nm)工艺的半导体。如果经过多次电路曝光的多图案化工艺,则可以覆盖到7纳米工艺。然而,多图案化工艺的良品率较低,制造成本较高。 浸没式DUV设备由荷兰光刻机制造商ASML于2006年推出。中国制造的设备预计与ASML2008年版本的浸没式DUV性能相似。根据计算,ASML与中国光刻机技术的差距约为18年。EUV设备预计2030年将见成效尽管中国在7年内实现DUV国产化被认为是相当大的成就,但这标志着中国28纳米半导体工艺的国产化已完成。此外,预计中国将以此为基础,加快EUV光刻机的开发。 中国政府将2026年至2030年第十五个五年计划的核心目标设定为“技术自立”,其中最重要的任务无疑是EUV光刻机的开发。虽然中国政府并未具体提及开发时间,但当地半导体行业普遍认为,2030年开始EUV设备的开发成果将会显现。华为关联公司被指为DUV开发企业中国DUV设备制造商的名称尚未公开,但在中国业内普遍推测华为的关联公司宇量昇可能是该企业。去年9月,《金融时报》曾报道中芯国际正在测试宇量昇制造的浸没式DUV,初步测试结果显示出积极的指标。 宇量昇50%的股份由上海市政府下属的风险投资公司持有,剩余50%则由中国半导体设备公司新凯来持有。新凯来的100%股份由深圳市政府下属的风险投资公司持有。由于新凯来的核心团队成员是华为的精密设备开发团队,因此中国业内普遍将新凯来视为华为的关联公司。新凯来正在开发EUV设备,但是否与宇量昇共同开发尚未公开。新凯来的EUV开发项目名称为“珠穆朗玛”。CXMT在HBM领域的追赶也在加速与此同时,27日上市的中国DRAM厂商CXMT在首日股价暴涨476%,成为中国股市市值最高的企业。CXMT通过此次上市预计将筹集最高666万亿人民币,且CXMT今年上半年的净利润预计为570亿人民币,因此CXMT将获得总计1236亿人民币的现金。这相当于约27万亿韩元,其中大部分预计将投资于AI用DRAM和HBM。CXMT被认为已经握住了追赶三星电子和SK海力士的机会。 目前,CXMT与SK海力士之间的技术差距约为4年。中国证券公司的分析师认为,凭借巨额的投资资金,加上中国政府的支持和中国AI企业的爆发性需求,CXMT的技术将会迅速提升。尤其是未来CXMT与SK海力士之间的技术差距可能缩小至2年。※ 本报道经人工智能(AI)系统翻译与编辑。
2026-07-29 01:19:00 -
中国成功实现DUV光刻机国产化,半导体行业迎来重大突破中国成功实现了半导体制造关键设备——深紫外(DUV)光刻机的国产化。继中国最大DRAM制造商CXMT(长鑫科技)成功上市后,中国半导体行业的好消息不断传来。这一成就对韩国半导体企业的股价产生了重大负面影响,28日,三星电子股价下跌了13.4%,SK海力士下跌了14.7%。 据美国IT专业媒体《信息时报》28日报道,中国半导体设备企业已开始生产自主研发的浸没式DUV设备,并计划今年交付5台给客户。报道指出,这些设备将供应给中芯国际、华虹半导体、CXMT等中国主要半导体企业。这是中国企业首次制造浸没式DUV设备。《信息时报》还表示,预计明年将交付20台。 美国制裁七年后DUV国产化成果显现 自2019年起,美国禁止向中国出口最先进的极紫外(EUV)光刻机,并从2023年起也禁止向中国出口浸没式DUV设备。中国自2019年起便致力于光刻机的国产化,经过七年努力,终于实现了DUV的国产化。 浸没式DUV光刻机能够通过一次曝光制造28纳米工艺的半导体。如果经过多次电路曝光的多重图案化工艺,则可以覆盖到7纳米工艺。然而,多重图案化工艺的良率较低,制造成本较高。 浸没式DUV光刻机由荷兰光刻机制造商ASML于2006年推出。中国企业制造的设备预计与ASML2008年的版本性能相似。根据计算,ASML与中国光刻机技术的差距约为18年。 EUV设备预计2030年将见成效 尽管中国在七年内实现DUV国产化被认为是相当大的成就,但这标志着中国在28纳米半导体工艺国产化方面的成功。此外,预计中国将以此为基础,加速EUV光刻机的开发。 