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‘混合键合’新闻 2个
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韩美半导体将发布第二代混合键合原型韩美半导体宣布将在今年内推出用于下一代高带宽存储器（HBM）的“第二代混合键合”原型。这是为了应对2029年混合键合需求的战略举措。2020年，韩美半导体推出了第一代HBM生产用混合键合设备，积累了核心技术和验证经验。第二代设备将结合第一代的开发经验和核心技术，提升纳米级精度、工艺稳定性和良率。据悉，韩美半导体正在与多家国内半导体设备公司合作开发等离子、清洗和沉积技术。混合键合技术通过直接连接芯片和晶圆的铜（Cu）布线，去除传统焊料凸点，减少封装厚度，同时提高散热性能和数据传输速度，适用于20层以上的高堆叠HBM。韩美半导体正在加快基础设施建设，计划在仁川市西区的朱安国家产业园区投资1000亿韩元，建设总面积14595平方米、地上两层的混合键合工厂，预计明年上半年完工。因此，混合键合的全面量产预计在2029至2030年间开始。今年下半年，计划推出扩大HBM芯片面积的“宽TC键合设备”。该设备可稳定增加硅通孔（TSV）数量和输入输出接口（I/O）数量，扩展内存容量和带宽。韩美半导体相关人士表示：“我们将HBM用TC键合的第一位经验应用于HBM用混合键合技术，确保在客户启动下一代HBM量产时，及时提供高质量设备。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-04-09 18:27:00 -
SK海力士推出混合键合技术，HBM市场竞争加剧SK海力士正在推动在下一代高带宽内存（HBM）中引入“混合键合”技术，市场分析认为HBM市场竞争的焦点正从堆叠结构转向工艺技术。市场研究公司Counterpoint Research在最新报告中指出，随着HBM向高层堆叠结构发展，传统的微凸块连接方式面临信号损失、发热和封装高度等限制。因此，采用铜-铜直接连接的混合键合被认为是下一代关键工艺。混合键合技术能够实现微小间距，在相同面积上获得更多连接，同时提高数据传输速度并降低功耗。特别是在堆叠层数增加时，能够缓解热管理和信号完整性问题，预计在HBM4及以后世代中重要性将进一步提升。目前，HBM采用在逻辑基底上垂直堆叠多个DRAM芯片的结构。然而，随着堆叠层数增加到12层、16层以上，传统凸块方式的技术限制不断显现。业内人士指出，为解决这些结构性限制，主要内存厂商正在考虑引入混合键合或扩大相关设备投资。工艺难度是一个主要变量。混合键合需要原子级精密对齐和超平坦表面，化学机械平坦化（CMP）工艺质量直接影响良率。因此，应用材料公司和BESI等设备厂商正提供整合CMP、表面处理、键合和芯片布局的解决方案，试图抢占市场。Counterpoint分析称，如果SK海力士利用这些整合工艺解决方案加快混合键合的应用，将进一步巩固其在AI芯片用HBM供应链中的技术优势。特别是包括英伟达在内的主要客户同时要求高带宽和高能效，下一代工艺的引入可能成为竞争力的关键因素。业内预计，混合键合不会在短期内全面应用，而是从HBM4部分产品开始逐步扩大，并在HBM5前后实现全面转型。由于AI芯片市场对高集成和低功耗的需求不断增强，这一工艺的引入可能成为必然选择。因此，下一代HBM竞争不仅仅是增加堆叠层数，而是连接方式和工艺技术的掌握成为左右市场格局的关键因素。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-04-07 01:15:14
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韩美半导体将发布第二代混合键合原型
韩美半导体宣布将在今年内推出用于下一代高带宽存储器（HBM）的“第二代混合键合”原型。这是为了应对2029年混合键合需求的战略举措。2020年，韩美半导体推出了第一代HBM生产用混合键合设备，积累了核心技术和验证经验。第二代设备将结合第一代的开发经验和核心技术，提升纳米级精度、工艺稳定性和良率。据悉，韩美半导体正在与多家国内半导体设备公司合作开发等离子、清洗和沉积技术。混合键合技术通过直接连接芯片和晶圆的铜（Cu）布线，去除传统焊料凸点，减少封装厚度，同时提高散热性能和数据传输速度，适用于20层以上的高堆叠HBM。韩美半导体正在加快基础设施建设，计划在仁川市西区的朱安国家产业园区投资1000亿韩元，建设总面积14595平方米、地上两层的混合键合工厂，预计明年上半年完工。因此，混合键合的全面量产预计在2029至2030年间开始。今年下半年，计划推出扩大HBM芯片面积的“宽TC键合设备”。该设备可稳定增加硅通孔（TSV）数量和输入输出接口（I/O）数量，扩展内存容量和带宽。韩美半导体相关人士表示：“我们将HBM用TC键合的第一位经验应用于HBM用混合键合技术，确保在客户启动下一代HBM量产时，及时提供高质量设备。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-04-09 18:27:00 -
SK海力士推出混合键合技术，HBM市场竞争加剧
SK海力士正在推动在下一代高带宽内存（HBM）中引入“混合键合”技术，市场分析认为HBM市场竞争的焦点正从堆叠结构转向工艺技术。市场研究公司Counterpoint Research在最新报告中指出，随着HBM向高层堆叠结构发展，传统的微凸块连接方式面临信号损失、发热和封装高度等限制。因此，采用铜-铜直接连接的混合键合被认为是下一代关键工艺。混合键合技术能够实现微小间距，在相同面积上获得更多连接，同时提高数据传输速度并降低功耗。特别是在堆叠层数增加时，能够缓解热管理和信号完整性问题，预计在HBM4及以后世代中重要性将进一步提升。目前，HBM采用在逻辑基底上垂直堆叠多个DRAM芯片的结构。然而，随着堆叠层数增加到12层、16层以上，传统凸块方式的技术限制不断显现。业内人士指出，为解决这些结构性限制，主要内存厂商正在考虑引入混合键合或扩大相关设备投资。工艺难度是一个主要变量。混合键合需要原子级精密对齐和超平坦表面，化学机械平坦化（CMP）工艺质量直接影响良率。因此，应用材料公司和BESI等设备厂商正提供整合CMP、表面处理、键合和芯片布局的解决方案，试图抢占市场。Counterpoint分析称，如果SK海力士利用这些整合工艺解决方案加快混合键合的应用，将进一步巩固其在AI芯片用HBM供应链中的技术优势。特别是包括英伟达在内的主要客户同时要求高带宽和高能效，下一代工艺的引入可能成为竞争力的关键因素。业内预计，混合键合不会在短期内全面应用，而是从HBM4部分产品开始逐步扩大，并在HBM5前后实现全面转型。由于AI芯片市场对高集成和低功耗的需求不断增强，这一工艺的引入可能成为必然选择。因此，下一代HBM竞争不仅仅是增加堆叠层数，而是连接方式和工艺技术的掌握成为左右市场格局的关键因素。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-04-07 01:15:14
