随着人工智能(AI)半导体性能竞争的加剧，如何更紧密地连接更快的逻辑和高带宽内存(HBM)成为新的焦点。随着AI运算能力的提升，数据存储和移动速度的限制使得“内存瓶颈”问题日益突出。在主导HBM的韩国半导体产业中，除了内存性能，连接逻辑与内存的先进封装能力也成为下一代竞争力的关键因素。
在31日于首尔三星洞橡木公寓首尔中心举行的应用材料韩国的“AI时代的DRAM·先进封装媒体简报会”上，穆昆德·斯里尼瓦桑 应用材料集团副总裁指出，AI半导体的核心课题是电力效率。他将AI半导体分为逻辑、内存及其连接的封装，并表示：“封装中逻辑与内存必须非常紧密地布局。”
HBM的堆叠技术也在朝着同一方向演进。目前主要采用微凸点连接D램的方式，但随着堆叠数量的增加，接点与芯片之间的间距需要缩小。斯里尼瓦桑副总裁表示：“为了提高HBM的电力效率并实现规模化，必须从基于微凸点的堆叠转向混合键合。”混合键合技术可以缩小芯片间距，提高热效率和集成度，并改善延迟和带宽。
然而，HBM中混合键合的全面商业化时间仍不确定。斯里尼瓦桑副总裁在问答环节中评价混合键合是HBM的有前景技术，但具体应用时间是“客户决定的问题”。他认为新的半导体技术需要经历一定的学习曲线，但技术问题将会得到解决。
这一变化对主导HBM市场的三星电子和SK海力士也带来了新的挑战。朴光善 应用材料韩国代表表示：“在制造先进内存的三家企业中，有两家位于韩国，并且还涉及封装和先进逻辑。”他认为韩国的战略重要性将持续上升。他表示：“我们正在广泛讨论如何在短时间内共同开发连接芯片的封装技术并应用于量产。”
斯里尼瓦桑副总裁还指出，技术开发方式也在发生变化。他表示，先进逻辑需要超过2000个工艺步骤，内存也需要超过1200个。他强调，与其单独改进每个工艺，不如对材料、工艺和测量进行共同优化更为重要。
为此，应用材料正在美国硅谷建立“EPIC中心”。该中心旨在让客户、设备和材料公司从初期技术开发到量产应用共同进行，以缩短商业化周期。三星电子和SK海力士也作为资金合作伙伴参与其中。朴代表表示，将把美国EPIC中心开发的初期技术与正在国内建设的合作中心连接，以加速国内客户产品的商业化进程。
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