中国政府将2026-2030年五年规划的核心目标设定为“技术自立”,其中最重要的任务无疑是EUV光刻机的开发。虽然中国政府并未具体提及开发时间,但当地半导体行业普遍预计,2030年将开始看到EUV设备开发的成果。 华为关联公司被指为DUV开发企业 中国DUV设备制造商的名称尚未公开,但在中国业内普遍推测,华为关联公司宇量昇可能是该企业。去年9月,《金融时报》曾报道,中芯国际正在测试宇量昇制造的浸没式DUV,初步测试结果显示出积极的指标。 宇量昇50%的股份由上海市政府旗下的风险投资公司持有,其余50%由中国半导体设备公司新凯来持有。新凯来的主要团队成员为华为精密设备开发团队的成员,因此业内普遍将新凯来视为华为的关联公司。新凯来正在开发EUV设备,但是否与宇量昇共同开发尚未公开。新凯来的EUV开发项目名为“珠穆朗玛”。 CXMT在HBM领域的追赶也在加速 另一方面,27日上市的中国DRAM企业CXMT在首日股价暴涨476%,成为中国股市市值第一的公司。CXMT通过此次上市预计筹集最多666亿人民币,且CXMT今年上半年的净利润预计为570亿人民币,因此CXMT将获得总计1236亿人民币的现金,这相当于约27万亿韩元,其中大部分预计将投资于AI用DRAM和HBM。CXMT被认为在追赶三星电子和SK海力士方面获得了重要的资金支持。 目前,CXMT与SK海力士的技术差距约为4年。中国证券公司分析师认为,凭借巨额投资资金的获得,加上中国政府的支持和中国AI企业的爆发性需求,CXMT的技术有望实现飞跃性发展。尤其是未来CXMT与SK海力士的技术差距可能缩小至2年。
2026-07-29 01:19:00 -
中国成功实现DUV光刻机国产化,反映半导体行业崛起中国在半导体工艺核心设备——深紫外(DUV)光刻机的国产化方面取得了成功。继27日中国最大DRAM厂商CXMT成功上市后,中国半导体行业迎来了更多利好消息。 据美国IT专业媒体《信息》28日报道,中国的一家公司已开始生产自主开发的浸没式DUV设备,并计划今年交付5台给客户。报道指出,今年的生产设备将供应给中芯国际、华虹半导体、CXMT等中国主要半导体企业。这是中国首次制造浸没式DUV设备。《信息》还表示,预计明年将交付20台。 自2019年以来,美国已禁止向中国出口最先进的极紫外(EUV)光刻机,并从2023年起禁止向中国出口浸没式DUV设备。 浸没式DUV能够通过一次曝光(图案化)生产28纳米(nm)工艺的半导体。如果经过多次电路曝光的多重图案化工序,则可以覆盖到7纳米工艺。然而,多重图案化的良品率较低,制造成本较高。 浸没式DUV是荷兰光刻机制造商ASML于2006年推出的设备。中国制造的设备预计与ASML2008年版本的浸没式DUV性能相似。根据计算,ASML与中国光刻机技术的差距约为18年。 然而,中国实现DUV国产化被认为是一个重要成就。这标志着中国在28纳米半导体工艺的国产化方面已基本完成。此外,预计中国将在此基础上加快EUV光刻机的开发。 中国DUV设备制造商的名称尚未公开,但业内普遍推测与华为关联的宇量昇可能是该公司。去年9月,《金融时报》曾报道中芯国际正在测试宇量昇制造的浸没式DUV。 宇量昇50%的股份由上海市政府下属的风险投资公司持有,其余50%由中国半导体设备公司赛凯瑞持有。赛凯瑞的100%股份由深圳市政府下属的风险投资公司持有。由于赛凯瑞的核心团队成员来自华为的精密设备开发团队,因此业内普遍将赛凯瑞视为华为的关联公司。 与此同时,27日上市的中国DRAM公司CXMT在首日股价暴涨476%,成为中国股市市值最高的企业。中国证券行业和媒体普遍认为CXMT的上市是中国半导体产业的标志性事件。这不仅是单一企业的首次公开募股,更是投资者对中国半导体产业发展、中国AI供应链国产化和高科技自给自足的积极期待的体现。
2026-07-28 18:12:00 -
中国启动生产浸没式DUV设备,半导体设备股大幅下跌中国政府支持的企业已开始生产用于半导体制造的浸没式深紫外线(DUV)光刻设备,这一消息导致全球半导体设备股普遍大幅下跌。市场对中国半导体设备国产化进展的担忧抑制了投资情绪。 彭博社于27日(当地时间)援引美国信息技术媒体《信息》报道,总部位于上海的中国企业已开始生产其自主研发的浸没式DUV光刻设备,具体公司名称尚未公开。 光刻设备是利用光线在半导体晶圆(芯片基础的薄圆盘)上刻制微细电路的核心设备。浸没式DUV设备通过在镜头与晶圆之间注入水来更精确地绘制电路,目前市场由荷兰的ASML主导。 该中国企业计划今年生产5台设备,明年生产20台。今年的生产设备将供应给中国最大的代工厂中芯国际(SMIC)、华虹半导体以及DRAM厂商长鑫存储科技(CXMT)等。 然而,中国制造的设备仍处于初期生产阶段,性能和可靠性尚未达到ASML产品的水平。考虑到ASML去年出货了131台浸没式DUV设备,中国企业的生产规模仍然有限。 市场关注的焦点并非生产规模,而是中国开始自主生产先进光刻设备的这一事实。当天,荷兰股市中ASML股价暴跌8.4%,ASM国际下跌7.3%,BE半导体下跌9.9%。在美国股市,应用材料公司下跌6.7%,拉姆研究公司下跌7.9%。 由于美国主导的出口管制,中国无法进口ASML的最先进极紫外(EUV)光刻设备。高性能的浸没式DUV设备同样需要荷兰政府的出口许可。因此,中国正在推动光刻设备及其他半导体核心设备的国产化进程。※ 本报道经人工智能(AI)系统翻译与编辑。
2026-07-28 17:52:00
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中国成功实现DUV光刻机国产化,半导体行业迎来重大突破中国成功实现了半导体工艺核心设备——深紫外(DUV)光刻机的国产化。继前一天中国最大DRAM厂商CXMT(长鑫科技)成功上市后,中国半导体行业的好消息接连而至。这一成就对韩国半导体企业的股价造成了重大冲击,28日,三星电子股价下跌了13.4%,SK海力士则下跌了14.7%。 中国的半导体设备企业开始生产自主研发的浸没式DUV设备,预计今年将生产5台并交付给客户。美国IT专业媒体《信息时报》在28日报道称,生产的设备将供应给中芯国际、华虹半导体、长鑫科技等中国主要半导体企业。这是中国企业首次制造浸没式DUV设备。《信息时报》还指出,预计明年将交付20台设备。美国制裁7年后DUV国产化成果显现自2019年起,美国禁止向中国出口最先进的极紫外(EUV)光刻机,并从2023年开始禁止向中国出口浸没式DUV设备。中国自2019年起便致力于光刻机的国产化,经过7年的努力,终于实现了DUV的国产化。 浸没式DUV设备能够通过一次曝光工艺(图案化)制造28纳米(nm)工艺的半导体。如果经过多次电路曝光的多图案化工艺,则可以覆盖到7纳米工艺。然而,多图案化工艺的良品率较低,制造成本较高。 浸没式DUV设备由荷兰光刻机制造商ASML于2006年推出。中国制造的设备预计与ASML2008年版本的浸没式DUV性能相似。根据计算,ASML与中国光刻机技术的差距约为18年。EUV设备预计2030年将见成效尽管中国在7年内实现DUV国产化被认为是相当大的成就,但这标志着中国28纳米半导体工艺的国产化已完成。此外,预计中国将以此为基础,加快EUV光刻机的开发。 中国政府将2026年至2030年第十五个五年计划的核心目标设定为“技术自立”,其中最重要的任务无疑是EUV光刻机的开发。虽然中国政府并未具体提及开发时间,但当地半导体行业普遍认为,2030年开始EUV设备的开发成果将会显现。华为关联公司被指为DUV开发企业中国DUV设备制造商的名称尚未公开,但在中国业内普遍推测华为的关联公司宇量昇可能是该企业。去年9月,《金融时报》曾报道中芯国际正在测试宇量昇制造的浸没式DUV,初步测试结果显示出积极的指标。 宇量昇50%的股份由上海市政府下属的风险投资公司持有,剩余50%则由中国半导体设备公司新凯来持有。新凯来的100%股份由深圳市政府下属的风险投资公司持有。由于新凯来的核心团队成员是华为的精密设备开发团队,因此中国业内普遍将新凯来视为华为的关联公司。新凯来正在开发EUV设备,但是否与宇量昇共同开发尚未公开。新凯来的EUV开发项目名称为“珠穆朗玛”。CXMT在HBM领域的追赶也在加速与此同时,27日上市的中国DRAM厂商CXMT在首日股价暴涨476%,成为中国股市市值最高的企业。CXMT通过此次上市预计将筹集最高666万亿人民币,且CXMT今年上半年的净利润预计为570亿人民币,因此CXMT将获得总计1236亿人民币的现金。这相当于约27万亿韩元,其中大部分预计将投资于AI用DRAM和HBM。CXMT被认为已经握住了追赶三星电子和SK海力士的机会。 目前,CXMT与SK海力士之间的技术差距约为4年。中国证券公司的分析师认为,凭借巨额的投资资金,加上中国政府的支持和中国AI企业的爆发性需求,CXMT的技术将会迅速提升。尤其是未来CXMT与SK海力士之间的技术差距可能缩小至2年。※ 本报道经人工智能(AI)系统翻译与编辑。
2026-07-29 01:19:00 -
中国成功实现DUV光刻机国产化,半导体行业迎来重大突破中国成功实现了半导体制造关键设备——深紫外(DUV)光刻机的国产化。继中国最大DRAM制造商CXMT(长鑫科技)成功上市后,中国半导体行业的好消息不断传来。这一成就对韩国半导体企业的股价产生了重大负面影响,28日,三星电子股价下跌了13.4%,SK海力士下跌了14.7%。 据美国IT专业媒体《信息时报》28日报道,中国半导体设备企业已开始生产自主研发的浸没式DUV设备,并计划今年交付5台给客户。报道指出,这些设备将供应给中芯国际、华虹半导体、CXMT等中国主要半导体企业。这是中国企业首次制造浸没式DUV设备。《信息时报》还表示,预计明年将交付20台。 美国制裁七年后DUV国产化成果显现 自2019年起,美国禁止向中国出口最先进的极紫外(EUV)光刻机,并从2023年起也禁止向中国出口浸没式DUV设备。中国自2019年起便致力于光刻机的国产化,经过七年努力,终于实现了DUV的国产化。 浸没式DUV光刻机能够通过一次曝光制造28纳米工艺的半导体。如果经过多次电路曝光的多重图案化工艺,则可以覆盖到7纳米工艺。然而,多重图案化工艺的良率较低,制造成本较高。 浸没式DUV光刻机由荷兰光刻机制造商ASML于2006年推出。中国企业制造的设备预计与ASML2008年的版本性能相似。根据计算,ASML与中国光刻机技术的差距约为18年。 EUV设备预计2030年将见成效 尽管中国在七年内实现DUV国产化被认为是相当大的成就,但这标志着中国在28纳米半导体工艺国产化方面的成功。此外,预计中国将以此为基础,加速EUV光刻机的开发。 中国政府将2026-2030年五年规划的核心目标设定为“技术自立”,其中最重要的任务无疑是EUV光刻机的开发。虽然中国政府并未具体提及开发时间,但当地半导体行业普遍预计,2030年将开始看到EUV设备开发的成果。 华为关联公司被指为DUV开发企业 中国DUV设备制造商的名称尚未公开,但在中国业内普遍推测,华为关联公司宇量昇可能是该企业。去年9月,《金融时报》曾报道,中芯国际正在测试宇量昇制造的浸没式DUV,初步测试结果显示出积极的指标。 宇量昇50%的股份由上海市政府旗下的风险投资公司持有,其余50%由中国半导体设备公司新凯来持有。新凯来的主要团队成员为华为精密设备开发团队的成员,因此业内普遍将新凯来视为华为的关联公司。新凯来正在开发EUV设备,但是否与宇量昇共同开发尚未公开。新凯来的EUV开发项目名为“珠穆朗玛”。 CXMT在HBM领域的追赶也在加速 另一方面,27日上市的中国DRAM企业CXMT在首日股价暴涨476%,成为中国股市市值第一的公司。CXMT通过此次上市预计筹集最多666亿人民币,且CXMT今年上半年的净利润预计为570亿人民币,因此CXMT将获得总计1236亿人民币的现金,这相当于约27万亿韩元,其中大部分预计将投资于AI用DRAM和HBM。CXMT被认为在追赶三星电子和SK海力士方面获得了重要的资金支持。 目前,CXMT与SK海力士的技术差距约为4年。中国证券公司分析师认为,凭借巨额投资资金的获得,加上中国政府的支持和中国AI企业的爆发性需求,CXMT的技术有望实现飞跃性发展。尤其是未来CXMT与SK海力士的技术差距可能缩小至2年。
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中国成功实现DUV光刻机国产化,反映半导体行业崛起中国在半导体工艺核心设备——深紫外(DUV)光刻机的国产化方面取得了成功。继27日中国最大DRAM厂商CXMT成功上市后,中国半导体行业迎来了更多利好消息。 据美国IT专业媒体《信息》28日报道,中国的一家公司已开始生产自主开发的浸没式DUV设备,并计划今年交付5台给客户。报道指出,今年的生产设备将供应给中芯国际、华虹半导体、CXMT等中国主要半导体企业。这是中国首次制造浸没式DUV设备。《信息》还表示,预计明年将交付20台。 自2019年以来,美国已禁止向中国出口最先进的极紫外(EUV)光刻机,并从2023年起禁止向中国出口浸没式DUV设备。 浸没式DUV能够通过一次曝光(图案化)生产28纳米(nm)工艺的半导体。如果经过多次电路曝光的多重图案化工序,则可以覆盖到7纳米工艺。然而,多重图案化的良品率较低,制造成本较高。 浸没式DUV是荷兰光刻机制造商ASML于2006年推出的设备。中国制造的设备预计与ASML2008年版本的浸没式DUV性能相似。根据计算,ASML与中国光刻机技术的差距约为18年。 然而,中国实现DUV国产化被认为是一个重要成就。这标志着中国在28纳米半导体工艺的国产化方面已基本完成。此外,预计中国将在此基础上加快EUV光刻机的开发。 中国DUV设备制造商的名称尚未公开,但业内普遍推测与华为关联的宇量昇可能是该公司。去年9月,《金融时报》曾报道中芯国际正在测试宇量昇制造的浸没式DUV。 宇量昇50%的股份由上海市政府下属的风险投资公司持有,其余50%由中国半导体设备公司赛凯瑞持有。赛凯瑞的100%股份由深圳市政府下属的风险投资公司持有。由于赛凯瑞的核心团队成员来自华为的精密设备开发团队,因此业内普遍将赛凯瑞视为华为的关联公司。 与此同时,27日上市的中国DRAM公司CXMT在首日股价暴涨476%,成为中国股市市值最高的企业。中国证券行业和媒体普遍认为CXMT的上市是中国半导体产业的标志性事件。这不仅是单一企业的首次公开募股,更是投资者对中国半导体产业发展、中国AI供应链国产化和高科技自给自足的积极期待的体现。
2026-07-28 18:12:00 -
中国启动生产浸没式DUV设备,半导体设备股大幅下跌中国政府支持的企业已开始生产用于半导体制造的浸没式深紫外线(DUV)光刻设备,这一消息导致全球半导体设备股普遍大幅下跌。市场对中国半导体设备国产化进展的担忧抑制了投资情绪。 彭博社于27日(当地时间)援引美国信息技术媒体《信息》报道,总部位于上海的中国企业已开始生产其自主研发的浸没式DUV光刻设备,具体公司名称尚未公开。 光刻设备是利用光线在半导体晶圆(芯片基础的薄圆盘)上刻制微细电路的核心设备。浸没式DUV设备通过在镜头与晶圆之间注入水来更精确地绘制电路,目前市场由荷兰的ASML主导。 该中国企业计划今年生产5台设备,明年生产20台。今年的生产设备将供应给中国最大的代工厂中芯国际(SMIC)、华虹半导体以及DRAM厂商长鑫存储科技(CXMT)等。 然而,中国制造的设备仍处于初期生产阶段,性能和可靠性尚未达到ASML产品的水平。考虑到ASML去年出货了131台浸没式DUV设备,中国企业的生产规模仍然有限。 市场关注的焦点并非生产规模,而是中国开始自主生产先进光刻设备的这一事实。当天,荷兰股市中ASML股价暴跌8.4%,ASM国际下跌7.3%,BE半导体下跌9.9%。在美国股市,应用材料公司下跌6.7%,拉姆研究公司下跌7.9%。 由于美国主导的出口管制,中国无法进口ASML的最先进极紫外(EUV)光刻设备。高性能的浸没式DUV设备同样需要荷兰政府的出口许可。因此,中国正在推动光刻设备及其他半导体核心设备的国产化进程。※ 本报道经人工智能(AI)系统翻译与编辑。
2026-07-28 17:52:00